[導讀] （全球TMT2022年6月30日訊）三安集成憑借成熟的GaAs HBT/p-HEMT工藝平臺，是目前國內(nèi)唯一一家有能力量產(chǎn)WiFi 6E芯片的企業(yè)。目前，三安集成已與國內(nèi)頭部射頻企業(yè)達成深度合作，實現(xiàn)多款WiFi 6E前端模塊的量產(chǎn)，產(chǎn)品覆蓋18.5-23.5dBm中高功率等級...
（全球TMT2022年6月30日訊）三安集成憑借成熟的GaAs HBT/p-HEMT工藝平臺，是目前國內(nèi)唯一一家有能力量產(chǎn)WiFi 6E芯片的企業(yè)。目前，三安集成已與國內(nèi)頭部射頻企業(yè)達成深度合作，實現(xiàn)多款WiFi 6E前端模塊的量產(chǎn)，產(chǎn)品覆蓋18.5-23.5dBm中高功率等級，具備優(yōu)越的TX端線性功率和極限1.5dBm的RX端NF值?？蛻舳水a(chǎn)品已經(jīng)成功打入國際市場，雙方也正在針對下一代WiFi產(chǎn)品展開新一輪合作。
三安集成的GaAs HBT/p-HEMT出貨量在國內(nèi)一直保持領先；去年8月，三安集成的濾波器產(chǎn)品也進入了全球主流射頻前端平臺。三安集成成熟的制造管理和可靠的產(chǎn)能保證是幫助客戶快速搶占市場的利器。繼承母公司三安光電二十年化合物半導體制造管理經(jīng)驗，三安集成發(fā)展了成熟全面的砷化鎵HBT/p-HEMT工藝型譜，支持客戶在復雜通信場景下的不同應用需求。三安集成面向未來市場，積極投入產(chǎn)能，在泉州南安芯谷園區(qū)建設了2,300畝的制造基地，規(guī)劃了20,000片6寸砷化鎵晶圓和256Mu顆雙工器的月產(chǎn)能，為客戶產(chǎn)品落地和快速迭代提供可靠支持。
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