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[導(dǎo)讀]據(jù) 21 ic 近日獲悉,臺積電于昨天在舉辦北美技術(shù)論壇,宣布 2nm 制程工藝在良率和元件效能進(jìn)展良好,將如期于 2025 年量產(chǎn),并推出新 3nm 制程工藝的最新進(jìn)展和路線圖,第三代 3nm 制程工藝(N3P)預(yù)計(jì)于明年下半年量產(chǎn),第四代 3nm 制程工藝(N3X)將于 2025 年投入量產(chǎn)。

據(jù) 21 ic 近日獲悉,臺積電于昨天在舉辦北美技術(shù)論壇,宣布 2nm 制程工藝在良率和元件效能進(jìn)展良好,將如期于 2025 年量產(chǎn),并推出新 3nm 制程工藝的最新進(jìn)展和路線圖,第三代 3nm 制程工藝(N3P)預(yù)計(jì)于明年下半年量產(chǎn),第四代 3nm 制程工藝(N3X)將于 2025 年投入量產(chǎn)。

據(jù)悉,臺積電北美技術(shù)論壇于美國加州硅谷圣塔克拉拉市舉行,該會議的參會人員超過 1600 人,其中包括臺積電的客戶以及合作伙伴,為接下來幾個(gè)月陸續(xù)登場的全球技術(shù)論壇揭開序幕,現(xiàn)場還設(shè)置了創(chuàng)新專區(qū),展示了 18 家新興客戶的創(chuàng)新技術(shù)。

臺積電總裁魏哲家出席論壇并表示,客戶從未停止尋找新方法,利用芯片的力量為世界帶來令人驚嘆的創(chuàng)新,并創(chuàng)造更美好的未來。憑借著相同的精神,臺積電也持續(xù)成長進(jìn)步,加強(qiáng)并推進(jìn)制程技術(shù),提高效能、功耗效率及功能性,協(xié)助客戶在未來持續(xù)釋放更多的創(chuàng)新。

本次論壇會議臺積電揭示了最新的技術(shù)發(fā)展情況,包括 2nm、3nm 制程工藝制程技術(shù)進(jìn)展、3DFabric 先進(jìn)封裝及矽晶堆疊的系統(tǒng)整合技術(shù)等。其中采用納米片電晶體架構(gòu)的 2nm 制程工藝在良率與元件效能上皆展現(xiàn)良好的進(jìn)展,將如期于 2025 年量產(chǎn)。相比于第二代 3nm 制程工藝,2nm 制程工藝在相同功耗下,速度最快將可增加 15%,在相同速度下,功耗最多可降低30%,同時(shí)晶體管密度增加逾 15%。

臺積電的 3nm 制程工藝有 4 代:N3、N3E、N3P、N3X,目前的第一代是 N3,第二代是成本優(yōu)化后的 N3E,第三代是提升性能的 N3P,第四代是高壓耐受的 N3X。其中 N3E/N3P 本質(zhì)上均為 N3 的光學(xué)縮小版,可以降低復(fù)雜度和成本,同時(shí)提高性能和晶體管密度,但第四代的 N3X 則是專為 HPC 領(lǐng)域設(shè)計(jì)的工藝,可以支持更高的電壓和頻率,從而實(shí)現(xiàn)更強(qiáng)的計(jì)算能力。

隨著第一代 3nm 制程工藝制程已進(jìn)入量產(chǎn),今年下半年第二代的 N3E 也會量產(chǎn)。臺積電表示將支援更佳功耗、效能與密度更強(qiáng)的第三代 3nm 制程工藝(N3P)盡快于明年下半年進(jìn)入量產(chǎn),相較于第二代,第三代在相同功耗下速度提升 5%,在相同速度下功耗降低 5%~10%,晶體管密度增加 4%。

最后,第四代的 N3X 制程工藝是為高效能運(yùn)算應(yīng)用量身打造,著重于效能與最大時(shí)脈頻率,相較于第三代 3nm 制程工藝,驅(qū)動電壓 1.2 伏特下速度提升 5%,預(yù)計(jì)于 2025 年進(jìn)入量產(chǎn)。

為讓客戶能夠提早采用 3nm 制程工藝技術(shù)來設(shè)計(jì)汽車應(yīng)用產(chǎn)品以便于 2025 年及時(shí)采用屆時(shí)已全面通過汽車制程驗(yàn)證的 N3A 制程,臺積電預(yù)計(jì)今年下半年推出 N3AE,提供以 N3E 為基礎(chǔ)的汽車制程設(shè)計(jì)套件(PDK)。在互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)射頻技術(shù),臺積電新推出 N4PRF,支援 WiFi7 射頻系統(tǒng)單芯片等數(shù)位密集型的射頻應(yīng)用。相較于 2021年推出的 N6RF 技術(shù),N4PRF邏輯密度增加 77%,且在相同速度下,功耗降低 45%。

先進(jìn)封裝方面,臺積電為了滿足高效能運(yùn)算應(yīng)用在單一封裝中置入更多處理器及存儲的需求正在開發(fā)具有高達(dá) 6 個(gè)光罩尺寸(約 5000 平方毫米)重布線層(RDL)中介層的 CoWoS解決方案,能夠容納 12 個(gè)高頻寬存儲堆疊。

臺積電在三維芯片堆疊推出 SoIC-P 作為系統(tǒng)整合芯片(SoIC)解決方案的微凸塊版本,提供具有成本效益的方式來進(jìn)行 3D 芯片堆疊,SoIC-P 加上目前的 SoIC-X 無凸塊解決方案使臺積電的 3D IC 技術(shù)更加完善。

臺積電在設(shè)計(jì)上也推出了開放式標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)語言的最新版本 3Dblox 1.5,旨在降低三維積體電路(3DIC)的設(shè)計(jì)門檻。3Dblox 1.5 增加了自動凸塊合成的功能,協(xié)助芯片設(shè)計(jì)人員處理具有數(shù)千個(gè)凸塊的復(fù)雜大型芯片短數(shù)個(gè)月的設(shè)計(jì)周期。

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