美國擬擴大半導體設備禁令，涉及中芯、華虹、長江存儲

據(jù)外媒報道，近日有兩位知情人士透露，美國商務部正在考慮禁止美國公司向中國公司出售先進的芯片制造設備。

該報道稱，這項新禁令將在現(xiàn)有禁令的基礎上，擴大美國公司向中國芯片制造商中芯國際等公司出售半導體設備的限制。這將進一步影響華虹、長鑫存儲和長江存儲在內(nèi)的中國芯片制造公司。該報道指出，這項新禁令處于早期考慮階段，可能需要幾個月時間來起草。

半導體設備是芯片制造的必備設備，沒有這些精密的設備，芯片根本無法制造出來。

但目前全球半導體設備市場呈現(xiàn)寡頭壟斷格局，龍頭企業(yè)以美國、日本和歐洲公司為主，前五大企業(yè)市占率超過65%，包括美企應用材料、荷蘭企ASML、美企泛林、日企東京電子、美企科磊。

在晶圓制造設備中，光刻、刻蝕、薄膜生長設備占比最高，合計市場占比超過70%，這三類設備也是集成電路制造的主設備；工藝過程量測設備是質(zhì)量監(jiān)測的關鍵設備，占比可達13%；其他設備占比相對較小。

各個細分領域的市場格局也不一樣，光刻機市場基本被阿斯麥公司壟斷；刻蝕和薄膜生長市場主要被應用材料、泛林半導體和東京電子三家寡頭占據(jù)；離子注入由應用材料和亞舍利占據(jù)大部分份額；科磊半導體則占據(jù)量測設備半壁江山；測試設備則有泰瑞達、愛德萬和科休等寡頭。

好在，目前，幾乎所有領域均有國內(nèi)企業(yè)在尋求突破。

例如，在卡脖子的首要設備光刻機方面，可關注上海微電子，其90nm DUV光刻機通過驗收，45nm、28nm光刻機等在研發(fā)過程中。其45nm DUV光刻機和28nm DUV光刻機在技術層面上沒有本質(zhì)差異，如有突破未來會有較大替代空間。

另一重要的設備——刻蝕設備有望成為我國率先打破壟斷的主設備，我國刻蝕設備廠商中微公司和北方華創(chuàng)在全球分別占約1.4%和0.9%的市場份額。

北方華創(chuàng)有8英寸和12英寸ICP刻蝕設備，應用領域覆蓋IC、功率的前道，以及先進封裝等。部分產(chǎn)品技術達到一流水平，12寸ICP刻蝕機已經(jīng)在長江存儲等客戶通過驗證，并批量供貨。

中微公司刻蝕設備國內(nèi)領先，以12寸前道設備為主。該公司以CCP技術起步，后擴充到ICP刻蝕，目前CCP和ICP刻蝕機均有產(chǎn)品達到世界先進水平。該公司除大陸客戶外，還在努力穩(wěn)固在臺積電和聯(lián)電的供應商地位，有望伴隨臺積電的先進制程發(fā)展。

同樣重要的薄膜沉積設備方面，有北方華創(chuàng)和拓荊科技。

北方華創(chuàng)在沉積領域PVD技術最強，可實現(xiàn)對應用材料設備的部分替代，產(chǎn)品批量供應一線廠商。CVD領域擁有LPCVD、APCVD等技術，主要是8英寸以下設備。ALD設備也有開發(fā)，并實現(xiàn)少量供貨。

拓荊科技以CVD技術為主，其中PECVD開發(fā)較早也較為成熟，可實現(xiàn)對國外廠商的部分替代，產(chǎn)品進入中芯國際、華虹、長江存儲等一線廠商。SACVD和ALD機臺已經(jīng)開發(fā)出并少量供貨。

封裝測試設備方面，有華峰測控、長川科技、精測電子等公司。華峰測控是國內(nèi)測試機領先企業(yè)，擅長模擬、數(shù)模混合和功率半導體等的測試設備，在國內(nèi)封測廠份額國內(nèi)領先。長川科技則是國內(nèi)分選機領先企業(yè)，主要產(chǎn)品包括分選機和數(shù)?；旌蠝y試機，產(chǎn)品進入國內(nèi)三大封測廠、士蘭微等，也有部分臺灣地區(qū)客戶。精測電子旗下武漢精鴻電子研制存儲器測試機，目前在長江存儲有中標設備。

整體來看，國產(chǎn)設備的空白正在被逐漸填補，但與國外龍頭企業(yè)的技術還存在差距。但假以時日，國內(nèi)企業(yè)不斷追趕，差距必將縮小。

在美國制裁之下，國內(nèi)晶圓廠購買國外設備的成本以及不確定性增加，眾多晶圓廠愿意優(yōu)先考慮和驗證國產(chǎn)設備，這在過去是不可想象的，國產(chǎn)設備廠商迎來前所未有的重大發(fā)展契機。