ROHM(羅姆)2022年工業(yè)及汽車前沿新產(chǎn)品盤點(diǎn):電源管理IC及功率器件
面對(duì)環(huán)保、能源等社會(huì)問(wèn)題的日益嚴(yán)峻以及半導(dǎo)體電子產(chǎn)業(yè)的技術(shù)革新,ROHM(羅姆)專注功率、電源及模擬技術(shù),推出電源管理芯片、功率器件等重磅級(jí)產(chǎn)品,助力工業(yè)及汽車電子領(lǐng)域研發(fā)項(xiàng)目節(jié)能高效,大幅減少開發(fā)周期和風(fēng)險(xiǎn)。點(diǎn)擊文末鏈接或掃二維碼,可查看更多相關(guān)資料、申請(qǐng)免費(fèi)樣品等~
新產(chǎn)品介紹 :
SerDes IC系列:
· 用來(lái)傳輸影像的SerDes IC“BU18xMxx-C”:根據(jù)分辨率優(yōu)化傳輸速率,功耗可降低27%;通過(guò)傳輸速率優(yōu)化功能和展頻功能將EMI峰值降低20dB左右;凍結(jié)檢測(cè)功能可以檢測(cè)圖像的凍結(jié)狀態(tài),提高整個(gè)ADAS系統(tǒng)可靠性。
PMIC BD86852MUF-C:
· 用于攝像頭的PMIC(電源管理IC)“BD86852MUF-C”:僅通過(guò)單個(gè)IC即可進(jìn)行電壓設(shè)置和時(shí)序控制,安裝面積減少約41%;通過(guò)抑制發(fā)熱量,實(shí)現(xiàn)78.6%的高轉(zhuǎn)換效率,進(jìn)一步降低功耗。
Hybrid IGBT單管(RGWxx65C系列):
· 內(nèi)置SiC二極管,損耗比以往IGBT產(chǎn)品低67%,為普及中的車載電子設(shè)備和工業(yè)設(shè)備提供更高性價(jià)比
· 符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),可在車載和工業(yè)設(shè)備等嚴(yán)苛環(huán)境下使用
AC/DC 轉(zhuǎn)換器IC(BM2P06xMF-Z 系列):
· 內(nèi)置 730V 耐壓 MOSFET,表貼封裝、可支持高達(dá)45W的輸出功率,有助于降低工廠的安裝成本
· 采用了融入ROHM高耐壓工藝技術(shù)和模擬設(shè)計(jì)技術(shù)的控制電路,待機(jī)功耗比普通產(chǎn)品低90%以上
· 電源電路元器件數(shù)量減少4個(gè),功率半導(dǎo)體的故障風(fēng)險(xiǎn)更低,電源的可靠性更高
AC/DC轉(zhuǎn)換器IC(BM2SC12xFP2-LBZ):
· 內(nèi)置1700V SiC MOSFET、可支持高達(dá)48W 輸出功率的小型表貼封裝,有助于削減工廠的安裝成本
· 將散熱板和多達(dá)12個(gè)部件縮減為1個(gè),在小型化方面具有壓倒性優(yōu)勢(shì)
· 減少開發(fā)周期和風(fēng)險(xiǎn),內(nèi)置保護(hù)功能,可靠性顯著提高
· 搭載的SiC MOSFET 驅(qū)動(dòng)用柵極驅(qū)動(dòng)電路,激發(fā)SiC MOSFET 性能,節(jié)能效果顯著
BD8758xYx-C運(yùn)算放大器:
· 在4種國(guó)際抗擾度評(píng)估測(cè)試中均實(shí)現(xiàn)非常出色的抗干擾性能,可減輕降噪設(shè)計(jì)負(fù)擔(dān)
· 配備高精度仿真模型,可防止實(shí)際試制后返工
充電控制IC(BD71631QWZ):
· 支持需要低電壓充電的全固態(tài)和半固態(tài)電池等新型二次電池的充電,實(shí)現(xiàn)從2.0V到4.7V的寬充電電壓范圍
· 非常適合搭載薄型二次電池應(yīng)用的封裝尺寸,采用ROHM自有封裝技術(shù)的1.8mm×2.4mm×0.4mm薄小型封裝
· 可設(shè)置CCCV*2充電的各項(xiàng)充電特性(充電電流、終止電流等),為搭載新型二次電池的可穿戴設(shè)備和小而薄的物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備提供理想的充電環(huán)境
MOSFET(QH8Mx5/SH8Mx5系列):
· 實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低導(dǎo)通電阻,新工藝±40V耐壓產(chǎn)品Pch部分的導(dǎo)通電阻降低61%,Nch部分的導(dǎo)通電阻降低39%
· 雙極MOSFET,有助于實(shí)現(xiàn)設(shè)備的小型化和縮短設(shè)計(jì)周期