西部數(shù)據(jù)宣布BiCS NAND閃存堆疊層數(shù)達到162層,今年量產(chǎn)

西部數(shù)據(jù)宣布，與鎧俠聯(lián)合開發(fā)的BiCS NAND閃存將進入第六代，堆疊層數(shù)達到162層，今年即投入量產(chǎn)。

目前的3D NAND閃存已經(jīng)紛紛堆到176層，美光日前更是宣布全球首個達到232層。

但是西數(shù)指出，自家的162層閃存單元尺寸更小，只有68平方毫米，小于競品的69.6平方毫米或69.3平方毫米，因此存儲密度更高，可以提供和競品相同的單芯片容量。

西數(shù)表示，BiCS6 162層堆疊下，一塊晶圓就可以做到100TB容量，而目前只有大約70TB。

性能方面，西數(shù)宣稱自己擁有最好的電荷捕獲(Charge Trap)型單元，性能可達60MB/s，比對手快了一半。

西數(shù)還預(yù)告了下下一代BiCS+閃存，堆疊超過200層，預(yù)計可帶來60%的傳輸速度提升、15%的編程帶寬提升、55%的晶圓容量提升，然后繼續(xù)一路堆疊，2032年左右將超過500層!

另外，西數(shù)在PPT上海列出了PLC閃存，但沒有任何細(xì)節(jié)消息。