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[導(dǎo)讀]加州戈利塔--2023年1月13日--(美國商業(yè)資訊)--高可靠性、高性能氮化鎵(GAN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日宣布推出新的240瓦電源適配器參考設(shè)計(jì)。TDAIO-TPH-ON-240W-RD設(shè)計(jì)方案采用了CCM升壓PFC+半橋LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),功率密度高達(dá)30W/in3,最大功率轉(zhuǎn)換效率超過96%。該設(shè)計(jì)使用了三個(gè)Transphorm的SuperGaN? 功率管 (TP65H150G4PS),該氮化鎵功率管的導(dǎo)通電阻為150毫歐,采用為業(yè)界所熟悉且深受信賴的三引腳TO-220封裝。在使用PFC架構(gòu)、較高電流的電源系統(tǒng)中,這種晶體管封裝形式具有出色的低壓線路散熱性能。

目前,同業(yè)競爭氮化鎵技術(shù)均未推出插件式封裝的氮化鎵器件。采用符合產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的插件式封裝,電源能夠以更低的成本獲得功率密度優(yōu)勢。

加州戈利塔--2023年1月13日--(美國商業(yè)資訊)--高可靠性、高性能氮化鎵(GAN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日宣布推出新的240瓦電源適配器參考設(shè)計(jì)。TDAIO-TPH-ON-240W-RD設(shè)計(jì)方案采用了CCM升壓PFC+半橋LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),功率密度高達(dá)30W/in3,最大功率轉(zhuǎn)換效率超過96%。該設(shè)計(jì)使用了三個(gè)Transphorm的SuperGaN® 功率管 (TP65H150G4PS),該氮化鎵功率管的導(dǎo)通電阻為150毫歐,采用為業(yè)界所熟悉且深受信賴的三引腳TO-220封裝。在使用PFC架構(gòu)、較高電流的電源系統(tǒng)中,這種晶體管封裝形式具有出色的低壓線路散熱性能。

該參考設(shè)計(jì)旨在簡化并加速電源系統(tǒng)的開發(fā),適用于高功率密度的交直流電源、快充、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、筆記本電腦、醫(yī)療用電源、以及電動(dòng)工具等應(yīng)用。

主要規(guī)格及特點(diǎn)

TDAIO-TPH-ON-240W-RD是一款240W 24V 10A交直流電源適配器參考設(shè)計(jì),采用Transphorm的TP65H150G4PS氮化鎵功率管,搭配onsemi的市售NCP1654 CCM PFC控制器和NCP1399 LLC控制器。使用一個(gè)25毫米的散熱器,該設(shè)計(jì)的功率密度超過了24W/in3?;诓煌纳崞髟O(shè)計(jì),功率密度可提高約25%,達(dá)到30W/in3。

如此高的功率密度和轉(zhuǎn)換效率主要得益于設(shè)計(jì)中使用了TO-220封裝的功率管。目前,業(yè)界只有Transphorm提供這種封裝形式的高壓氮化鎵器件。電源適配器以及所有通用交直流電源的低壓線路(即90Vac)具有高電流,需要并聯(lián)兩個(gè)PQFN封裝(常見于增強(qiáng)型氮化鎵器件)的功率管,以達(dá)到所要求的功率輸出——使用這種方法,器件數(shù)量翻倍,降低了電源的功率密度。Transphorm的TO-220封裝有效解決了這一問題,以更低的成本實(shí)現(xiàn)卓越的功率密度,這是目前增強(qiáng)型氮化鎵器件無法做到的。

其它規(guī)格及特點(diǎn)還包括:

· 可運(yùn)行于90至264 Vac的寬輸入電壓下

· 峰值效率超過96%,不同電路及負(fù)載下效率曲線平坦

· 精準(zhǔn)的開關(guān)頻率調(diào)節(jié),提高輸入EMI濾波器的利用率

· 超過180kHz的開關(guān)頻率,適用于緊湊型設(shè)計(jì)

此款新參考設(shè)計(jì),豐富了Transphorm的適配器/快充設(shè)計(jì)工具組合。該產(chǎn)品組合目前包括五個(gè)開放式USB-C PD參考設(shè)計(jì),功率等級(jí)覆蓋45瓦至100瓦,以及兩個(gè)用于65瓦和140瓦的開放式USB-C PD/PPS適配器參考設(shè)計(jì)。

SuperGaN®的技術(shù)優(yōu)勢

在設(shè)計(jì)SuperGaN平臺(tái)時(shí),Transphorm的工程團(tuán)隊(duì)借鑒了以往產(chǎn)品生產(chǎn)過程中的經(jīng)驗(yàn),將這些知識(shí)與對(duì)性能、可制造性和成本的改進(jìn)相結(jié)合,進(jìn)而開發(fā)出一個(gè)由專利技術(shù)組成的新GaN平臺(tái)。該平臺(tái)在諸多方面均有實(shí)質(zhì)性的改進(jìn)和極大的簡化,例如:

· 性能:更平坦、更高的效率曲線,品質(zhì)因數(shù)(RON*QOSS)提高約10%。

· 易設(shè)計(jì)性:在高輸出電流下, 開關(guān)節(jié)點(diǎn)不需增加緩沖電路。

· 成本:簡化器件組裝有助于降低成本。

· 穩(wěn)健性:業(yè)界領(lǐng)先的+/-20Vmax柵極穩(wěn)健性和4V抗干擾性能。

· 可靠性:業(yè)界領(lǐng)先的可靠性,在超過850億小時(shí)的現(xiàn)場應(yīng)用中,F(xiàn)IT失效率<0.10。

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