EPCGaN FET配以ADI控制器可實(shí)現(xiàn)具有最高功率密度的穩(wěn)壓DC/DC轉(zhuǎn)換器

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)和Analog Devices(ADI)公司攜手新推的參考設(shè)計(jì)采用經(jīng)過全面優(yōu)化的新型模擬控制器來驅(qū)動EPC的氮化鎵場效應(yīng)晶體管，可實(shí)現(xiàn)超過96.5%的效率。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布新推EPC9158，這是一款工作在500 kHz開關(guān)頻率的雙輸出同步降壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)，可將48 V~54 V的輸入電壓轉(zhuǎn)換為12 V穩(wěn)壓輸出，可提供高達(dá)每相25 A電流或50 A總連續(xù)電流。ADI的新型LTC7890同步氮化鎵降壓控制器與EPC的超高效GaN FET相結(jié)合，可為高功率密度應(yīng)用提供占板面積小且非常高效的解決方案。該解決方案在48 V/12 V 、50 A連續(xù)電流下可實(shí)現(xiàn) 96.5%的效率。

高功率密度使該解決方案成為需要小尺寸和高效率的計(jì)算、工業(yè)、消費(fèi)和電信電源系統(tǒng)的理想選擇。eGaN? FET開關(guān)快、效率高和尺寸小，可滿足這些前沿應(yīng)用對高功率密度的嚴(yán)格要求。

EPC9158參考設(shè)計(jì)采用100 V的增強(qiáng)型氮化鎵場效應(yīng)晶體管(EPC2218)和LTC7890兩相模擬降壓控制器，并帶有集成式氮化鎵驅(qū)動器。

LTC7890是一款100 V、具有低 Iq、雙路、兩相的同步降壓控制器，它經(jīng)過全面優(yōu)化，可驅(qū)動EPC的GaN FET，并集成了一個半橋驅(qū)動器和智能自舉二極管。經(jīng)過優(yōu)化的死區(qū)時間或可編程死區(qū)時間接近零，以及可編程開關(guān)頻率可高達(dá)3 MHz。5 uA 的靜態(tài)電流（VIN=48 V、VOUT=5 V、僅限CH1）可實(shí)現(xiàn)非常低的待機(jī)功耗和卓越的輕負(fù)載效率。

EPC2218是一款100 V 的GaN FET，具有3.2 mOhm最大導(dǎo)通電阻、10.5 nC QG、1.5 nC QGD、46 nC QOSS和沒有反向恢復(fù)（QRR），占位面積超小，只有3.5 mm x 1.95 mm，可提供高達(dá)60 A的連續(xù)電流和231 A的峰值電流。優(yōu)越的動態(tài)參數(shù)可以在500 kHz開關(guān)頻率下，實(shí)現(xiàn)非常小的開關(guān)損耗。

EPC9158的效率在12 V輸出和48 V輸入時超過96.5%。除了輕載工作模式和可調(diào)死區(qū)時間外，該板還提供欠壓鎖定、過流保護(hù)和power good輸出。

宜普電源轉(zhuǎn)換公司首席執(zhí)行官Alex Lidow 說:“GaN FET能夠?qū)崿F(xiàn)具有最高功率密度的DC/DC轉(zhuǎn)換器。我們很高興與ADI公司合作，將其先進(jìn)控制器與EPC的高性能氮化鎵器件相結(jié)合，可以為客戶提供具有最高功率密度和采用少量元件的解決方案，從而提高效率、增加功率密度和降低系統(tǒng)成本。”

ADI公司高級產(chǎn)品營銷經(jīng)理Tae Han說:“ADI公司的LTC7890可充分發(fā)揮EPC eGaN FET的高性能優(yōu)勢，用于高功率密度解決方案。LTC7890可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率和經(jīng)過優(yōu)化的死區(qū)時間，與市場上現(xiàn)有的解決方案相比，性能更卓越且功耗更低。通過這些新型控制器，客戶可以發(fā)揮氮化鎵器件的高速開關(guān)優(yōu)勢，從而實(shí)現(xiàn)最高的功率密度。"