臺(tái)積電3nm工藝細(xì)節(jié)來(lái)了，發(fā)了兩篇論文

2023年1月消息，據(jù)Semiwiki報(bào)道，臺(tái)積電在 2022 年 IEDM 上發(fā)表了兩篇關(guān)于 3nm 的論文：“關(guān)鍵工藝特性可實(shí)現(xiàn)3nm CMOS及更高技術(shù)的激進(jìn)接觸柵極間距縮放”和“3nm CMOS FinFlex為移動(dòng)SOC和高性能計(jì)算應(yīng)用提供增強(qiáng)的能效和性能的平臺(tái)技術(shù)”。

Semiwiki的編輯表示，第一篇論文描述了臺(tái)積電的 N3 工藝，第二篇論文描述了臺(tái)積電 N3E 工藝，這在第二次演講中得到了演講者的證實(shí)。臺(tái)積電將N3E工藝描述為N3的增強(qiáng)版本，有趣的是，N3E被認(rèn)為實(shí)現(xiàn)了與N3相比更寬松的間距，例如CPP，M0和M1都被認(rèn)為出于性能和良率的原因而被放松。

與世界其他地區(qū)一樣，歐盟正試圖減少對(duì)從亞洲進(jìn)口半導(dǎo)體的依賴，今年早些時(shí)候根據(jù)歐洲芯片法案批準(zhǔn)了 430 億歐元(448 億美元)的補(bǔ)貼，以吸引芯片制造商進(jìn)入歐洲，目標(biāo)是到 2030 年，歐盟目前的市場(chǎng)份額將翻一番，達(dá)到全球半導(dǎo)體產(chǎn)量的 20% 左右。臺(tái)積電還可以尋求德國(guó)政府本身的額外補(bǔ)貼。

英國(guó)《金融時(shí)報(bào)》的報(bào)道稱，臺(tái)積電與材料和設(shè)備供應(yīng)商的會(huì)議“重點(diǎn)討論他們是否也可以進(jìn)行支持該工廠所需的投資”。臺(tái)積電在一份聲明中告訴The Register：“我們的全球制造擴(kuò)張戰(zhàn)略是基于客戶需求、商業(yè)機(jī)會(huì)、運(yùn)營(yíng)效率和成本經(jīng)濟(jì)方面的考慮。雖然我們不排除任何可能性，但我們目前沒(méi)有計(jì)劃?！?

臺(tái)積電總裁魏哲家于今年臺(tái)積電臺(tái)灣技術(shù)論壇中說(shuō)，3nm技術(shù)發(fā)展很困難，有好多客戶踴躍合作，臺(tái)積電3nm沿用鰭式場(chǎng)效晶體管(FinFET)架構(gòu)，是經(jīng)過(guò)考慮良久，制程技術(shù)推出不是好看、要實(shí)用，要協(xié)助客戶讓產(chǎn)品持續(xù)推進(jìn)。

相較于5nm，臺(tái)積電3奈米制程技術(shù)的邏輯密度將增加70%，在相同功耗下速度提升10%至15%，在相同速度下功耗降低25%至30%。預(yù)計(jì)，蘋(píng)果(Apple)及英特爾(Intel)等客戶都將采用臺(tái)積電3nm制程。

根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo)，瑞銀、花旗集團(tuán)、摩根大通和高盛等外資投行認(rèn)為，2023 年前兩季臺(tái)積電將面臨營(yíng)收下降的情況。隨著臺(tái)積電3nm產(chǎn)能的提升和最新制程產(chǎn)品的出貨，它將在2024 年恢復(fù)成長(zhǎng)。

花旗集團(tuán)指出，2023 年第一季和第二季，臺(tái)積電的單季營(yíng)收將分別下降14% 和9%。除此之外，利潤(rùn)也將下降5% 和15%。而瑞銀方面則是指出，臺(tái)積電2023 年第一季和2023 年第二季營(yíng)收將個(gè)別下降16% 和3%~4%。摩根大通是當(dāng)中最保守的，因?yàn)樗粌H預(yù)計(jì)2023 年第一季臺(tái)積電的營(yíng)收將下降12%，而且接下來(lái)的一季還會(huì)出現(xiàn)類似的下降幅度。

就在臺(tái)積電上季法說(shuō)會(huì)再度調(diào)降資本支出至 360 億美元后，當(dāng)時(shí)外資預(yù)估臺(tái)積電2023 年資本支出金額可能將進(jìn)一步縮減至320 億到300 億美元。不過(guò)，根據(jù)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)導(dǎo)，臺(tái)積電 2023 年的資本支出計(jì)劃可能受到臺(tái)灣先進(jìn)制程布局以及海外產(chǎn)能布局的帶動(dòng)下，調(diào)升至380億至390億美元的規(guī)模。

細(xì)數(shù)臺(tái)積電近年來(lái)的全球布局，它在 2015 年宣布到南京設(shè)廠、2016 年南京廠正式動(dòng)工、2018 年舉行量產(chǎn)典禮。時(shí)隔兩年，臺(tái)積電再度在 2020 年宣布將到美國(guó)亞利桑那州新建5nm的12吋先進(jìn)產(chǎn)能廠房

消息指出，高通和聯(lián)發(fā)科之所以猶豫要不要采用臺(tái)積電3nm，原因是成本極高。從10nm工藝開(kāi)始，臺(tái)積電的每片晶圓銷售價(jià)格開(kāi)始呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)，臺(tái)積電在2018年推出7nm工藝時(shí)，晶圓價(jià)格躍升至近10000美元，2020年5nm晶圓價(jià)格突破16000美元。

臺(tái)積電3nm每片晶圓銷售價(jià)格超過(guò)了20000美元，這個(gè)價(jià)格還是基準(zhǔn)報(bào)價(jià)。如果廠商的訂單量達(dá)不到臺(tái)積電的要求，價(jià)格還會(huì)大漲，這是高通和聯(lián)發(fā)科猶豫要不要使用臺(tái)積電3nm的重要原因之一。

臺(tái)積電保持技術(shù)領(lǐng)先，同時(shí)深耕臺(tái)灣，持續(xù)投資并與環(huán)境共榮，3nm量產(chǎn)暨擴(kuò)廠典禮展現(xiàn)臺(tái)積電在臺(tái)灣發(fā)展先進(jìn)技術(shù)及擴(kuò)充先進(jìn)產(chǎn)能的具體作為，與供應(yīng)鏈上下游一同成長(zhǎng)，培養(yǎng)未來(lái)人才，從設(shè)計(jì)到制造、封裝測(cè)試、從設(shè)備、到材料，為世界釋放最具競(jìng)爭(zhēng)力的先進(jìn)制程技術(shù)、可靠的產(chǎn)能驅(qū)動(dòng)未來(lái)科技的創(chuàng)新。