GaN Systems HD半橋雙極驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)評(píng)估板在貿(mào)澤開(kāi)售

2022年6月14日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics, Inc.) 即日起開(kāi)始分銷(xiāo)GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半橋雙極驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)評(píng)估板。這種緊湊的氮化鎵 (GaN) 增強(qiáng)模式 (e-mode) 半橋評(píng)估板性能優(yōu)異，同時(shí)減少了組件總數(shù)，節(jié)省了寶貴的電路板空間。

貿(mào)澤電子分銷(xiāo)的GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有兩個(gè)HEY1011-L12C GaN FET驅(qū)動(dòng)器和兩個(gè)半橋配置的650 V、60 A GaN增強(qiáng)模式晶體管。HEY1011是一款隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器，專(zhuān)為驅(qū)動(dòng)具有快速傳播延遲和高峰值拉/灌能力的GaN FET進(jìn)行了優(yōu)化，適用于需要隔離、電平移位或接地隔離以實(shí)現(xiàn)抗噪性的高頻應(yīng)用。由于HEY1011驅(qū)動(dòng)器不需要二次側(cè)電源或自舉組件，因此釋放了寶貴的板空間，使設(shè)計(jì)更具成本效益。

為了幫助緩解柵漏電容電流的影響，GS-EVB-HB-0650603B-HD采用了雙極柵驅(qū)動(dòng)裝置。該板可以執(zhí)行雙脈沖測(cè)試或?qū)霕蜻B接到現(xiàn)有LC電源段。雙脈沖測(cè)試可用于安全地評(píng)估硬開(kāi)關(guān)條件下電源開(kāi)關(guān)的特性。

GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD半橋雙極驅(qū)動(dòng)開(kāi)關(guān)評(píng)估板適合用于開(kāi)發(fā)大功率無(wú)線充電器、工業(yè)逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)/VFD、數(shù)據(jù)中心、住宅儲(chǔ)能系統(tǒng)以及其他電力電子應(yīng)用。