2023 年第一季度 NAND-Flash 存儲(chǔ)或?qū)⒗m(xù)跌
據(jù)業(yè)內(nèi)信息統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù),2023 年第一季度 NAND-Flash 存儲(chǔ)市場的營收或?qū)⒊掷m(xù)下滑,除了傳統(tǒng)的淡季影響之外,還和過去兩年的市場影響以及雙邊制裁等因素有關(guān)。據(jù)悉,NAND-Flash 存儲(chǔ)市場去年不斷下跌,最后一個(gè)季度下滑近 25%。
首先,F(xiàn)lash 稱為閃存,是一種像電可擦寫只讀存儲(chǔ)器一樣的存儲(chǔ)器,允許對(duì)資料進(jìn)行多次的刪除、加入或改寫。這種內(nèi)存廣泛用于儲(chǔ)存卡、U盤之中,因其可迅速改寫的特性非常適合手機(jī)、筆記本電腦、游戲主機(jī)、掌機(jī)之間的文件轉(zhuǎn)移,也曾經(jīng)是數(shù)字相機(jī)、數(shù)字隨身聽和PDA的主要資料轉(zhuǎn)移方式。
早期的閃存只要進(jìn)行一次刪除就會(huì)連帶清除掉所有的資料,但目前已可以精確到對(duì)指定的資料進(jìn)行單個(gè)刪除。與傳統(tǒng)的硬盤相比,閃存有更佳的動(dòng)態(tài)抗震性,不會(huì)因?yàn)閯×一蝿?dòng)而造成資料丟失;閃存在被做成儲(chǔ)存卡時(shí)非常堅(jiān)固牢靠,可以浸在水中,也可抵抗高壓力和極端溫度;并且閃存屬于非易失性固態(tài)存儲(chǔ),非易失性指的是在保存文件時(shí)不需要消耗電力。基于以上這些優(yōu)點(diǎn),使得閃存非常適用于需要游歷各種場所并需要隨時(shí)存檔的電子設(shè)備,因此在小型的可移動(dòng)電子設(shè)備中大放異彩。
Flash 的出現(xiàn)迅速取代了造價(jià)高昂的普通 EEPROM 或需要保持供電才能保存數(shù)據(jù)的 SRAM。本來 Flash 在分類上屬于 EEPROM 的,但現(xiàn)在一般業(yè)界所講的 EEPROM 指的是非快閃式的普通 EEPROM。Flash 以“宏塊抹除”的方式改寫其體內(nèi)的資料,因?yàn)檫@種宏塊的特性導(dǎo)致它的“寫入速度”往往慢于“讀取速度”,但同時(shí)也使其成本遠(yuǎn)低于“以字節(jié)為單位寫入”的普通 EEPROM。因?yàn)槠胀?EEPROM 需要逐個(gè)比特的刪除已有資料,這讓其傳輸速度極其緩慢,相較之下快閃記體直接使用“宏塊抹除”則會(huì)快得多,在會(huì)多次用到高清畫面、高質(zhì)量音樂的情況下尤為明顯。
Flash 分為 NOR 與 NAND 兩型,其最常見的封裝方式是 TSOP48 和 BGA,在邏輯接口上的標(biāo)準(zhǔn)則由于廠商陣營而區(qū)分為兩種: ONFI (頁面存檔備份,存于互聯(lián)網(wǎng)檔案館)和 Toggle。手機(jī)上的閃存常常以 eMMC、UFS 和 NVME(特用于蘋果設(shè)備中的閃存)的方式存在。
我們本文的內(nèi)容說的是 NAND-Flash 存儲(chǔ)器,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。NAND-Flash 存儲(chǔ)器具有容量較大,改寫速度快等優(yōu)點(diǎn),適用于大量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用。
根據(jù)知情人士透露,今年第一季度以來,美光(Micron)和鎧俠電子(Kioxia)等存儲(chǔ)大廠產(chǎn)線持續(xù)拉低負(fù)載,西部數(shù)據(jù)、SK 海力士將不斷減產(chǎn)來緩解目前供給過剩的情況,NAND-Flash 存儲(chǔ)器的均價(jià)跌幅也回到了 10~15%。
雖然各大廠商不斷減產(chǎn)對(duì)減少 NAND-Flash 存儲(chǔ)器跌價(jià)幅度有一定積極意義,但是本季度本來就是傳統(tǒng)淡季,市場需求并不好導(dǎo)致整體 NAND-Flash 產(chǎn)品單量受限,因此預(yù)計(jì) 2023 年第一季度 NAND-Flash 存儲(chǔ)器市場營收仍將持續(xù)下跌。從去年下半年開始,NAND-Flash 存儲(chǔ)市場就面臨需求逆風(fēng),供應(yīng)鏈積極去化庫存加以應(yīng)對(duì),此情況導(dǎo)致去年最后一個(gè)季度的 NAND-Flash 存儲(chǔ)合約價(jià)格直接下跌 20~25%,其中 Enterprise SSD 跌幅約為 23~28%
據(jù)悉,在存儲(chǔ)廠商不斷下探價(jià)格以換取銷量的同時(shí),產(chǎn)業(yè)下游以及終端為避免零部件庫存再積累導(dǎo)致備貨積極性下滑,這也導(dǎo)致去年第四季度 NAND-Flash 存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)營收環(huán)比下跌 25.0%,達(dá) 102.9 億美元。
據(jù)悉,去年第四季度,美光存儲(chǔ)以及鎧俠電子在價(jià)格下跌的同時(shí)出貨量同步下滑,其中鎧俠營收跌幅高達(dá) 30.5%,主要是 PC 及智能手機(jī)客戶需求疲弱,以及數(shù)據(jù)中心客戶庫存調(diào)節(jié)所致。美光營收環(huán)比減少 34.7%,目前已大幅降低晶圓廠稼動(dòng)率,不過由于其 232 層 Client SSD 產(chǎn)品如期出貨,176 層 QLC Enterprise SSD 后續(xù)也將跟進(jìn),預(yù)期美光位元出貨量在 2023 年會(huì)逐步改善。
除此之外,在存儲(chǔ)市場三星憑借成本優(yōu)勢且力推大容量產(chǎn)品并拉升位元出貨量,平均銷售單價(jià)則大幅降低導(dǎo)致去年第四季營收環(huán)比減少 19.1%,但是以其龐大的體量仍然擁有者大約 34% 的市占率。雖然現(xiàn)階段三星還暫無減產(chǎn)計(jì)劃,但近年 NAND-Flash 市場競爭者技術(shù)進(jìn)展不斷威脅三星在存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)先地位,因此在同行競對(duì)紛紛減產(chǎn)的情況下,三星傾向維持資本支出及研發(fā)投入力求拉大技術(shù)及產(chǎn)能優(yōu)勢。
除三星之外,韓國另一家存儲(chǔ)大廠 SK 集團(tuán)(SK hynix & Solidigm)受到客戶去化庫存持續(xù)及市場激烈的價(jià)格競爭影響,2022 年第四季度的營收環(huán)比下滑高達(dá) 31%。因?yàn)橄M(fèi)電子占 SK 海力士的產(chǎn)品組合比重較高,智能手機(jī)新品推出有助于支撐部分需求,再加上 Enterprise SSD 出貨較預(yù)期好,其位元出貨季增達(dá) 6.7%。西部數(shù)據(jù)(WDC)第四季度的位元出貨量環(huán)比增加 20%,雖然價(jià)格也有大幅度下調(diào),但其 NAND-Flash 部門營收環(huán)比僅下滑不到 4%。