臺(tái)積電2nm工藝提升有限：僅提升10%

前幾天的技術(shù)論壇上，全球第一大晶圓代工廠臺(tái)積電公布了芯片工藝路線圖，其中3nm工藝就有5種之多，2025年將推出2nm工藝，用上GAA晶體管技術(shù)。

根據(jù)臺(tái)積電的說(shuō)法，相比3nm工藝，在相同功耗下，2nm速度快10~15%;相同速度下，功耗降低25~30%。

雖然這些指標(biāo)看著不錯(cuò)，但是2nm工藝的密度提升擠牙膏了，僅提升了10%，遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到摩爾定律密度翻倍的要求，比之前臺(tái)積電新工藝至少70%的密度提升也差遠(yuǎn)了。

2nm工藝的難度顯然成了一個(gè)挑戰(zhàn)，這讓臺(tái)積電未來(lái)的密度提升越來(lái)越難，不過(guò)對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手來(lái)說(shuō)，臺(tái)積電這次的擠牙膏讓他們竊喜，有了追趕的機(jī)會(huì)。

不僅Intel的20A/18A工藝會(huì)在2024-2025年對(duì)臺(tái)積電2nm帶來(lái)壓力，更大的麻煩還有三星，三星使用GAA晶體管比臺(tái)積電還要激進(jìn)，3nm工藝上就會(huì)使用。

根據(jù)三星的計(jì)劃，3nm GAA工藝預(yù)計(jì)會(huì)在6月份就試驗(yàn)性量產(chǎn)，相比5nm工藝，該工藝的性能提升15%，功耗降低30%，芯片面積減少35%。

三星也將2nm GAA工藝的量產(chǎn)時(shí)間定在2025年，跟臺(tái)積電差不多同步，這也是三星近年來(lái)首次的新工藝量產(chǎn)上追上臺(tái)積電，此前都要慢上1-2年，導(dǎo)致缺乏競(jìng)爭(zhēng)力。