ATP專為行車記錄儀、DVR打造的新型高耐久性低延遲SD/microSD卡可連續(xù)錄制10.9萬(wàn)多小時(shí)視頻

臺(tái)灣臺(tái)北, July 14, 2022 (GLOBE NEWSWIRE) -- 特種存儲(chǔ)和內(nèi)存解決方案領(lǐng)域的全球領(lǐng)先企業(yè)ATP Electronics推出新的3D三層單元(TLC)S750/S650系列SD和microSD內(nèi)存卡，它們專為最苛刻的不間斷視頻錄制要求而打造。這些內(nèi)存卡能滿足行車記錄儀、數(shù)字視頻錄像機(jī)(DVR)、監(jiān)控系統(tǒng)、自動(dòng)駕駛汽車和其他密集寫入應(yīng)用的高耐久性、低延遲和持久數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的需求。

高耐久性(超過(guò)10.9萬(wàn)小時(shí)1的錄制時(shí)間)，采用原生TLC模式

視頻證據(jù)在許多場(chǎng)景中都被證明極為重要;因此，SD/microSD卡要能不間斷錄制，并且不能影響圖像的質(zhì)量和完整性，這是非常重要的。S650系列可以連續(xù)錄制長(zhǎng)達(dá)109401小時(shí)的全高清視頻，遠(yuǎn)長(zhǎng)于被宣稱為“高耐久性”的同類卡。S650系列基于5K編程/擦除(P/E)周期，意味著比起典型3K P/E周期的內(nèi)存卡，其耐久性高1.6倍。配置為偽單層單元(pSLC)的S750系列基于60K P/E周期，而典型pSLC內(nèi)存卡額定為約20K至30K P/E周期。

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注釋：

1 在無(wú)其他影響因素的最佳/理想情況下，使用128 GB ATP S650 TLC卡，基于13 Mbps(高清錄制的最低比特率)進(jìn)行的測(cè)試。

2 由ATP從公開(kāi)數(shù)據(jù)中獲得的信息。

為了錄制新數(shù)據(jù)，舊數(shù)據(jù)將在卡滿時(shí)被覆蓋。

1Mbps=100萬(wàn)bps

低延遲：錄制就緒時(shí)間<1秒，寫速度快50%

上電后，行車記錄儀要等幾秒鐘讓錄制就緒。主機(jī)發(fā)出的第一個(gè)讀命令與第一個(gè)寫命令之間的時(shí)間稱為“響應(yīng)時(shí)間”。根據(jù)室溫下DVR上的真實(shí)測(cè)試，ATP S650和S750系列卡的響應(yīng)時(shí)間少于1秒，而常規(guī)卡可能需要7至12秒。

在連續(xù)錄制16 MB數(shù)據(jù)時(shí)，ATP S650卡所花時(shí)間不到0.1秒，比消費(fèi)級(jí)卡節(jié)約50%的寫時(shí)間，并支持高速備份，不會(huì)丟失數(shù)據(jù)。

自有硬件/固件設(shè)計(jì)特性提供精確的可靠性

作為一家真正的制造商，ATP擁有自己的硬件/固件能力，可以按各種用途調(diào)整，滿足客戶特定的應(yīng)用要求和條件。ATP根據(jù)客戶的應(yīng)用，通過(guò)獨(dú)特的固件和硬件設(shè)計(jì)盡力滿足客戶的要求。

自動(dòng)讀校準(zhǔn)(ARC)。隨著時(shí)間的推移和持續(xù)的使用，NAND閃存單元將退化，導(dǎo)致電壓漂移，從而增加誤碼率(BER)。當(dāng)正常的讀取重試功能不足以修復(fù)錯(cuò)誤時(shí)，更精確的“自動(dòng)讀取校準(zhǔn)”(ARC)功能就被用來(lái)在極端溫度或NAND單元退化的條件下確保數(shù)據(jù)完整性。

ATP的高級(jí)卡分析方法。 ATP內(nèi)存卡通過(guò)IP67/IP57認(rèn)證，使用系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)晶圓/裸片工藝制造，與表面貼裝技術(shù)(SMT)工藝相比，很難進(jìn)行組件分析。ATP獨(dú)特設(shè)計(jì)的基板和調(diào)試工具使這項(xiàng)任務(wù)“成為可能”。

ATP開(kāi)發(fā)的硬件設(shè)計(jì)——基板擁有預(yù)留測(cè)試引腳，可用于以后的組件分析。

通過(guò)激光除去焊料掩?！ズ噶涎谀＞_有效的方法，可以觸達(dá)基板上的預(yù)留測(cè)試引腳。

ATP自有的定制調(diào)試工具——連接到硬件預(yù)留測(cè)試引腳，然后鏈接到軟件分析系統(tǒng)。