三星在DRAM市場(chǎng)份額連擴(kuò)三季，獨(dú)占4成市場(chǎng)

據(jù)市場(chǎng)調(diào)查機(jī)構(gòu)Omdia數(shù)據(jù)顯示，今年二季度(4~6月)期間，三星電子拿下了DRAM市場(chǎng)43.4%的市場(chǎng)份額，已連續(xù)第三季擴(kuò)大份額。與此同時(shí)，緊隨其后的SK海力士份額為28.1%，環(huán)比增加1%，美光23.6%，環(huán)比下滑1.2%。

根據(jù)臺(tái)積電近期公布的財(cái)報(bào)，今年第三季度銷(xiāo)售額同比增長(zhǎng) 48% 至 6131.4 億美元(約合人民幣 44091 億元)。而三星電子第三季度的 DS(半導(dǎo)體)銷(xiāo)售額預(yù)計(jì)在 24 萬(wàn)億至 25 萬(wàn)億韓元(約合人民幣 1200 億元至 1250 億元)之間。

包括三星、SK海力士、美光等三大DRAM廠已量產(chǎn)DDR5，但占產(chǎn)能比重仍然不高，隨著DRAM行情低迷，業(yè)者降價(jià)出清DDR4庫(kù)存，可望加速DDR5的出貨量。 其中，三星宣布開(kāi)始量產(chǎn)基于極紫外光(EUV)技術(shù)的14納米DDR5，SK海力士采用1y納米及1a納米生產(chǎn)DDR5，美光已采用1α納米擴(kuò)大DDR5產(chǎn)能。

據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)調(diào)查顯示，明年服務(wù)器整機(jī)出貨量預(yù)估僅年增3.7%，低于今年的5.1%，且考量成本，服務(wù)器DRAM平均搭載容量年增幅也僅7%，為2016年以來(lái)首度降至10%以下。

一直以來(lái)，DRAM芯片都是以微縮制程的方式，來(lái)提高存儲(chǔ)密度。

DRAM每一次制程的更新?lián)Q代，都需要大量的投入。

以30nm更新到20nm為例，后者需要的光刻掩模版數(shù)目增加了30%，非光刻工藝步驟數(shù)翻倍。對(duì)潔凈室廠房面積的要求，也隨著設(shè)備數(shù)的上升而增加了80%以上。

以前，這些成本都可以通過(guò)單晶圓更多的芯片產(chǎn)出，以及性能帶來(lái)的溢價(jià)，進(jìn)行彌補(bǔ)。但是，隨著工藝制程的不斷微縮，增加的成本和收入之間的差距逐漸縮小。

2013年左右，當(dāng)制程工藝進(jìn)入20nm之后，制造難度大幅提升。18/16nm之后，繼續(xù)在二維方向縮減尺寸，已不再具備成本和性能方面的優(yōu)勢(shì)。

于是，DRAM芯片廠商開(kāi)始另辟蹊徑，開(kāi)始研究Z方向的擴(kuò)展能力。也就是說(shuō)，開(kāi)始推進(jìn)3D封裝。

作為行業(yè)龍頭，三星率先從封裝角度實(shí)現(xiàn)了3D DRAM。他們采用TSV封裝技術(shù)，將多個(gè)DRAM芯片堆疊起來(lái)，從而大幅提升單根內(nèi)存條容量和性能。后來(lái)，各個(gè)廠商紛紛跟進(jìn)，3D DRAM成為主流。

在產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)方面，行業(yè)一般采用由固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)(JEDEC)制定的產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，也就是大家熟悉的DDR1-DDR5。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)具有獨(dú)有的周期性特質(zhì)，一方面，當(dāng)產(chǎn)能與市場(chǎng)需求出現(xiàn)錯(cuò)配時(shí)，價(jià)格波動(dòng)就不可避免;另一方面，無(wú)論是半導(dǎo)體設(shè)計(jì)業(yè)還是生產(chǎn)制造業(yè)，都需要高投入、長(zhǎng)周期，一旦錯(cuò)配出現(xiàn)，往往不能在短時(shí)間內(nèi)在供需上實(shí)現(xiàn)削峰填谷，也就導(dǎo)致了明顯的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)周期性特點(diǎn)。

在半導(dǎo)體主要芯片類(lèi)別中，存儲(chǔ)器是最大的一類(lèi)，大概占據(jù)整個(gè)芯片市場(chǎng)的近 1/3。其中 DRAM 和 NAND Flash 是量最大的兩類(lèi)，占比約超 95%，剩下的份額由 NOR FLASH、EEPROM 等其他類(lèi)型存儲(chǔ)芯片占據(jù)。因而，半導(dǎo)體市場(chǎng)稍有風(fēng)吹草動(dòng)，DRAM 和 NAND 往往最先遭受震蕩。

2017-2018 年是最近幾年存儲(chǔ)市場(chǎng)的一個(gè)明顯增長(zhǎng)期;2019 年，受全球貿(mào)易摩擦及下游需求放緩影響，存儲(chǔ)芯片營(yíng)收出現(xiàn)大幅下滑，2020 年盡管有所恢復(fù)，但市場(chǎng)營(yíng)收仍在低位;2021 年，在疫情階段性控制、國(guó)內(nèi)手機(jī)市場(chǎng)恢復(fù)、北美服務(wù)器廠商資本支出受政府鼓勵(lì)等因素影響下，存儲(chǔ)器在需求端又迎來(lái)增長(zhǎng)。同時(shí)，持續(xù)的芯片缺貨間接導(dǎo)致 DRAM 與 NAND 單價(jià)漲幅較大，盡管存儲(chǔ)器價(jià)格在 2021 年第四季度轉(zhuǎn)為下滑，但全年市場(chǎng)規(guī)模仍達(dá)到 1650 億美元左右，同比增長(zhǎng) 33%。

根據(jù) IC Insights發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，從2020年下半年開(kāi)始并持續(xù)到2022年5月的DRAM市場(chǎng)強(qiáng)勁回暖已經(jīng)結(jié)束。DRAM銷(xiāo)量在5月份創(chuàng)下兩年多來(lái)的最高月度銷(xiāo)量后，6月份和7月份分別暴跌36%和21%。市場(chǎng)崩潰的速度是如此之快，以至于7月份的DRAM市場(chǎng)規(guī)模只有5月份的一半(圖1)。對(duì)通貨膨脹和經(jīng)濟(jì)衰退的擔(dān)憂削減了消費(fèi)者在新智能手機(jī)、電腦、電視和其他電子產(chǎn)品上的支出。反過(guò)來(lái)，系統(tǒng)制造商也縮減了新的 DRAM 訂單，理由是需要消耗他們積累的現(xiàn)有庫(kù)存。