VM系列振弦采集模塊的激勵方法

河北穩(wěn)控科技VM系列振弦采集模塊的激勵方法

通過修改寄存器 EX_METH.[3:0]來完成激勵方法的選擇， EX_METH[4]用于設(shè)置是否忽略傳感器的接入檢測而強制發(fā)送激勵信號。


高壓脈沖激勵法
高壓脈沖激勵法 HPM（ High Voltage Pulse Excitation Method）。 向振弦傳感器發(fā)送單個瞬時高壓脈沖信號，使鋼弦產(chǎn)生自主振動的方法。在高壓脈沖激勵法中， 以 VSEN 為電壓源， 將低電壓抬升至高壓（ 一般 100V~200V 之間）， 泵壓后的高壓值及向傳感器釋放的電量與泵壓持續(xù)時長、泵壓源電壓等參數(shù)有關(guān)。
VMXXX 可產(chǎn)生 30~180V 的高壓脈沖激勵信號，較高的 VSEN 電壓可以獲得較高的高壓值。


使用 80V~180V 的高壓脈沖激勵信號均能使振弦良好起振， 為不影響傳感器壽命， 在滿足測量需求前提下， 應(yīng)盡量利用 HP_EXP 寄存器使高壓激勵信號維持在一個盡量低的電壓值， 高電壓有可能燒毀傳感器線圈。
高壓激勵時激勵電壓除受到期望電壓參數(shù)限制外，根據(jù)實時線圈電阻阻值大小還會進行進一步的一定的限制
（ 1）強制激勵時，若外接線圈電阻不在正常范圍內(nèi)，限制為最高 50V；
（ 2）正常連接傳感器時，線圈電阻越小時限制的電壓越低；
線圈電阻 限制電壓 線圈電阻 限制電壓
50Ω 75V 200Ω 140V
100Ω 100V 500Ω 180V
150  120V 600 180V
無論是高壓脈沖激勵還是低壓掃頻激勵， 最近一次傳感器激勵時加載到傳感器上的實際電壓值均可通過讀取寄存器 VSEN_RT 獲取， 單位為 0.01V。


低壓掃頻激勵法
低壓掃頻 LSM（ Low Voltage Sweeping Method）是指使用一個與振弦傳感器鋼弦頻率相近的周期性信號，使鋼弦產(chǎn)生自振。低壓掃頻時， VSEN 電壓即是掃頻電壓。
與低壓掃頻有關(guān)的寄存器有起始頻率寄存器（ FS_FMIN）、 終止頻率寄存器（ FS_FMAX）、頻率步進寄存器（ FS_STEP） 以及單步掃頻信號周期數(shù)量寄存器（ FS_SCNT）。