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[導(dǎo)讀]在下述的內(nèi)容中,小編將會對適用于智能LED的單芯片解決方案MP4057A的相關(guān)消息予以報(bào)道,如果這是您想要了解的焦點(diǎn)之一,不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

在下述的內(nèi)容中,小編將會對適用于智能LED的單芯片解決方案MP4057A的相關(guān)消息予以報(bào)道,如果這是您想要了解的焦點(diǎn)之一,不妨和小編共同閱讀這篇文章哦。

MP4057A 是一款適用于智能 LED 應(yīng)用的單級/單芯片解決方案,可以通過原邊調(diào)節(jié)(PSR)控制功能調(diào)整 LED 電流,并為微控制器單元(MCU)和無線模塊供電。因?yàn)?MP4057A 的設(shè)計(jì)簡單,采用最少的外部元組件,成本最低,是智能 LED 照明的理想方案。

MP4057A 可以實(shí)現(xiàn)高功率因數(shù)和精確的 LED 電流。其專有的實(shí)時(shí)電流控制方法可通過原邊信息精確控制LED電流。。MP4057A 集成了功率因數(shù)校正功能,采用谷值導(dǎo)通模式來降低 MOSFET 開關(guān)損耗。

MP4057A 通過在待機(jī)模式下降低工作頻率來實(shí)現(xiàn)超低待機(jī)損耗(空載功耗一般為 30mW)。

MP4057 在電源引腳上集成了充電電路,可在無明顯延遲的情況下快速啟動。

基于來自 DIM 的信息,MP4057A 可以采用兩種工作模式運(yùn)行:恒定電流(CC)和恒定電壓(CV)。MP4057A 在恒定電壓模式下運(yùn)行時(shí),LED 可以關(guān)閉。在 CC 和 CV 過渡期間,LED 不閃爍,MCU/無線模塊的電壓不下降。

MP4057A 具有多種保護(hù)功能,大大提高了系統(tǒng)的穩(wěn)定性和安全性。這些保護(hù)功能包括過壓保護(hù)(OVP)、短路保護(hù)(SCP)、原邊過流保護(hù)(OCP)、輸入欠壓保護(hù)(BOP)、逐周期限流保護(hù)、欠壓鎖定保護(hù)(UVLO)和有自動重啟功能的過溫保護(hù)(OTP)。

MP4057A 采用 MSOP-10 和 SOIC14 封裝。

在啟動方面,最初,VDD 由內(nèi)部充電電路從 AC 線路充電。當(dāng) VDD 達(dá)到 VDDH 閾值時(shí),欠壓鎖定 (UVLO) 邏輯變?yōu)榈碗娖?,?nèi)部主 MOSFET 開始開關(guān)。 MP4057A 默認(rèn)在 CV 模式下啟動,直到 VCC 為 4.2V,VO 為 3.1V,這表示啟動序列結(jié)束。 UVLO 變低后,內(nèi)部充電電路關(guān)閉,芯片供電由 VDD 或 VCC 中較高的電壓接管。啟動后,MP4057A 根據(jù)來自 DIM 的信息選擇其操作模式。 如果 DIM 為邏輯低電平,則 MP4057A 以 CV 模式運(yùn)行。 否則,MP4057A 在 CC 模式下運(yùn)行。

在恒壓 (CV) 操作方面,在 CV 操作期間,VCC 由誤差補(bǔ)償放大器檢測。 VCC 被調(diào)節(jié)并負(fù)責(zé)VO 電源。 由于 VCC 繞組和 LED 繞組的匝數(shù)比關(guān)系,輸出 LED 不亮。 建議在 LED 輸出端增加一個(gè)虛擬負(fù)載,以確保 LED 電流為零。 為實(shí)現(xiàn) CV 待機(jī)模式下的超低輸入功率,內(nèi)部有智能調(diào)頻電路來優(yōu)化開關(guān)

頻率。 如果系統(tǒng)在空載條件下工作,由于最小導(dǎo)通時(shí)間限制,VCC 可能高于規(guī)定值。 COMP 電壓鉗位在 1.21V,最低工作頻率可降至 400Hz 左右。 在某些應(yīng)用中,在 VO 的負(fù)載階躍期間,特別是從空載到最大負(fù)載,VCC 可能會因電壓環(huán)路響應(yīng)緩慢而下降。 為了改善這一點(diǎn),采用高頻操作 (HFM) 來保證 VO 上沒有壓降。

在CC 模式 – PWM 調(diào)光方面, CC 操作期間,DIM 信息被發(fā)送到 CC 的誤差放大器。 反饋參考電壓根據(jù) DIM 信息按比例縮小。 因此,可以得到 LED 電流和 DIM 信號之間的線性關(guān)系。 為保證MCU/無線模塊的供電,最小反饋參考電壓鉗位在10mV,最大調(diào)光深度為5%。

在CC 模式 – 谷值開關(guān)模式操作方面,外部 MOSFET 導(dǎo)通時(shí)間 (tON) 期間,整流輸入電壓 (VBUS) 被施加到初級側(cè)電感器 (Lp),初級電流 (Ipri) 從零線性增加到峰值 (Ipk)。當(dāng)外部 MOSFET 關(guān)斷時(shí),電感中存儲的能量被轉(zhuǎn)移到次級側(cè),并打開次級側(cè)二極管為負(fù)載供電。次級電流 (Isec) 開始從峰值線性下降到零。當(dāng)次級電流降至零時(shí),初級側(cè)漏電感、磁化電感和所有寄生電容會降低 MOSFET 漏源電壓。這種減少也反映在輔助繞組上。在 CC 操作期間,MP4057A 會監(jiān)視 ZCD 是否在下一個(gè)開關(guān)周期之前兩次降至零。當(dāng) ZCD 電壓第二次低于 0.295V 時(shí),來自 ZCD 的零電流檢測器產(chǎn)生柵極導(dǎo)通信號。這實(shí)際上消除了開關(guān)導(dǎo)通損耗和二極管反向恢復(fù)損耗,確保高效率和低 EMI 噪聲。

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