易于使用的設(shè)計工具幫助工程師縮短基于氮化鎵的功率系統(tǒng)的上市時間

EPC公司宣布推出GaN Power Bench?設(shè)計工具，幫助工程師實現(xiàn)基于氮化鎵器件的設(shè)計的最高性能。eGaN® FET和IC具有快速開關(guān)、高效和小尺寸等優(yōu)勢，可滿足當今前沿應(yīng)用對功率密度的嚴格要求。GaN Power Bench工具可幫助設(shè)計工程師為各種應(yīng)用選擇最合適的氮化鎵器件、模擬和優(yōu)化設(shè)計的散熱性能，并提供應(yīng)用實例和相關(guān)文檔，從而可以快速、輕松地實現(xiàn)設(shè)計的理想性能。

GaN Power Bench工具包括：

用于降壓轉(zhuǎn)換器的GaN FET選型工具

用于降壓轉(zhuǎn)換器的GaN FET選型計算器是一個進一步改善了的產(chǎn)品選型工具，針對硬開關(guān)降壓轉(zhuǎn)換器的估計值和計算值。設(shè)計師輸入設(shè)計參數(shù)后，得出以功耗排序的可選器件，從而確定參數(shù)的權(quán)衡。這個選擇工具旨在找出最合適的GaN FET以滿足特定功率系統(tǒng)設(shè)計的要求。這個工具將進一步加入其他拓撲結(jié)構(gòu)。

GaN FET熱量計算器

GaN FET熱量計算器為PCB上的氮化鎵器件的熱性能參數(shù)快速提供估算值。氮化鎵器件既要通過強制對流進行板面冷卻，也要通過由散熱器和散熱片組成的熱解決方案進行背面冷卻。該熱量計算器的估算值考慮了PCB的結(jié)構(gòu)(尺寸、堆疊和通孔密度)、芯片尺寸、功耗、TIM材料和散熱器解決方案。

交叉參考搜索

交叉參考搜索提供許多硅基電源管理器件的交叉參考和GaN FET替代產(chǎn)品，便于比較參數(shù)差異而不需數(shù)據(jù)表就可以找出最合適的eGaN FET以提高設(shè)計效率。只需輸入競爭對手的產(chǎn)品型號，就可以找到推薦的替代硅器件的氮化鎵產(chǎn)品。

器件模型

宜普公司開發(fā)了三階器件模型列表，讓工程師能夠快速設(shè)計和構(gòu)建電路。每個器件的模型包括PSpice、LTSpice、TSpice、Spectre、Altium、3DStep和熱模型。

參考設(shè)計

宜普公司針對各種應(yīng)用包括DC/DC轉(zhuǎn)換、電機驅(qū)動、激光雷達和D類音頻提供不斷擴大的參考設(shè)計。 每個參考設(shè)計包括所有的相關(guān)文檔，從而可以快速和容易地復(fù)制最佳設(shè)計提示，實現(xiàn)理想的性能。

EPC公司全球現(xiàn)場應(yīng)用工程總監(jiān)Andrea Gorgerino說："相比硅器件，eGaN FET和IC讓采用任何功率轉(zhuǎn)換拓撲結(jié)構(gòu)的設(shè)計工程師在其設(shè)計實現(xiàn)顯著的性能提升。GaN Power Bench工具易于使用，使設(shè)計人員能夠輕松地實現(xiàn)氮化鎵設(shè)計的最高性能。"

宜普電源轉(zhuǎn)換公司是基于增強型氮化鎵(eGaN®)的功率管理器件的領(lǐng)先供貨商，氮化鎵(eGaN)場效應(yīng)晶體管及集成電路的性能比最好的硅功率MOSFET器件高出很多倍，其目標應(yīng)用包括直流- 直流轉(zhuǎn)換器、激光雷達(LiDAR)、用于電動運輸、機器人和無人機的電機驅(qū)動器，以及低成本衛(wèi)星等應(yīng)用。此外，宜普電源轉(zhuǎn)換公司繼續(xù)擴大基于eGaN IC的產(chǎn)品系列，為客戶提供進一步節(jié)省占板面積、節(jié)能及節(jié)省成本的解決方案。