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[導讀]今天,小編將在這篇文章中為大家?guī)鞟DI智能功率級產品LTC7050的有關報道,通過閱讀這篇文章,大家可以對它具備清晰的認識,主要內容如下。

今天,小編將在這篇文章中為大家?guī)鞟DI智能功率級產品LTC7050的有關報道,通過閱讀這篇文章,大家可以對它具備清晰的認識,主要內容如下。

LTC7050是采用5mm × 8mm LQFN封裝的雙通道SilentMOS智能功率級,LTC7050雙通道單片式功率級在電氣和熱優(yōu)化封裝中完全集成了高速驅動器和低電阻半橋電源開關,以及全面的監(jiān)控和保護電路。借助合適的高頻控制器,該功率級可形成具有先進的效率和瞬態(tài)響應的緊湊型大電流電壓穩(wěn)壓器系統(tǒng)。

SilentMOS技術采用第二代Silent Switcher 2架構,可降低EMI和開關節(jié)點電壓過沖,同時較大限度地提高在高開關頻率下的效率。

高速電流檢測可提供低延遲開關電流信息,從而實現嚴格的電流平衡和即時過流保護。熱增強型封裝提供雙路40A額定連續(xù)輸出電流能力。

LTC7050智能功率級各引腳功能如下:

RUN1、RUN2:運行引腳。當此引腳被驅動為高電平時,啟用。當 RUN 為低電平時,SW 節(jié)點處于高阻態(tài)。

PWM1、PWM2:PWM 輸入引腳。 RUN 驅動為高電平時,SW 名義上將跟隨此引腳為高電平、低電平和高阻態(tài)。標稱 3V CMOS 邏輯電平;可以用 3V 至 5V CMOS 信號驅動。當處于高阻態(tài)時,電阻分壓器將電壓保持在 1.7V。

ISNS1、ISNS2:電流檢測引腳。該引腳提供/吸收等于 1/100,000 SW 節(jié)點電流的瞬時電流,正負。

FLTB1、FLTB2:故障條引腳。當芯片/通道遇到 OC 或 OCN 等故障條件時,該開漏引腳會拉低。

TMON/FLT:溫度監(jiān)控器/故障引腳。該引腳提供 0.6V 至 1.8V 的電壓(以 SGND 為參考),對應于 0°C 至 150°C 的芯片溫度,增益為 8mV/°C。高于 150°C,引腳被拉高以指示過熱 (OT) 故障。該引腳具有有限的電流吸收能力,因此可以將多個類似的引腳連接在一起以實現最高溫度和單次 OT 故障報告。

TDIO:溫度二極管引腳。 該引腳為 SGND 提供參考二極管,用于測量芯片溫度。

PVCC:5V 驅動器電源。該引腳直接為低壓側柵極驅動器供電,并通過一個在 SW 上的內部自舉電源為高壓側柵極驅動器供電。 使用 10μF 陶瓷電容將此引腳旁路至靠近芯片的 PGND。

VCC:5V 電源。 使用 1μF 陶瓷電容將該引腳旁路至靠近芯片的 SGND。

VIN:功率級電源。 該引腳通過高端 N 溝道 FET 連接到 SW。

SW1、SW2:功率級開關節(jié)點。功率級的輸出,該節(jié)點通過高端 N 溝道 FET 連接到 VIN,并通過低端 N 溝道 FET 連接到 PGND。

PGND:功率級接地。 該引腳通過低側 N 溝道 FET 連接到 SW。 還為驅動程序供電。

SGND:電路接地。

在正常操作中,PWMHI 開啟高端 FET,而 PWMLO 開啟低端 FET。 SW 節(jié)點以典型的 10ns 延遲跟隨 PWM 引腳。 在 SW 從 PGND 上升到 VIN 之前有 <1ns 的死區(qū)時間,在 SW 下降之后有一個典型的 3ns 死區(qū)時間。 高端 FET 驅動器通過內部集成開關和電容器從內部 BST 節(jié)點到 SW 供電,與典型二極管相比可實現更低的壓降以及更高頻率的操作。

實時電流檢測放大器提供按比例縮小的 SW 電流版本。在 PWMHI 或 PWMLO 期間,ISNS 引腳根據 SW 電流方向提供或吸收等于瞬時 SW 電流的 1/100,000 的電流。 相關的電流比較器標記高側 FET 正過流 (OC) 和低側 FET 負過流 (OCN) 情況。 兩個 FET 的零電流也由相關的電流比較器檢測。

TMON 由一個可以提供電流但吸收能力有限的放大器驅動。 這允許多個 TMON 引腳并聯,并報告最高溫度。過熱在 150°C(典型值)時觸發(fā),并導致 TMON 引腳被拉高至 VCC。 一旦內部溫度降至閾值以下 20°C(典型值),過熱故障將被清除。 TDIO 引腳在內部連接到 P/N 結二極管的陽極,而陰極連接到 SGND。 它為 LTC3884-1 等控制器提供了另一種管芯溫度測量方法,以使用直接 VBE 方法或 ΔVBE 方法測量管芯溫度

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