存儲器有很多具體類別，比如快閃存儲器、只讀存儲器、半導體存儲器、隨機讀寫存儲器等。為增進大家對存儲器的認識，本文將對相變存儲器的特性與功能以及存儲器選片、總線概念予以介紹。如果你對存儲器具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
一、相變存儲器的特性與功能
相變存儲器兼有NOR-type flash、memory NAND-type flash memory和 RAM或EEpROM相關的屬性。
1.一位可變
如同RAM或EEPROM，PCM可變的最小單元是一位。閃存技術在改變儲存的信息時要求有一步單獨的擦除步驟。而在一位可變的存儲器中存儲的信息在改變時無需單獨的擦除步驟，可直接由1變?yōu)?或由0變?yōu)?。
2.非易失性
相變存儲器如NOR閃存與NAND閃存一樣是非易失性的存儲器。RAM需要穩(wěn)定的供電來維持信號，如電池支持。DRAM也有稱為軟錯誤的缺點，由微?；蛲饨巛椛鋵е碌碾S機位損壞。早期Intel進行的兆比特PCM存儲陣列能夠保存大量數(shù)據(jù)，該實驗結果表明PCM具有良好的非易失性。
3.讀取速度
如同RAM和NOR閃存，PCM技術具有隨機存儲速度快的特點。這使得存儲器中的代碼可以直接執(zhí)行，無需中間拷貝到RAM。PCM讀取反應時間與最小單元一比特的NOR閃存相當，而它的的帶寬可以媲美DRAM。相對的，NAND閃存因隨機存儲時間長達幾十微秒，無法完成代碼的直接執(zhí)行。
4.寫入/擦除速度
PCM能夠達到如同NAND的寫入速度，但是PCM的反應時間更短，且無需單獨的擦除步驟。NOR閃存具有穩(wěn)定的寫入速度，但是擦除時間較長。PCM同RAM一樣無需單獨擦除步驟，但是寫入速度(帶寬和反應時間)不及RAM。隨著PCM技術的不斷發(fā)展，存儲單元縮減，PCM將不斷被完善。
5.縮放比例
縮放比例是PCM的第五個不同點。NOR和NAND存儲器的結構導致存儲器很難縮小體型。這是因為門電路的厚度是一定的，它需要多于10V的供電，CMOS邏輯門需要1V或更少。這種縮小通常被成為摩爾定律，存儲器每縮小一代其密集程度提高一倍。隨著存儲單元的縮小，GST材料的體積也在縮小，這使得PCM具有縮放性。
二、存儲器的選片及總線概念
存儲器的送入每個單元的八根線是用從什么地方來的呢?
它就是從計算機上接過來的，一般地，這八根線除了接一個存儲器之外，還要接其它的器件，這樣問題就出來了這八根線既然不是存儲器和計算機之間專用的，如果總是將某個單元接在這八根線上，就不好了，比如這個存儲器單元中的數(shù)值是0FFH另一個存儲器的單元是00H，那么這根線到底是處于高電平，還是低電平?豈非要打架看誰歷害了?所以我們要讓它們分離。辦法當然很簡單，當外面的線接到集成電路的管腳進來后，不直接接到各單元去，中間再加一組開關就行了。
平時我們讓開關關閉著，如果確實是要向這個存儲器中寫入數(shù)據(jù)，或要從存儲器中讀出數(shù)據(jù)，再讓開關接通就行了。這組開關由三根引線選擇：讀控制端、寫控制端和片選端。要將數(shù)據(jù)寫入片中，先選中該片，然后發(fā)出寫信號，開關就合上了，并將傳過來的數(shù)據(jù)(電荷)寫入片中。如果要讀，先選中該片，然后發(fā)出讀信號，開關合上，數(shù)據(jù)就被送出去了。讀和寫信號同時還接入到另一個存儲器，但是由于片選端不一樣，所以雖有讀或寫信號，但沒有片選信號，所以另一個存儲器不會“誤會”而開門，造成沖突。那么會不一樣時選中兩片芯片呢?只要是設計好的系統(tǒng)就不會，因為它是由計算控制的，而不是我們人來控制的，如果真的出現(xiàn)同時出現(xiàn)選中兩片的情況，那就是電路出了故障了，這不在我們的討論之列。
那么在高溫存儲器中的工作原理也是一樣的通過電荷的寫入，在這里度高溫環(huán)境的穩(wěn)定性突破是最為關鍵的。因為溫度越高電子越活躍如何保持能在高溫情況下電荷記錄并存儲刻錄是核心關鍵。
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