SK海力士成功研發(fā)全球最高層238層4D NAND閃存

（全球TMT2022年8月3日訊）SK海力士于8月3日宣布成功研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層NAND閃存。SK海力士向客戶發(fā)送了238層 512Gb TLC(Triple Level Cell) 4D NAND閃存的樣品，并計(jì)劃在2023年上半年正式投入量產(chǎn)。

SK海力士在2018年研發(fā)的96層NAND閃存就超越了傳統(tǒng)的3D方式，并導(dǎo)入了4D方式。為成功研發(fā)4D架構(gòu)的芯片，公司采用了電荷捕獲型技術(shù)(CTF，Charge Trap Flash)和PUC(Peri. Under Cell) 技術(shù)。相比3D方式，4D架構(gòu)具有單元面積更小，生產(chǎn)效率更高的優(yōu)點(diǎn)。

238層NAND閃存成功堆棧更高層數(shù)的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最小的面積。新產(chǎn)品每單位面積具備更高的密度，借其更小的面積能夠在相同大小的硅晶片生產(chǎn)出更多的芯片，因此相比176層NAND閃存其生產(chǎn)效率也提高了34%。

此外，238層NAND閃存的數(shù)據(jù)傳輸速度為2.4Gbps，相比前一代產(chǎn)品提高了50%，芯片讀取數(shù)據(jù)時(shí)的能源消耗也減少了21%?？梢哉f，SK海力士通過節(jié)省芯片的電力消耗，在ESG方面也取得了可圈可點(diǎn)的進(jìn)步。

SK海力士計(jì)劃先為cSSD（client SSD，主要應(yīng)用范圍為PC用存儲(chǔ)設(shè)備）供應(yīng)238層NAND閃存，隨后將其導(dǎo)入范圍逐漸延伸至智能手機(jī)和高容量的服務(wù)器SSD等。公司還將于明年發(fā)布1Tb 密度的全新238層NAND閃存產(chǎn)品，其密度是現(xiàn)有產(chǎn)品的兩倍。