干貨滿滿!2022集邦咨詢第三代半導(dǎo)體前沿趨勢研討會圓滿落幕
在新能源汽車、5G通訊、光伏儲能等終端應(yīng)用的發(fā)展下,SiC/GaN等第三代半導(dǎo)體材料水漲船高,成為時下最火熱的發(fā)展領(lǐng)域之一。為全面梳理第三代半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀、面臨的瓶頸以及技術(shù)突破的方向,TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導(dǎo)體市場、全球半導(dǎo)體觀察于2022年8月9日,在深圳福田JW萬豪酒店舉辦2022集邦咨詢第三代半導(dǎo)體前沿趨勢研討會。
會議高朋滿座,來自科研院校、企事業(yè)單位、媒體界眾多菁英共聚一堂,共商行業(yè)未來。
左右滑動
會議伊始,集邦咨詢總經(jīng)理樊曉莉發(fā)表致辭,她向所有參會嘉賓表示歡迎和感謝,并表達了對的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的美好祝愿。
隨后,第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域的行業(yè)專家與集邦咨詢分析師相繼發(fā)表精彩演講,演講精華匯總?cè)缦隆?
Wolfspeed
終端應(yīng)用市場對于高效率、高功率密度、節(jié)能省耗的系統(tǒng)設(shè)計需求日益增強,與此同時,各國能效標(biāo)準(zhǔn)也不斷演進,在此背景下,SiC憑借耐高溫、開關(guān)更快、導(dǎo)熱更好、低阻抗、更穩(wěn)定等出色特性,正在不同的應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)光發(fā)熱。
以電動汽車的22kW OBC應(yīng)用為例,SiC器件有助于減少30%的功率損耗、縮短充電時間,并將功率密度提升50%,帶動系統(tǒng)效率的提升及系統(tǒng)成本的下降。
Wolfspeed 中國區(qū)銷售與市場副總裁 張三嶺
在能源效率新時代,SiC開始加速滲透電動汽車、光伏儲能、電動車充電樁、PFC/開關(guān)電源、軌道交通、變頻器等應(yīng)用場景,接下來將逐步打開更大的發(fā)展空間。
為應(yīng)對不斷增長的SiC市場需求,已占據(jù)全球SiC材料市場最大份額(>60%)的Wolfspeed,也在加速碳化硅器件的研發(fā)和生產(chǎn)。
今年4月,Wolfspeed全球最大的首座8英寸(200mm)SiC工廠正式開業(yè),該工廠預(yù)計2024年達產(chǎn),屆時產(chǎn)能將達2017年的30倍。市場拓展方面,Wolfspeed已與多家器件廠商、車企簽訂了襯底、器件相關(guān)的長期供貨協(xié)議,SiC車用等業(yè)務(wù)規(guī)模穩(wěn)步擴大。
國星光電
電子電力元器件在工作過程中可能出現(xiàn)可靠性失效的問題,而巨量的實例總結(jié)發(fā)現(xiàn)80%以上的元器件失效的根本原因就是“熱問題”,因此熱管理尤為關(guān)鍵。
國星光電通過數(shù)字化的仿真技術(shù)開展熱管理分析,快速定位熱點,提前發(fā)現(xiàn)可靠性失效,方案調(diào)整成本低,效率高,并通過仿真技術(shù)的多學(xué)科優(yōu)化指引設(shè)計開發(fā)人員優(yōu)化設(shè)計,提升開發(fā)質(zhì)量和效率。
國星光電 研究院研發(fā)經(jīng)理、高級工程師 成年斌
依托深厚的半導(dǎo)體器件封測經(jīng)驗,國星光電在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域積極進行技術(shù)、產(chǎn)品和產(chǎn)線的布局,已開始向該領(lǐng)域的客戶提供高品質(zhì)、高可靠性的封測產(chǎn)品,包括SiC-MOSFE、SiC-SBD功率分立器件、SiC功率模塊以及GaN器件等不同系列的產(chǎn)品。
從應(yīng)用場景來看,國星光電的SiC產(chǎn)品目前主要面向汽車充電樁、UPS不間斷電源、電力儲能傳輸?shù)裙I(yè)級領(lǐng)域,下一步將逐步向車規(guī)級領(lǐng)域靠攏。GaN功率器件則針對潛在規(guī)模約80億美元的快充市場開展研究工作,同時前瞻布局智能IC控制領(lǐng)域。
英諾賽科
數(shù)字化浪潮推動著數(shù)據(jù)中心的蓬勃發(fā)展,但數(shù)據(jù)中心的能耗和碳排放貫穿其整個生命周期,其中CPUs和GPUs需要更大的功率供電。鄒艷波表示,預(yù)計2030年數(shù)據(jù)中心的耗電量將達3000TWhr,數(shù)據(jù)中心在節(jié)能方面存在較大的提升空間。
