意法半導(dǎo)體與 Soitec 就碳化硅襯底制造技術(shù)達成合作

- 雙方達成協(xié)議，將針對采用 Soitec 技術(shù)生產(chǎn) 200mm 碳化硅(SiC)襯底進行驗證

- Soitec 關(guān)鍵的半導(dǎo)體技術(shù)賦能電動汽車轉(zhuǎn)型，助力工業(yè)系統(tǒng)提升能效

2022 年 12 月 5 日，中國北京——服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)與設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導(dǎo)體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)法國 Soitec 半導(dǎo)體公司正式宣布，雙方在碳化硅襯底領(lǐng)域的合作邁入新階段，意法半導(dǎo)體將在未來 18 個月內(nèi)對 Soitec 的碳化硅襯底技術(shù)進行驗證，在未來的 200mm 襯底制造中采用 Soitec 的 SmartSiC? 技術(shù)，助力器件和模塊制造業(yè)務(wù)的發(fā)展，并有望在中期實現(xiàn)量產(chǎn)。

意法半導(dǎo)體汽車和分立器件產(chǎn)品部總裁 Marco Monti 表示：“汽車和工業(yè)市場正在加快推進系統(tǒng)和產(chǎn)品電氣化進程，碳化硅晶圓升級到 200mm 將會給我們的汽車和工業(yè)客戶帶來巨大好處。隨著產(chǎn)量擴大，提升規(guī)模經(jīng)濟效益是很重要的。作為一家半導(dǎo)體垂直整合制造商(IDM)，我們可以在整個制造鏈中最大化地發(fā)揮獨特的技術(shù)優(yōu)勢，覆蓋從高質(zhì)量襯底到大規(guī)模的前端和后端生產(chǎn)等環(huán)節(jié)。提高生產(chǎn)的良率和質(zhì)量正是我們與 Soitec 開展技術(shù)合作的目的。”

Soitec 首席運營官安世鵬(Bernard Aspar)表示：“電動汽車正在顛覆汽車行業(yè)的發(fā)展。通過將我們專利的 SmartCut? 工藝與碳化硅半導(dǎo)體相結(jié)合，SmartSiC? 技術(shù)將加速碳化硅在電動車市場的應(yīng)用。Soitec 的 SmartSiC? 優(yōu)化襯底與意法半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先的碳化硅技術(shù)、專業(yè)知識相結(jié)合，將推動汽車芯片制造領(lǐng)域的重大變革，并樹立新的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)?！?

碳化硅是一種顛覆性的化合物半導(dǎo)體材料，擁有優(yōu)于傳統(tǒng)硅的特性，面向電動汽車和工業(yè)流程等領(lǐng)域的關(guān)鍵、高增長的功率應(yīng)用，能夠提供卓越的性能和能效。它可以實現(xiàn)更高效的電能轉(zhuǎn)換、更輕量緊湊的設(shè)計，并節(jié)約整體系統(tǒng)設(shè)計成本，助力汽車和工業(yè)系統(tǒng)的成功。

從 150mm 晶圓發(fā)展到 200mm 晶圓，用于制造集成電路的可用面積幾乎翻倍，而每片晶圓可提供比原先多 1.8 至 1.9 倍數(shù)量的有效芯片，這將促使產(chǎn)能得到大幅提升。

SmartSiC? 是 Soitec 的專利技術(shù)。通過使用 Soitec 專利的 SmartCut? 技術(shù)，可以剝離出高質(zhì)量的碳化硅供體晶圓薄層，并將其鍵合到低電阻率的多晶硅操作晶圓上，助力改進器件的性能和生產(chǎn)良率。此外，優(yōu)質(zhì)的碳化硅供體晶圓可被多次重復(fù)利用，進而大幅降低生產(chǎn)的總能耗。