單通道4Gbps! Rambus為內(nèi)存帶寬立標桿

通過Rambus提供的IP產(chǎn)品、開發(fā)工具套件，以及全面系統(tǒng)級集成支持，減少了客戶設(shè)計實現(xiàn)的難度，大幅縮短了開發(fā)時間。

近年來，隨著人工智能應(yīng)用（人工智能和機器學(xué)習(xí)，即AI/ML）的興盛，對算力與內(nèi)存帶寬的要求又推到了一個新層次，據(jù)統(tǒng)計，從2012年到2019年，人工智能訓(xùn)練集增長了30萬倍，每3.43個月翻一番，支持這一發(fā)展速度需要的遠不止摩爾定律所能實現(xiàn)的改進，這需要從架構(gòu)開始，做算法、硬件和軟件的共同優(yōu)化，才能不斷提升系統(tǒng)性能以滿足人工智能訓(xùn)練的需求。內(nèi)存帶寬對系統(tǒng)整體算力的影響至關(guān)重要，業(yè)界為了拓展內(nèi)存帶寬絞盡腦汁，在高帶寬數(shù)據(jù)通信、數(shù)據(jù)靠近計算和寸內(nèi)計算等多個方向持續(xù)研究，志在減少數(shù)據(jù)在存取環(huán)節(jié)消耗的時間，打破“存儲墻”。

其中，高帶寬數(shù)據(jù)通信是目前進展最迅速且商業(yè)化最成功的方向之一。近日，在存儲接口技術(shù)上有30多年技術(shù)積累的硅知識產(chǎn)權(quán)（Silicon IP）和芯片提供商Rambus——從公司名可以看出該公司與存儲接口技術(shù)的聯(lián)系，即英文隨機存儲器RAM和總線Bus的組合——舉行線上新品發(fā)布會，宣布推出新一代高帶寬存儲產(chǎn)品解決方案HBM2E，Rambus將HBM2E的性能正式提高到4.0 Gbps。

Rambus  HBM2E 4Gbps 發(fā)送端眼圖

高帶寬內(nèi)存（ High Bandwidth Memory ）是一種立體（3維或2.5維）堆疊存儲方案。該概念最早由AMD在2008年引入，以解決PC系統(tǒng)對存儲容量提升導(dǎo)致的功耗和尺寸不斷增加的問題，通過與韓國海力士等公司合作，由海力士在2013年生產(chǎn)了第一批HBM存儲器，該技術(shù)也于當(dāng)年10月被標準組織JEDEC（電子元件工業(yè)聯(lián)合會，Joint Electron Device Engineering Council）接受為標準JESD235。

此后HBM技術(shù)發(fā)展不斷向前推進，2016年JEDEC通過HBM2標準JESD235a，在2018年末，JEDEC宣布對HBM2規(guī)范更新至HBM2E，以提升帶寬和容量。當(dāng)傳輸速率上升到每管腳3.6Gbps時，HBM2E可以實現(xiàn)每堆棧461GB/s的內(nèi)存帶寬。此外，HBM2E支持12個DRAM的堆棧，內(nèi)存容量高達每堆疊24 GB。

Rambus IP核產(chǎn)品營銷高級總監(jiān) Frank Ferro表示：在人工智能訓(xùn)練領(lǐng)域，廠商對帶寬的需求已經(jīng)超過1TB每秒，Rambus的HBM2E正是瞄準人工智能訓(xùn)練市場。籍此HBM2E發(fā)布，Rambus將會為人工智能/機器學(xué)習(xí)的客戶提供更加完整的解決方案，幫助客戶進一步地提高帶寬，滿足客戶在帶寬上的需求。

Rambus IP核產(chǎn)品營銷高級總監(jiān) Frank Ferro

據(jù)Frank Ferro介紹，HBM2E的開發(fā)過程，也得益于生態(tài)伙伴的相互配合與協(xié)作。例如SK海力士，SK海力士推出的第一代HBM2E產(chǎn)品數(shù)據(jù)傳輸速率達到3.6Gbps，在Rambus和SK海力士的通力合作下，雙方又將HBM2E內(nèi)存的速率提升到了4.0Gbps。在開發(fā)HBM2E產(chǎn)品過程中，Rambus還與世芯電子（Alchip）合作，以解決硅中介層（interposer）和封裝的挑戰(zhàn)，而封裝的具體實現(xiàn)則是由臺積電來完成，利用2.5D CoWoS（Chip on Wafer on Substrate）技術(shù)，臺積電為Rambus產(chǎn)品打造了封裝的完整解決方案。

