1月5日,全球領(lǐng)先的集成電路制造和技術(shù)服務提供商長電科技宣布,公司XDFOI Chiplet高密度多維異構(gòu)集成系列工藝已按計劃進入穩(wěn)定量產(chǎn)階段,同步實現(xiàn)國際客戶4nm節(jié)點多芯片系統(tǒng)集成封裝產(chǎn)品出貨,最大封裝體面積約為1500mm2的系統(tǒng)級封裝。
隨著近年來高性能計算、人工智能、5G、汽車、云端等應用的蓬勃發(fā)展,要求芯片成品制造工藝持續(xù)革新以彌補摩爾定律的放緩,先進封裝技術(shù)變得越來越重要。應市場發(fā)展之需,長電科技于2021年7月正式推出面向Chiplet(小芯片)的高密度多維異構(gòu)集成技術(shù)平臺XDFOI,利用協(xié)同設(shè)計理念實現(xiàn)了芯片成品集成與測試一體化,涵蓋2D、2.5D、3D Chiplet集成技術(shù)。
經(jīng)過持續(xù)研發(fā)與客戶產(chǎn)品驗證,長電科技XDFOI不斷取得突破,可有效解決后摩爾時代客戶芯片成品制造的痛點,通過小芯片異構(gòu)集成技術(shù),在有機重布線堆疊中介層(RDL Stack Interposer, RSI)上,放置一顆或多顆邏輯芯片(CPU/GPU等),以及I/O Chiplet 和/或高帶寬內(nèi)存芯片(HBM)等,形成一顆高集成度的異構(gòu)封裝體,一方面可將高密度fcBGA基板進行“瘦身”,將部分布線層轉(zhuǎn)移至有機重布線堆疊中介層基板上,利用有機重布線堆疊中介層最小線寬線距2μm及多層再布線的優(yōu)勢,縮小芯片互連間距,實現(xiàn)更加高效、更為靈活的系統(tǒng)集成,另一方面,也可將部分SoC上互連轉(zhuǎn)移到有機重布線堆疊中介層, 從而得以實現(xiàn)以Chiplet為基礎(chǔ)的架構(gòu)創(chuàng)新,而最終達到性能和成本的雙重優(yōu)勢。
目前,長電科技XDFOI技術(shù)可將有機重布線堆疊中介層厚度控制在50μm以內(nèi),微凸點(μBump)中心距為40μm,實現(xiàn)在更薄和更小單位面積內(nèi)進行高密度的各種工藝集成,達到更高的集成度、更強的模塊功能和更小的封裝尺寸。同時,還可以在封裝體背面進行金屬沉積,在有效提高散熱效率的同時,根據(jù)設(shè)計需要增強封裝的電磁屏蔽能力,提升芯片成品良率。
長電科技充分發(fā)揮XDFOI Chiplet高密度多維異構(gòu)集成系列工藝的技術(shù)優(yōu)勢,已在高性能計算、人工智能、5G、汽車電子等領(lǐng)域應用,向客戶提供了外型更輕薄、數(shù)據(jù)傳輸速率更快、功率損耗更小的芯片成品制造解決方案,滿足日益增長的終端市場需求。
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