意法半導(dǎo)體推出全新MDmesh MOSFET，提高功率密度和能效

時(shí)間：2022-05-18 17:48:49

關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 MOSFET 數(shù)據(jù)中心

手機(jī)看文章

掃描二維碼
隨時(shí)隨地手機(jī)看文章

[導(dǎo)讀]2022 年 5 月 18日，中國(guó) – 意法半導(dǎo)體的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結(jié)多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、5G基礎(chǔ)設(shè)施、平板電視機(jī)的開關(guān)式電源 (SMPS)。

2022 年 5 月 18日，中國(guó) – 意法半導(dǎo)體的 STPOWER MDmesh M9和DM9硅基N溝道超結(jié)多漏極功率MOSFET晶體管非常適用于設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、5G基礎(chǔ)設(shè)施、平板電視機(jī)的開關(guān)式電源 (SMPS)。

首批上市的兩款器件是650V STP65N045M9和600V STP60N043DM9。兩款產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻(RDS(on))都非常低，可以極大程度提高功率密度，并有助于縮減系統(tǒng)尺寸。兩款產(chǎn)品的最大導(dǎo)通電阻(RDS(on)max)都處于同類領(lǐng)先水平，STP65N045M9 為 45mΩ，STP60N043DM9 為 43mΩ。由于柵極電荷 (Qg)非常低，在 400V 漏極電壓時(shí)通常為 80nC，兩款器件都具有目前市場(chǎng)上一流的 RDS(on)max x Qg品質(zhì)因數(shù) (FoM)。

STP65N045M9 的柵極閾壓 (VGS(th))典型值為 3.7V，STP60N043DM9 的典型值為 4.0V，與上一代的MDmesh M5 和 M6/DM6 相比，可極大程度地降低通斷開關(guān)損耗。MDmesh M9 和 DM9 系列的反向恢復(fù)電荷(Qrr)和反向恢復(fù)時(shí)間 (trr) 也都非常低，這有助于進(jìn)一步提高能效和開關(guān)性能。

意法半導(dǎo)體最新的高壓 MDmesh 技術(shù)的另一個(gè)特點(diǎn)是增加了一道鉑擴(kuò)散工藝，確保本征體二極管開關(guān)速度快。該二極管恢復(fù)斜率(dv/dt) 峰值高于早期工藝。MDmesh DM9全系產(chǎn)品具有非常高的魯棒性，在 400V電壓時(shí)可耐受高達(dá) 120V/ns 的dv/dt斜率。

意法半導(dǎo)體的新 MDmesh M9 和 DM9 產(chǎn)品STP65N045M9和STP60N043DM9 均采用 TO-220 功率封裝，現(xiàn)已投產(chǎn)，2022 年第二季度末代理商開始鋪貨銷售。2022 年底前還將增加標(biāo)準(zhǔn)的貼裝和通孔封裝。