Rambus在HBM上優(yōu)勢體現(xiàn)在方案完整與經(jīng)驗豐富上。Rambus提供完全集成而且經(jīng)過驗證的PHY（物理層）以及內(nèi)存控制器IP解決方案，在物理層面實現(xiàn)完整的集成互連，除了內(nèi)存子系統(tǒng)之外，Rambus提供的PHY也經(jīng)過了硬核化處理，集成了輸入輸出（IO）與去耦（Decap）電路，也完備了時序收斂工作，Rambus還提供包括內(nèi)插板和封裝參考設(shè)計在內(nèi)的系統(tǒng)級設(shè)計支持，利用Lab Station（實驗站開發(fā)環(huán)境），用戶可以實現(xiàn)PHY與DRAM互連的調(diào)試。通過Rambus提供的IP產(chǎn)品、開發(fā)工具套件，以及全面系統(tǒng)級集成支持，減少了客戶設(shè)計實現(xiàn)的難度，大幅縮短了開發(fā)時間。在競爭激烈的市場中，越短的上市時間，越接近成功。

高帶寬存儲技術(shù)對信號完整性要求很高，F(xiàn)rank Ferro表示，自創(chuàng)立開始，Rambus就以擅長信號完整性處理著稱，30多年來更是積累起很多獨家竅門（Know-how）。在整個HBM與中介層互連的過程中，至少包括上千條不同的數(shù)據(jù)鏈路，這些鏈路有不少是跑在Gbps級別速率。要確保系統(tǒng)信號完整性，就需要從多個層面著手。首先，必須要確保所有鏈路之間留出足夠的物理空間，并對關(guān)鍵路徑做完整的信號完整驗證。其次，中介層材料選擇對信號完整性影響極大，尤需慎重?！拔覀儽仨氁紤]材料的厚度，以及電磁輻射相關(guān)的物理參數(shù)，在所有方向上都要去做信號完整性分析和仿真，這些分析和仿真結(jié)合Rambus歷史數(shù)據(jù)庫，就可以實現(xiàn)極佳的系統(tǒng)信號完整性。”

而且，自2017年起，Rambus就已經(jīng)推出了HBM的解決方案，是市場上最早提供HBM解決方案廠商之一。到2020年10月，Rambus已經(jīng)又有第三代PHY和第二代內(nèi)存控制器，在全球范圍有50過個成功項目案例。除了在臺積電7納米工藝上開發(fā)了HBM2E，Rambus也與其他晶圓代工廠有廣泛合作，在格芯（Global Foundries）采用14納米與12納米制程生產(chǎn)HBM2，速率達到2.0Gbps，Rambus還在配合格芯用12納米制程開發(fā)HBM2E產(chǎn)品；在三星，Rambus正在就HBM2E在14及11納米制程上實現(xiàn)進行合作。Frank Ferro對Rambus的項目經(jīng)驗非常自信：“基于我們非常豐富的產(chǎn)品線，Rambus與所有主流晶圓廠商都有合作，也支持所有主流制程和工藝節(jié)點。”

面向人工智能訓(xùn)練領(lǐng)域的中國新興芯片公司燧原科技就采用了Rambus的HBM2E解決方案。Rambus可靠的HBM2內(nèi)存子系統(tǒng)IP提供了AI芯片所需的超高帶寬性能，非常適合燧原科技的云AI培訓(xùn)需求。作為該接口IP的補充，Rambus還提供硅中介層和封裝參考設(shè)計，并支持信號和電源完整性 (SI/PI)分析。

Rambus大中華區(qū)總經(jīng)理Raymond Su

Rambus大中華區(qū)總經(jīng)理Raymond Su表示，Rambus已經(jīng)注意到中國市場在全球人工智能發(fā)展方面走在相對前沿位置，中國市場對于Rambus全球市場至關(guān)重要，Rambus中國團隊會致力于在中國不斷地擴大和深化和中國客戶的合作關(guān)系聯(lián)盟。Rambus的產(chǎn)品主要聚焦于基礎(chǔ)架構(gòu)許可、硅IP授權(quán)以及內(nèi)存緩沖芯片業(yè)務(wù)，經(jīng)過30多年積累，Rambus已經(jīng)先后取得過2900多項專利和應(yīng)用授權(quán)。

“Rambus將會為中國市場帶來最新和最先進的技術(shù)，緊密地和中國云廠商、OEM和ODM合作，推動內(nèi)存產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)建設(shè)。我們我們會和廣大的中國客戶一起攜手努力，緊密協(xié)作，扎根中國、深耕中國！” Raymond Su最后強調(diào)。