DDR之內(nèi)存時序

當我們購買內(nèi)存條的時候，會看到內(nèi)存條有如下規(guī)格11-11-11-28，它代表什么意思呢？

它是一種內(nèi)存時序，指的是內(nèi)存在處理各種任務(wù)時，遇到的固有延遲的一種數(shù)值描述。

簡單講，就是CPU在向內(nèi)存索要數(shù)據(jù)，或者在向內(nèi)存寫入數(shù)據(jù)的時候，內(nèi)存要經(jīng)歷一系列的操作，才能把CPU想要的數(shù)據(jù)給出來或?qū)戇M去，這一系列的操作所需要花費的時間周期就是內(nèi)存時序。

這四個數(shù)值分別表示CL，tRCD，tRP，tRAS，單位ns。這個數(shù)值越短，表示延遲越低，內(nèi)存的性能越好。

其實時序還有很多，只不過這四個參數(shù)相對來說比較重要。

在講解之前，我們了解一下內(nèi)存是怎么存取數(shù)據(jù)的。首先要知道SDRAM(內(nèi)存顆粒)，DDR就是將這些顆粒集成在一起，然后再加一個控制器。

內(nèi)存在存取數(shù)據(jù)時，是以行列的方式進行，跟excel表格類似，通過行列方式定位數(shù)據(jù)，這個表格我們稱為邏輯BANK(L-BANK)。

SDRAM內(nèi)部L-BANK示意圖  8X8陣列

B：L-BANK（邏輯logic bank）地址編號

C：column列支持編號

R：row行地址編號

如果我們要找到BANK中的黃色位置，先指定L-BANK地址B1，然后指定行地址R6，再指定列地址C4，最終就能找到尋址單元。

談到BANK，我們順便了解一下RANK這個概念（經(jīng)常容易搞混，分不清楚）

DDR數(shù)據(jù)存儲時，以64bit數(shù)據(jù)線為例，CPU每次從內(nèi)存里面讀取數(shù)據(jù)都是一次64bits，而內(nèi)存顆粒一般沒有64bit，大多為4bits，8bits，16bits。為了湊夠CPU訪問所需的64bits，假設(shè)每個顆粒是8bits，就需要8個顆粒并在一起，并在一起的8個顆粒就叫Rank。

假設(shè)內(nèi)存芯片基本上是8個L-BANK地址，也就是8個這樣的表格。

在了解數(shù)據(jù)如何存取后，下面具體看一下這四個參數(shù)：

1、tRCD

內(nèi)存行地址傳輸?shù)搅械刂返难舆t時間為tRCD（RAS to CAS delay），因為在行激活命令發(fā)出之后，芯片存儲陣列電子元件響應(yīng)需要一定的時間。

簡單說，在內(nèi)存控制器接收到行的指令后，需要等待一定的時間才能訪問這一行，這個等待時間就是tRCD。

tRCD以時鐘周期為單位，例：tRCD=2，代表延遲兩個時鐘周期。

這個參數(shù)對系統(tǒng)影響不大，因為程序存儲數(shù)據(jù)到內(nèi)存中是一個持續(xù)過程。同一個程序中一般都會在同一行中尋址。

2、CL

內(nèi)存先確定了行，要想找出數(shù)據(jù)，還需要確定列，這時我們就能準確的找到目標數(shù)據(jù)。

內(nèi)存確定了行數(shù)之后，還需要等待一定的時間才能訪問具體列數(shù)，這個等待的時間就是CL，CL就是列地址訪問的延遲時間，是時序中最重要的參數(shù)。

關(guān)于CL這里必須強調(diào)幾點：

• CL(CAS Latency，CAS潛伏期)，在頻率相同的情況下，CL值越小，內(nèi)存速度越快。由于CL只在讀取時出現(xiàn)，所以CL又被稱為讀取潛伏期。

• CL的值隨著內(nèi)存頻率的增加而增大。

• CL數(shù)值也以時鐘周期數(shù)表示，因此必須知道內(nèi)存的頻率才可以知道CL延遲的具體時間，比較才會更有意義，例：
  

DDR-400內(nèi)存，CL=2.5，時鐘頻率為200MHz，實際CL=12.5ns。

DDR2-800內(nèi)存，CL=5，時鐘頻率為400MHz，實際也是CL=12.5ns。

二者一樣。

• 選擇購買內(nèi)存時，最好選擇同樣CL值的內(nèi)存，不同速度的內(nèi)存混插在系統(tǒng)內(nèi)，會以較慢的那塊內(nèi)存來運行，從而造成資源的浪費。

3、tRP

tRP（RAS Precharge Time ）行預(yù)充電時間。假如當前尋址的存儲單元是B1、R5、C2。如果接下來的尋址命令是B1、R6、C2，由于是同一L-Bank的不同行，那么就必須要先把R5關(guān)閉，才能對R6進行尋址。

從開始關(guān)閉現(xiàn)有的工作行，到可以打開新的工作行之間的間隔就是tRP，單位也是時鐘周期數(shù)。

4、tRAS

tRAS，表示內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期 ，可以簡單理解成內(nèi)存寫入或讀取數(shù)據(jù)的一個時間，一般接近前三個參數(shù)的總和。

調(diào)整這個參數(shù)須要結(jié)合具體狀況而定，通常咱們最好設(shè)在5－10之間。這個參數(shù)要根據(jù)實際狀況而定，并非說越大或越小就越好。

若tRAS的周期太長，會影響系統(tǒng)的性能。

若tRAS的周期太短，則可能因缺少足夠的時間而沒法完成數(shù)據(jù)傳輸，容易引起數(shù)據(jù)丟失或損壞。該值通常設(shè)定為CAS latency + tRCD + 2個時鐘周期。

最后簡單概況一下：