英諾賽科 產(chǎn)品應(yīng)用總監(jiān) 鄒艷波
針對這一現(xiàn)狀,英諾賽科基于GaN開發(fā)了下一代數(shù)據(jù)中心供電系統(tǒng)。鄒艷波指出,現(xiàn)有的100V-650V GaN技術(shù)比Si具有非常明顯的優(yōu)勢,目前在應(yīng)用上處于井噴初期;30-40V GaN同樣展示出性能的優(yōu)勢,吸引著業(yè)界的關(guān)注。
他指出,英諾賽科可以提供全鏈路的GaN的數(shù)據(jù)中心供電解決方案,使數(shù)據(jù)中心的供電更高效,更高的功率密度,更高的動態(tài)響應(yīng),助力數(shù)字中心實現(xiàn)綠色低碳發(fā)展。同時,針對不同應(yīng)用領(lǐng)域英諾賽科推出了三個新產(chǎn)品:INN040LA015A、INN100W032A、INN650D080B。
據(jù)悉,三款產(chǎn)品均為E-mode器件,耐壓值分別為40V、100V、650V,面向通信基站、電機驅(qū)動、戶外電源、電動工具、工業(yè)電源等不同的應(yīng)用場景,具有高效率、高頻、高可靠性等特征,可以助力碳達峰,碳中和。
廈門大學(xué)
雙碳目標(biāo)背景下,新型電力系統(tǒng)的構(gòu)建面臨諸多挑戰(zhàn),而基于電?電?技術(shù)的柔性交直流輸電裝置正在成為應(yīng)對挑戰(zhàn)的關(guān)鍵技術(shù)手段。邱宇峰指出,電力電子設(shè)備在新型電力系統(tǒng)中將成為“剛需”,各類電力電子設(shè)備將在以新能源為主體的新型電力系統(tǒng)的各個層面發(fā)揮關(guān)鍵支撐作用。
廈門大學(xué)講座教授、國網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院原院長 邱宇峰
但硅基器件固有的耐壓低、電流密度低、頻率低、開關(guān)速度低等弱點,導(dǎo)致裝置體積大、重量高、功率密度低,限制了電力電子裝備的普遍應(yīng)用。
與之相比,SiC器件的優(yōu)勢在于高壓(達數(shù)萬伏)、高溫(大于500℃),可突破硅器件在電壓(數(shù)kV)和溫度(小于200℃)等方面的局限性,是制備高電壓、大功率器件的新型戰(zhàn)略性材料,高壓大功率SiC器件將給電力系統(tǒng)帶來深刻變革。
但邱宇峰也指出,當(dāng)前碳化硅器件的應(yīng)用尚處于試驗探索階段,面向電網(wǎng)應(yīng)用的碳化硅器件還需要在大尺寸高質(zhì)量襯底外延材料,芯片電流密度,高壓絕緣封裝材料和應(yīng)用等方面進一步開展研究。
泰科天潤
高遠介紹,目前,國產(chǎn)碳化硅芯片項目面臨的問題主要有:
1
資金和時間。一座晶圓廠的建設(shè)成本包括廠房建設(shè)、設(shè)備購買及維護、人工、折舊費等,成本非常高,需要持續(xù)投入。
2
6寸、8寸的選擇。短期內(nèi)仍以6寸為主,可以謹慎布局8寸技術(shù),未來瓶頸在國產(chǎn)8寸襯底供應(yīng)。
3
人才稀缺和成體系發(fā)展。國內(nèi)碳化硅產(chǎn)業(yè)布局很多,但人才供不應(yīng)求。同時一家碳化硅器件廠商需要其內(nèi)部各部門、上下游各環(huán)節(jié)協(xié)同發(fā)展才能不斷前進,這一點往往沒有引起足夠的重視。
4
發(fā)展模式。半導(dǎo)體行業(yè)與互聯(lián)網(wǎng)行業(yè)的特點還是有明顯的區(qū)別的,不考慮賽道特點,直接照搬互聯(lián)網(wǎng)的手段,大概率會水土不服的。
5
芯片制造工藝待突破。碳化硅是新材料,需要開發(fā)新工藝,也是現(xiàn)階段碳化硅器件的瓶頸,也是碳化硅器件廠商的核心競爭力所在。
6
二極管已成紅海市場。碳化硅二極管成為國產(chǎn)化的突破口,但隨著價格的不斷下降,導(dǎo)致新進玩家門檻越來越高。
7
主驅(qū)逆變器應(yīng)用。碳化硅在主逆變器上的應(yīng)用是碳化硅器件的主戰(zhàn)場,國產(chǎn)器件需要在工業(yè)領(lǐng)域、OBC、車載DC-DC充分驗證后才能放心上主驅(qū)逆變器,預(yù)計還需要3-5年時間。
泰科天潤 應(yīng)用測試中心主任 高遠
最后,高遠指出,事實上,國產(chǎn)碳化硅器件任重而道遠,所面臨的問題并不止以上7個。
此外,當(dāng)下國際局勢充滿不確定性,國產(chǎn)碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈仍需修煉內(nèi)功,成為一名優(yōu)秀的長跑者,才能迎接未來將會出現(xiàn)的各類問題。