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[導(dǎo)讀]【2022年12月7日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)和臺積電近日宣布,兩家公司準備將臺積電的可變電阻式記憶體制程技術(shù)引入至英飛凌的新一代MCU AURIX?微控制器中。


【2022年12月7日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)和臺積電近日宣布,兩家公司準備將臺積電的可變電阻式記憶體制程技術(shù)引入至英飛凌的新一代MCU AURIX?微控制器中。

自首個發(fā)動機管理系統(tǒng)問世以來,嵌入式閃存微控制器一直是汽車電子控制單元(ECU)的主要構(gòu)建模塊。這些微控制器是打造綠色、安全和智能汽車所不可或缺的組成部分,被應(yīng)用于驅(qū)動系統(tǒng)、車輛動態(tài)控制、駕駛輔助和車身應(yīng)用中,助力汽車領(lǐng)域在電氣化、全新電子電氣(E/E)架構(gòu)和自動駕駛方面實現(xiàn)了重大創(chuàng)新。目前,市場上的大多數(shù)MCU系列均采用嵌入式閃存技術(shù)。作為下一代嵌入式存儲器,RRAM可以進一步擴展至28nm及以上。

英飛凌AURIX TC4x微控制器產(chǎn)品性能的可擴展性與虛擬化、安全和網(wǎng)絡(luò)功能方面的最新趨勢相結(jié)合,以支持新一代軟件定義汽車和全新E/E架構(gòu)。英飛凌與臺積電成功地將RRAM引入至汽車領(lǐng)域,為AURIX微控制器建立了更加廣泛的技術(shù)與供應(yīng)基礎(chǔ)。RRAM具有很高的抗干擾性并且允許在不需要擦除的情況下進行逐位輸入,其耐久性和數(shù)據(jù)保持性能堪比閃存技術(shù)。

臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展高級副總裁Kevin Zhang博士表示:“英飛凌和臺積電長期以來一直保持著成功的合作關(guān)系,比如在第一代AURIX TC2x產(chǎn)品的合作。我們在RRAM NVM技術(shù)領(lǐng)域也合作了近十年,涵蓋了各種不同的應(yīng)用。此次為TC4x引入RRAM將為MCU的進一步小型化開辟新的可能性。我們十分高興能與英飛凌這樣領(lǐng)先的企業(yè)展開合作?!?

英飛凌科技高級副總裁兼汽車微控制器業(yè)務(wù)總經(jīng)理Thomas Boehm表示:“AURIX TC3x作為一款倍受青睞的汽車微控制器已經(jīng)在許多應(yīng)用領(lǐng)域得到了認可?;谂_積電RRAM技術(shù)打造的AURIX TC4x將憑借更高的ASIL-D性能、更加強大的AI功能以及包括10Base T1S以太網(wǎng)和CAN-XL等在內(nèi)的最新的網(wǎng)絡(luò)接口,進一步擴大這一領(lǐng)先優(yōu)勢。RRAM技術(shù)為提高性能、減少功耗和節(jié)約成本創(chuàng)造了巨大的潛力?!?

供貨情況

英飛凌正在向主要客戶提供基于臺積電28nmeFlash技術(shù)的AURIX TC4x系列樣品。首批基于28nm RRAM技術(shù)的樣品將在2023年底前提供給客戶。


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