6月5日，英諾賽科（蘇州）半導體有限公司舉辦量產暨研發(fā)樓奠基儀式，宣布英諾賽科蘇州8英寸硅基氮化鎵研發(fā)生產基地正式進入量產階段。該項目位于江蘇省蘇州市吳江區(qū)汾湖高新區(qū)，一期投資80億元，用地213畝，按當前計劃，到2021年底，產能可達6000片每月。項目全部達產后，預計將實現年產能78萬片8英寸硅基氮化鎵晶圓，年產值120億元，利稅15億元以上。
在量產儀式上，英諾賽科（蘇州）半導體有限公司總經理孫在亨表示，蘇州8英寸硅基氮化鎵研發(fā)生產基地正式量產是英諾賽科的一個里程碑。自項目從2018年6月正式啟動以來，過去三年英諾賽科爭分奪秒，奮力推進項目建設，在2019年8月主廠房封頂，于2020年9月開始設備搬入，到2021年6月就實現大規(guī)模量產，從設備搬入到開始量產僅用了8個半月時間，這是每一位英諾賽科人與合作伙伴的榮耀，也必將寫入第三代半導體產業(yè)發(fā)展史。
孫在亨指出，半導體產業(yè)發(fā)展70多年后，硅材料在功率和射頻方面的應用潛能已經被充分挖掘，難以大幅提高，以氮化鎵為代表的第三代半導體材料適逢其會，將引領未來十年半導體市場增長趨勢。該基地進入量產，標志著這家全球氮化鎵產能規(guī)劃最大的企業(yè)為氮化鎵應用時代的到來做好了準備。
與硅材料相比，氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬禁帶半導體材料也被稱為第三代半導體技術。與硅材料相比，寬禁帶半導體材料具有禁帶寬度大、飽和電子漂移速度高、擊穿場強高等優(yōu)勢。因此，用寬禁帶半導體材料制作的器件具有耐高溫、耐高壓、損耗低、高頻特性好等特點， 在功率與射頻應用中具有極高潛力。
在量產儀式上，國家集成電路產業(yè)基金總裁丁文武等先后發(fā)言，對英諾賽科在我國化合物半導體（即第三代半導體）產業(yè)發(fā)展中做出的成績予以肯定，也期許英諾賽科為我國氮化鎵產業(yè)發(fā)展開創(chuàng)新局面，做出更大貢獻。
在此前一天舉行的硅基氮化鎵產業(yè)發(fā)展峰會上，英諾賽科市場與銷售副總裁顧怡祥在演進中指出，英諾賽科是全球僅有的從低壓到高壓（30V-650V）全覆蓋的氮化鎵整合元件制造商。在快充適配器市場，已經有超過60家客戶的量產產品采用英諾賽科器件，出貨量達到千萬級；在激光雷達市場，超過5家廠商采用英諾賽科方案，出貨量達到百萬；在數據中心和手機應用上，英諾賽科產品也進入多家核心客戶方案中。
氮化鎵市場正處于早期發(fā)展階段向大規(guī)模應用跨越的關鍵期，英諾賽科的使命就是打通當前技術普及面臨的種種障礙，跨越鴻溝，讓氮化鎵技術真正惠及社會民生。
在量產儀式同期，英諾賽科還舉辦了研發(fā)樓奠基儀式。據公開信息，作為被國家四部委(發(fā)改委、工信部、財政部、海關總署)列入重點支持的0.25微米以下的集成電路企業(yè)，英諾賽科是國內第一個通過國家發(fā)改委窗口指導的第三代半導體項目；同時，作為蘇州市獨角獸培育企業(yè)，英諾賽科承擔了多個國家部委及省相關部門的重點研發(fā)項目。該研發(fā)樓建筑面積3.5萬平方米，共十層，高50米，將辦公、研發(fā)、餐廳三大功能融合在一起，研發(fā)樓建成投入使用以后，將為英諾賽科長期發(fā)展奠定良好基礎。
下載文檔
