ROHM確立可以更大程度激發(fā)GaN器件性能的“超高速驅(qū)動(dòng)控制”IC 技術(shù)

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）確立了一項(xiàng)超高速驅(qū)動(dòng)控制IC技術(shù)，利用該技術(shù)可更大程度地激發(fā)出GaN等高速開(kāi)關(guān)器件的性能。

近年來(lái)，GaN器件因其具有高速開(kāi)關(guān)的特性優(yōu)勢(shì)而被廣泛采用，然而，如何提高控制IC（負(fù)責(zé)GaN器件的驅(qū)動(dòng)控制）的速度已成為亟需解決的課題。

在這種背景下，ROHM進(jìn)一步改進(jìn)了在電源IC領(lǐng)域確立的超高速脈沖控制技術(shù)“Nano Pulse Control?”，成功地將控制脈沖寬度從以往的9ns提升至2ns，達(dá)到業(yè)界超高水平。通過(guò)將該技術(shù)應(yīng)用在控制IC中，又成功地確立了可更大程度激發(fā)GaN器件性能的超高速驅(qū)動(dòng)控制IC技術(shù)。

目前，ROHM正在推動(dòng)應(yīng)用該技術(shù)的控制IC產(chǎn)品轉(zhuǎn)化工作，計(jì)劃在2023年下半年開(kāi)始提供100V輸入單通道DC-DC控制器的樣品。通過(guò)將其與ROHM的“EcoGaN?系列”等GaN器件相結(jié)合，將會(huì)為基站、數(shù)據(jù)中心、FA設(shè)備和無(wú)人機(jī)等眾多應(yīng)用實(shí)現(xiàn)顯著節(jié)能和小型化做出貢獻(xiàn)。

未來(lái)，ROHM將繼續(xù)以其擅長(zhǎng)的模擬技術(shù)為中心，追求應(yīng)用的易用性，積極開(kāi)發(fā)解決社會(huì)課題的產(chǎn)品。

日本大阪大學(xué) 研究生院工學(xué)研究科 森 勇介 教授表示：“多年來(lái)，GaN作為能夠?qū)崿F(xiàn)節(jié)能的功率半導(dǎo)體材料一直備受期待，但這種材料在品質(zhì)和成本等方面還存在諸多問(wèn)題。在這種背景下，ROHM建立了高可靠性GaN器件的量產(chǎn)體系，并積極推動(dòng)能夠更大程度地發(fā)揮出GaN器件性能的控制IC開(kāi)發(fā)。這對(duì)于促進(jìn)GaN器件的普及而言，可以說(shuō)是非常重要的一大步。要想真正發(fā)揮出功率半導(dǎo)體的性能，就需要將晶圓、元器件、控制IC、模塊等多種技術(shù)有機(jī)結(jié)合起來(lái)。在這方面，日本有包括ROHM在內(nèi)的很多極具影響力的企業(yè)。從我們正在研究的GaN-on-GaN晶圓技術(shù)到ROHM正在研究的元器件、控制IC和模塊，需要整個(gè)國(guó)家通力合作，為實(shí)現(xiàn)無(wú)碳社會(huì)貢獻(xiàn)力量?！?

＜背景＞

在追求電源電路小型化時(shí)，需要通過(guò)高頻開(kāi)關(guān)來(lái)減小外圍元器件的尺寸，而這就需要能夠充分激發(fā)出GaN等高速開(kāi)關(guān)器件驅(qū)動(dòng)性能的控制IC。這次，為了實(shí)現(xiàn)包含外圍元器件的解決方案，ROHM確立了非常適合GaN器件的超高速驅(qū)動(dòng)控制IC技術(shù)，該技術(shù)中還融入了ROHM引以為豪的模擬電源技術(shù)之一“Nano Pulse Control?”技術(shù) 。

＜控制IC技術(shù)詳情＞

該技術(shù)采用了在ROHM的垂直統(tǒng)合型生產(chǎn)體制下融合了電路設(shè)計(jì)、工藝和布局三大模擬技術(shù)而實(shí)現(xiàn)的“Nano Pulse Control?”技術(shù)。通過(guò)采用自有的電路結(jié)構(gòu)，將控制IC的最小控制脈寬由以往的9ns大幅提升至2ns，這使得以48V和24V應(yīng)用為主的應(yīng)用，僅需1枚電源IC即可完成從高電壓到低電壓的降壓轉(zhuǎn)換工作（從最高60V到0.6V）。該技術(shù)非常適合與GaN器件相結(jié)合，實(shí)現(xiàn)高頻開(kāi)關(guān)，從而助力外圍元器件小型化，對(duì)采用了該技術(shù)的DC-DC控制器IC（開(kāi)發(fā)中）和采用了EcoGaN?技術(shù)的電源電路進(jìn)行比較時(shí)，后者的安裝面積比采用普通產(chǎn)品時(shí)可減少86%。