突破硅光領(lǐng)域，普萊信發(fā)布亞微米級(jí)固晶機(jī)DA403

東莞普萊信智能發(fā)布亞微米級(jí)固晶機(jī)DA403，貼裝精度達(dá)到0.3μm@3σ，采用高精度光學(xué)多次校準(zhǔn)，適用于8英吋及以下晶圓級(jí)封裝，廣泛應(yīng)用于硅光、光器件、晶圓級(jí)封裝等亞微米級(jí)封裝領(lǐng)域。該設(shè)備打破國(guó)際廠商壟斷，實(shí)現(xiàn)亞微米級(jí)固晶設(shè)備的國(guó)產(chǎn)替代。

（亞微米級(jí)固晶機(jī)DA403）

硅光是一種基于硅光子學(xué)的低成本、高速的光通信技術(shù)，用激光束代替電子信號(hào)傳輸數(shù)據(jù)，是將光學(xué)與電子元件組合至一個(gè)獨(dú)立的微芯片中，以提升路由器和交換機(jī)線卡之間芯片與芯片之間的連接速度。硅光子技術(shù)是基于硅和硅基襯底材料（如SiGe/Si、SOI等），利用現(xiàn)有CMOS工藝進(jìn)行光器件開(kāi)發(fā)和集成的新一代技術(shù)，結(jié)合了集成電路技術(shù)的超大規(guī)模、超高精度制造的特性和光子技術(shù)超高速率、超低功耗的優(yōu)勢(shì)。在硅基底上利用蝕刻工藝可以快速加工大規(guī)模波導(dǎo)器件，利用外延生長(zhǎng)等加工工藝制備調(diào)制器、接收器等關(guān)鍵器件，最終實(shí)現(xiàn)將調(diào)制器、接收器以及無(wú)源光學(xué)器件等集成，具有集成度高、成本低及傳輸性能更優(yōu)的特點(diǎn)。硅光技術(shù)將是實(shí)現(xiàn)大規(guī)模光子集成的最有效方案，在光通訊技術(shù)史上，無(wú)疑是一場(chǎng)里程碑式的技術(shù)變革，也是應(yīng)對(duì)摩爾定律失效的顛覆性技術(shù)。

但是由于材料晶格匹配的原因，激光光源的III－V族材料還是很難與硅基材料混合集成制造。光子集成一般是需要將III－V族光源芯片采用共晶方式正裝或倒裝工藝與硅波導(dǎo)進(jìn)行無(wú)源耦合封裝，而硅波導(dǎo)的模場(chǎng)直徑非常小，需要較大功率的激光光源以非常高的精度，通常是1微米左右的精度進(jìn)行貼片，才能保證將光源高效耦合進(jìn)硅波導(dǎo)中，而晶圓級(jí)的封裝必須是要在亞微米級(jí)別的封裝，這對(duì)封裝設(shè)備提出了更高的要求。普萊信智能推出的DA403，是國(guó)內(nèi)唯一，全球極少數(shù)有能力將封裝精度做到亞微米級(jí)的產(chǎn)品，將為硅光技術(shù)在中國(guó)未來(lái)的發(fā)展打下堅(jiān)實(shí)的設(shè)備基礎(chǔ)。

據(jù)悉，普萊信成立于2017年，經(jīng)過(guò)4年的發(fā)展，已經(jīng)在多個(gè)領(lǐng)域打破國(guó)外技術(shù)壟斷，是國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體封裝設(shè)備領(lǐng)軍企業(yè)。目前為半導(dǎo)體封裝、光通信封裝、MiniLED巨量轉(zhuǎn)移、功率器件及第三代半導(dǎo)體封裝、先進(jìn)封裝等提供高端設(shè)備和智能化解決方案。在光通信封裝領(lǐng)域，普萊信已經(jīng)量產(chǎn)的高精密固晶機(jī)DA402，貼裝精度達(dá)到±3μm@3σ；普萊信的高精度無(wú)源耦合機(jī)，解決Lens貼裝有源耦合成本高、良率低等痛點(diǎn)，已獲得立訊、昂納、埃爾法等光通信行業(yè)客戶的認(rèn)可。在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，普萊信的8寸和12寸IC直線式超高速固晶機(jī)，覆蓋QFN、DFN、BGA、LGA、SiP等封裝形式，已獲得華天、甬矽、華潤(rùn)微等封測(cè)巨頭的認(rèn)可。在MiniLED巨量轉(zhuǎn)移領(lǐng)域，普萊信的超高速倒裝固晶設(shè)備XBonder，采用倒裝COB刺晶工藝，打破MiniLED產(chǎn)業(yè)的量產(chǎn)技術(shù)瓶頸。