曝長(zhǎng)江存儲(chǔ)跳過192層閃存 直接切入232層

2016年成立的長(zhǎng)江存儲(chǔ)，于2017年通過自主研發(fā)和國(guó)際合作的方式，設(shè)計(jì)制造了首款3D NAND閃存。2019年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)晶棧 Xtacking架構(gòu)的第二代3D TLC閃存量產(chǎn)，2020年，第三代TLC/QLC研發(fā)成功，推進(jìn)到128層3D堆疊。

在閃存領(lǐng)域，通常將堆疊層數(shù)視作技術(shù)先進(jìn)程度的指標(biāo)。

DT報(bào)道稱，業(yè)內(nèi)人士給出消息稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃跳過192層，直接切入232層閃存生產(chǎn)。

這是什么概念?

根據(jù)此前韓國(guó)研究機(jī)構(gòu)OERI的一份報(bào)告，其表示中韓閃存技術(shù)差距目前已經(jīng)縮短至兩年，理由是三星和SK海力士明年初會(huì)量產(chǎn)超200層閃存，長(zhǎng)江存儲(chǔ)則要到2024年，現(xiàn)在來看，它們低估了長(zhǎng)江存儲(chǔ)的技術(shù)儲(chǔ)備。

另外，此前傳出長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望打入蘋果供應(yīng)鏈，為iPhone等產(chǎn)品供貨閃存的說法，倘若最終實(shí)現(xiàn)，那么無疑將有著打破產(chǎn)業(yè)格局的動(dòng)能。