SK海力士成功研發(fā)全球最高層238層４D NAND閃存

時間：2022-08-03 14:44:47

關鍵字： SK海力士 NAND閃存 CE LEVEL

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[導讀]新聞概要公司全球首發(fā)238層 512Gb TLC 4D NAND閃存，將于明年上半年投入量產(chǎn) 成功研發(fā)層數(shù)最高，面積最小的NAND閃存，并顯著改善生產(chǎn)效率、數(shù)據(jù)傳輸速度、功耗等特性 "公司將持續(xù)創(chuàng)新并不斷突破技術瓶頸" 韓國首爾2022...

新聞概要

公司全球首發(fā)238層 512Gb TLC 4D NAND閃存，將于明年上半年投入量產(chǎn)
成功研發(fā)層數(shù)最高，面積最小的NAND閃存，并顯著改善生產(chǎn)效率、數(shù)據(jù)傳輸速度、功耗等特性
"公司將持續(xù)創(chuàng)新并不斷突破技術瓶頸"

韓國首爾2022年8月3日 /美通社/ -- SK海力士（或‘公司'，www.skhynix.com）于8月3日宣布成功研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層NAND閃存。

圖1. SK海力士成功研發(fā)全球最高層238層4D NAND閃存

近日，SK海力士向客戶發(fā)送了238層 512Gb TLC(Triple Level Cell)* 4D NAND閃存的樣品，并計劃在2023年上半年正式投入量產(chǎn)。公司表示："自2020年12月完成176層NAND閃存研發(fā)以來，時隔僅1年7個月，SK海力士全球首次成功完成了新一代技術的研發(fā)。此次238層NAND閃存在達到業(yè)界最高堆棧層數(shù)的同時實現(xiàn)了全球最小的面積，其意義更加非凡。"

* NAND閃存芯片根據(jù)每個單元(Cell)可以存儲的信息量（比特,bit）可分為SLC(Single Level Cell)、MLC(Multi Level Cell)、TLC(Triple Level Cell)、QLC(Quadruple Level Cell)、PLC(Penta Level Cell)等規(guī)格。單元信息存儲容量越大，意味著單位面積可以存儲的數(shù)據(jù)越多。

當天，SK海力士在美國圣克拉拉舉行的2022閃存峰會（Flash Memory Summit 2022）*上首次亮相了238層NAND閃存新產(chǎn)品。在峰會主題演講中，崔正達SK海力士NAND閃存開發(fā)擔當說道："基于其4D NAND閃存技術，SK海力士全球首次成功研發(fā)了238層NAND閃存，進而確保了成本、性能、產(chǎn)品質量等層面的全球領先競爭力。公司將持續(xù)創(chuàng)新，并不斷突破技術瓶頸。"

* 閃存峰會(FMS，F(xiàn)lash Memory Summit)：系每年定期在美國加州圣克拉拉舉辦的全球閃存芯片領域的最高級別研討會。SK海力士于本次峰會與其NAND閃存解決方案子公司Solidigm聯(lián)合進行了主題演講。

SK海力士在2018年研發(fā)的96層NAND閃存就超越了傳統(tǒng)的3D方式，并導入了4D方式。為成功研發(fā)4D架構的芯片，公司采用了電荷捕獲型技術(CTF，Charge Trap Flash)*和PUC(Peri. Under Cell)* 技術。相比3D方式，4D架構具有單元面積更小，生產(chǎn)效率更高的優(yōu)點。

* 電荷捕獲型技術 (CTF，Charge Trap Flash)

浮柵型(FG，F(xiàn)loating Gate)閃存技術將電荷存儲在導體1)中，而CTF將電荷存儲在絕緣體2)中，以解決單元間的干擾問題。因此，相比FG技術，CTF可縮小芯片的單元面積，同時提高數(shù)據(jù)的讀寫性能。

圖2. CTF技術原理