啟方半導(dǎo)體發(fā)布用于低功耗電源管理芯片的0.18微米非外延BCD工藝

（全球TMT2022年6月9日訊）韓國(guó)唯一一家純晶圓代工公司啟方半導(dǎo)體(Key Foundry)宣布，將發(fā)布用于低功耗PMIC的0.18微米30V非外延BCD工藝。BCD是一種將雙極晶體管(Bipolar)、互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)和用于高壓處理的雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(DMOS)集成在同一個(gè)芯片上的工藝技術(shù)。與啟方半導(dǎo)體現(xiàn)有帶EPI外延層的BCD工藝相比，這個(gè)新的0.18微米30V非EPI BCD工藝盡管去除了EPI外延層，但仍保持了同等性能。這個(gè)新工藝非常適合于與普通半導(dǎo)體相比需要更高電壓，更高可靠性 和更高效率的功率半導(dǎo)體應(yīng)用。能夠適用于低功耗電源管理如智能手機(jī)和智能手表應(yīng)用的 DC-DC 和充電芯片的生產(chǎn)。

這種新工藝比導(dǎo)通電阻(Rsp)性能與0.18微米EPI BCD工藝相比保持不變。啟方半導(dǎo)體可提供5V至30V之間的各種功率器件選擇。由于該工藝不需要EPI制程，因此提高了工藝效率，通過(guò)為5V電源模塊提供5V LDMOS晶體管，實(shí)現(xiàn)了高效設(shè)計(jì)。特別值得一提的是，這個(gè)新的非EPI BCD工藝的邏輯器件保持了和現(xiàn)有EPI BCD工藝邏輯器件非常接近的電性能，同時(shí)其數(shù)據(jù)庫(kù)（libraries） & IP和目前大規(guī)模量產(chǎn)的工藝相兼容。為了提高使用者的便利性，新工藝還提供了MTP（多次編程）和OTP（一次性編程）IP，而不需要任何額外的工藝步驟。得益于這些優(yōu)點(diǎn)，該工藝適用于需要存儲(chǔ)功能的功率半導(dǎo)體，也可以用于其它多種類型的應(yīng)用，如移動(dòng)直流-直流IC和充電器IC。