芯片筑造無缺進程席卷芯片計劃、晶片筑造、封裝筑造、測試等幾個合節(jié)，此中晶片筑造進程尤為的豐富。最先是芯片計劃，憑據(jù)計劃的需求，天生的“圖樣”
晶圓的因素是硅，硅是由石英沙所簡明出來的，晶圓便是硅元素加以純化(99.999%)，接著是將這些純硅造成硅晶棒，成為成立集成電途的石英半導(dǎo)體的原料，將其切片便是芯片筑造全體所必要的晶圓。晶圓越薄，臨盆的本錢越低，但對工藝就請求的越高。
正在晶圓(或襯底)表觀涂上一層光刻膠并烘干。烘干后的晶圓被傳送到光刻機內(nèi)部。光彩透過一個掩模把掩模上的圖形投影正在晶圓表觀的光刻膠上，完畢曝光，激勵光化學(xué)反映。對曝光后的晶圓實行第二次烘烤，即所謂的曝光后烘烤，后烘烤是的光化學(xué)反映更彌漫。
終末，把顯影液噴灑到晶圓表觀的光刻膠上，對曝光圖形顯影。顯影后，掩模上的圖形就被存留正在了光刻膠上。涂膠、烘烤和顯影都是正在勻膠顯影機中實行的，曝光是正在光刻機中實行的。勻膠顯影機和光刻機通常都是聯(lián)機功課的，晶圓通過板滯手正在各單位和呆板之間傳送。
CMOS芯片工藝流程可分為前端制造(包括晶圓處理、晶圓測試)和后段制造(包括封裝、測試)。
晶圓處理：是在硅晶圓上制作電子器件(如CMOS、電容、邏輯閘等)與電路，該過程極其復(fù)雜且投資極大，以微處理器為例，其制造工序可達(dá)數(shù)百道，所需加工設(shè)備先進且昂貴，動輒上千萬美元一臺。對制造環(huán)境無塵室(Clean-room)的要求極嚴(yán)苛，溫度、濕度與含塵均需嚴(yán)格控制。盡管，各類產(chǎn)品的制造工序稍有不同，但基本工序一般是在晶圓清洗后，進行氧化及淀積，然后反復(fù)進行光刻、刻蝕、薄膜淀積及離子注入等工序，最后形成晶圓上的電路。
晶圓測試：是在晶圓完成后，在晶圓上進行的電測試。一般情形下，一片晶圓上只有一種產(chǎn)品。每個晶粒將會一一經(jīng)過測試，不合格的晶粒被標(biāo)上記號。然后，晶圓將以晶粒為單位切割成一粒粒獨立的晶粒。
芯片封裝：利用塑料或陶瓷包裝晶粒與配線以成產(chǎn)品;目的是給制造出的電路加上保護層，避免電路受到機械性刮傷或是高溫破壞。
最后測試：是對封裝好的芯片進行測試，以保證其正品率即良率。
芯片設(shè)計的debug
這個設(shè)計階段對于任何芯片生產(chǎn)公司來說都是舉足輕重的一步，因為如果芯片設(shè)計在投片生產(chǎn)出來以后驗證出并不能像設(shè)計的那樣正常工作，那就不僅意味著重新設(shè)計。整個驗證工作分為好幾個過程，基本功能測試驗證芯片內(nèi)的所有的門電路能正常工作，工作量模擬測SY來證實門電路組合能達(dá)到的性能。當(dāng)然，這時候還沒有真正物理意義上真正的芯片存在，這些所有的測試依舊是通過HDL編成的程序模擬出來的。
芯片制造是一層層向上疊加的，最高可達(dá)上百次疊加。每一次的疊加，都必須和前一次完美重疊，重疊誤差要求是1~2納米。而晶圓從傳送模組放置在晶圓平臺上，會產(chǎn)生一定的機械誤差，而精密機械的誤差是微米等級(1微米=1,000納米)。每次曝光之前，必須針對每片晶圓做精密的量測，截取到晶圓每一個區(qū)塊納米等級的微小誤差。在曝光階段實時校正，達(dá)到納米等級的準(zhǔn)度。
后期封裝是用導(dǎo)線將硅片上的電路管腳接引至外部接頭支出，以便于硅片能夠連接其他器件，然后為硅片添加外殼，其將起到安裝、固定、增強電熱性能、密封、保護芯片等方面的作用。
用導(dǎo)線通過芯片上的接點連接到封裝外殼的引腳，而用導(dǎo)線通過這些引腳又能夠?qū)崿F(xiàn)連接其他器件，自此使內(nèi)部芯片與外部電路實現(xiàn)成功連接。芯片后期封裝完成以后，還需要接受質(zhì)量檢驗，檢驗合格的產(chǎn)品才交付用戶。
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