傳Intel正式購得美國俄州新晶圓廠所需土地,約200億美元

在Intel去年推出的IDM 2.0戰(zhàn)略中，在美國本土投資200億美元建設2座先進工藝晶圓廠是非常關鍵的一環(huán)，前幾天傳出了跳票的消息，因為美國官方的520億美元芯片補貼法案還沒通過，不過現(xiàn)在消息稱Intel已經得到了補貼，新工廠已經開工了。

據(jù)digitimes報道，日前傳出Intel出正式購得美國俄亥俄州新晶圓廠所需的土地，這項投資金額高達200億美元。

雖然工廠開工了，但是Intel的晶圓廠還有很多問題，美國政府補助將決定建廠規(guī)模，此前Intel表示由于政府520億美元規(guī)模的芯片法案陷入停滯，他們不得不推遲或者削減在俄亥俄州的投資規(guī)模，甚至威脅去歐洲建廠。

根據(jù)Intel之前的信息，新建的兩座晶圓廠分別會命名為Fab 52、Fab 62，并首次透露這些工廠將會在2024年量產20A工藝，這是Intel面向未來的CPU工藝，首次進入后納米時代，首發(fā)埃米級工藝，其中的A就代表埃米。

雖然工藝細節(jié)還沒公布，不過20A相當于友商的2nm工藝，還會有2大黑科技——Ribbon FET及PowerVia。

根據(jù)Intel所說，RibbonFET是Intel對Gate All Around晶體管的實現(xiàn)，它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個全新晶體管架構。該技術加快了晶體管開關速度，同時實現(xiàn)與多鰭結構相同的驅動電流，但占用的空間更小。

PowerVia是Intel獨有的、業(yè)界首個背面電能傳輸網絡，通過消除晶圓正面供電布線需求來優(yōu)化信號傳輸。