據(jù)業(yè)內(nèi)消息，近日三星在一年一度的技術日研討會上公布了未來的3大規(guī)劃方向，其中包括1.4納米的代工制程工藝以及包括NAND、DRAM在內(nèi)的各類內(nèi)存和無晶圓廠的整體解決方案。
從5年前開始，三星都堅持每年舉辦的技術日研討會，會上三星會討論些發(fā)布的新技術、半導體行業(yè)的趨勢和現(xiàn)狀以及未來的階段性規(guī)劃內(nèi)容。在本屆的會上，在三星為其即將推出的 1.4納米制程工藝、內(nèi)存路線圖以及擴大其行業(yè)影響力的目標制定了計劃。
一直以來三星都和和臺積電一樣是行業(yè)內(nèi)代工工藝的最前沿，三星代工業(yè)務總裁兼負責人Siyoung·Choi博士談到了三星芯片生產(chǎn)的未來規(guī)劃，以及全球短缺對其代工廠業(yè)務的影響。其表示，三星目前需要提高整體產(chǎn)能并引領最先進的技術，同時進一步擴大硅片規(guī)模并通過應用繼續(xù)進行技術創(chuàng)新。
在今年的早些時候，三星就開始開始為客戶生產(chǎn)首批基于3nm的芯片，由于采用了3nm全環(huán)柵(GAA)技術，這些新芯片的性能提高大約30%，而且功耗會大幅減少，而該芯片比5nm芯片占用的空間最大減少35%。
目前三星一斤剛開始規(guī)劃在2025年開始量產(chǎn)采用2納米工藝的芯片，而在當前這個時間點，消費市場的大多數(shù)高級別的產(chǎn)品還在由基于5nm工藝構建的SoC提供支持。而且按照三星的規(guī)劃，預計在2027年左右達到1.4納米工藝節(jié)點，并計劃在同年將其先進節(jié)點產(chǎn)量提高兩倍。
除此之外三星還推出了其第8代和第9代的V-NAND產(chǎn)品以及第5代DRAM產(chǎn)品。三星目前為V-NAND提供512 Gb TLC產(chǎn)品，而按照之前的規(guī)劃，今年的后半年會發(fā)布1 TB的TLC 版本。
目前三星的第5代DRAM產(chǎn)品10nm (1b)器件按照計劃將會在后面進入量產(chǎn)階段，至于未來的其他DRAM解決方案，包括32 Gb DDR5解決方案、8.5 Gbps LPDDR5X DRAM以及36 Gbps GDDR7 DRAM都在按照規(guī)劃進行中。
三星表示需要大約8年的時間就能實現(xiàn)1000層的V-NAND，而目前就此計劃正在進行架構過渡，也就睡從其當前的TLC架構過渡到QLC架構，因為后者可以增加密度并實現(xiàn)更多的層數(shù)。
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