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~非常有助于降低工業(yè)設(shè)備和白色家電的功耗~

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)的600V耐壓超級(jí)結(jié) MOSFET“PrestoMOS”產(chǎn)品陣容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款機(jī)型,新產(chǎn)品非常適用于電動(dòng)汽車充電樁、服務(wù)器、基站等需要大功率的工業(yè)設(shè)備的電源電路、以及空調(diào)等因節(jié)能趨勢(shì)而采用變頻技術(shù)的白色家電的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。

近年來,隨著全球電力消耗量的增加,如何有效利用電力已成為亟待解決的課題,在這種背景下,電動(dòng)汽車充電樁、服務(wù)器和基站等工業(yè)設(shè)備以及空調(diào)等白色家電的效率不斷提升,因此也就要求其中所用的功率半導(dǎo)體進(jìn)一步降低功率損耗。針對(duì)這種需求,ROHM對(duì)以往的PrestoMOS產(chǎn)品進(jìn)行了改進(jìn),開發(fā)出具有比同等普通產(chǎn)品更低的導(dǎo)通電阻、有助于進(jìn)一步降低應(yīng)用產(chǎn)品功耗的新產(chǎn)品。

此次開發(fā)的新系列產(chǎn)品采用ROHM的新工藝實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超快的反向恢復(fù)時(shí)間(trr*1),同時(shí),與反向恢復(fù)時(shí)間存在此消彼長關(guān)系的導(dǎo)通電阻*2最多也可以比同等的普通產(chǎn)品低20%。在反向恢復(fù)時(shí)間方面,繼承了PrestoMOS系列產(chǎn)品已經(jīng)實(shí)現(xiàn)的105ns(納秒)業(yè)界超快(與TO-220FM同等封裝產(chǎn)品相比)反向恢復(fù)時(shí)間,而且開關(guān)時(shí)的功率損耗比同等普通產(chǎn)品低約17%。基于這兩大特點(diǎn),與同等的通用產(chǎn)品相比,新系列可大大提高應(yīng)用產(chǎn)品的效率。

除了上述系列之外,作為標(biāo)準(zhǔn)型600V耐壓超級(jí)結(jié) MOSFET,ROHM還開發(fā)了具有更低導(dǎo)通電阻的“R60xxYNx系列”,此次又新增了兩款機(jī)型??蛻艨梢愿鶕?jù)應(yīng)用需求選擇合適的產(chǎn)品群。

新產(chǎn)品已于2022年1月開始暫以月產(chǎn)10萬個(gè)(樣品價(jià)格900日元/個(gè),不含稅)的規(guī)模投入量產(chǎn)。另外,也已開始通過電商銷售,從Ameya360、Sekorm等電商平臺(tái)均可購買。今后,ROHM將繼續(xù)開發(fā)抗噪性能更出色的新系列產(chǎn)品,不斷擴(kuò)大超級(jí)結(jié) MOSFET系列產(chǎn)品的陣容,通過降低各種應(yīng)用產(chǎn)品的功耗助力解決環(huán)境保護(hù)等社會(huì)問題。

<新產(chǎn)品特點(diǎn)>

1.實(shí)現(xiàn)業(yè)界超快的反向恢復(fù)時(shí)間,同時(shí)實(shí)現(xiàn)業(yè)界超低的導(dǎo)通電阻

PrestoMOS“R60xxVNx系列”通過采用ROHM新工藝降低了單位面積的導(dǎo)通電阻。由于與反向恢復(fù)時(shí)間之間存在權(quán)衡關(guān)系而很難同時(shí)兼顧的導(dǎo)通電阻,與同等普通產(chǎn)品相比,最多可減少20%(與TO-220FM同等封裝產(chǎn)品相比),有助于進(jìn)一步降低各種應(yīng)用產(chǎn)品的功耗。

2. 具有業(yè)界超快的反向恢復(fù)時(shí)間,開關(guān)損耗更低

通常,當(dāng)工藝向更微細(xì)的方向發(fā)展時(shí),導(dǎo)通電阻等基本性能會(huì)得到改善,但與之存在此消彼長關(guān)系的反向恢復(fù)時(shí)間會(huì)變差。而ROHM的PrestoMOS“R60xxVNx系列”采用自有的速度提升技術(shù),實(shí)現(xiàn)了比同等普通產(chǎn)品更低的導(dǎo)通電阻的同時(shí),還實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超快的105ns(納秒)反向恢復(fù)時(shí)間(與TO-220FM同等封裝產(chǎn)品比較)。由于抑制了額外的電流量,因此與同等的普通產(chǎn)品相比,開關(guān)過程中的功率損耗可以降低約17%。相比之下,包括“R60xxYNx系列”在內(nèi)的標(biāo)準(zhǔn)型且相同導(dǎo)通電阻產(chǎn)品的反向恢復(fù)時(shí)間約300~400ns(納秒)。

由于上述兩大特點(diǎn),在搭載了追求高效率的同步整流升壓電路*3的評(píng)估板上,與導(dǎo)通電阻60mΩ級(jí)的產(chǎn)品進(jìn)行比較時(shí),“R60xxVNx系列”表現(xiàn)出比同等普通產(chǎn)品更出色的效率,非常有助于降低光伏逆變器和不間斷電源(UPS)等應(yīng)用的功耗。

<產(chǎn)品陣容>

R60xxVNx系列(PrestoMOS型)

R60xxYNx系列(標(biāo)準(zhǔn)型)

<應(yīng)用示例>

■電動(dòng)汽車充電樁、服務(wù)器、基站、光伏逆變器(功率調(diào)節(jié)器)、不間斷電源(UPS)等

■空調(diào)等白色家電

■其他各種設(shè)備的電機(jī)驅(qū)動(dòng)和電源電路等

<什么是PrestoMOS?>

Presto意為“非??臁保窃从谝獯罄Z的音樂術(shù)語。

PrestoMOS是采用了ROHM自有的Lifetime控制技術(shù)、并以業(yè)界超快的反向恢復(fù)時(shí)間(trr)著稱的功率MOSFET。

?PrestoMOS是ROHM Co., Ltd.的商標(biāo)。

<術(shù)語解說>

*1) trr:反向恢復(fù)時(shí)間(Reverse Recovery Time)

內(nèi)置的二極管從導(dǎo)通狀態(tài)到完全關(guān)斷狀態(tài)所需的時(shí)間。該值越低,開關(guān)時(shí)的損耗越小。

*2) 導(dǎo)通電阻

MOSFET導(dǎo)通時(shí)漏極和源極之間的電阻值。該值越小,導(dǎo)通時(shí)的損耗(功率損耗)越少。

*3) 同步整流升壓電路

通常,在由MOSFET和二極管組成的升壓電路中,用來將二極管改為MOSFET以提升效率的電路。由于MOSFET導(dǎo)通電阻帶來的損耗要小于二極管VF帶來的功率損耗,因此這種電路的效率更高。

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