三星半導(dǎo)體開始量產(chǎn) 12nm 工藝節(jié)點(diǎn) DDR5 DRAM

21ic 近日獲悉，三星電子表示已經(jīng)開始批量生產(chǎn)采用 12nm 級(jí)工藝節(jié)點(diǎn)制造的雙倍數(shù)據(jù)速率 5(DDR5) DRAM，去年年底的時(shí)候該公司宣布開發(fā) 16Gb DDR5 DRAM，通過量產(chǎn)先進(jìn)的 12nm DDR5 DRAM 印證了其在存儲(chǔ)芯片中的主導(dǎo)地位。

三星電子官方表示 16Gb DDR5 DRAM 的功耗降低將使服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心運(yùn)營(yíng)商能夠減少能源消耗和碳足跡，該芯片具有 7.2Gbps 的最高速度，可以在大約一秒內(nèi)處理 60GB 數(shù)據(jù)，主要針對(duì)數(shù)據(jù)中心、人工智能和新的計(jì)算應(yīng)用。

據(jù)悉，三星電子實(shí)現(xiàn)了 12nm 的工藝節(jié)點(diǎn)主要得益于采用了一種新的高k材料，可以讓芯片準(zhǔn)確地區(qū)分?jǐn)?shù)據(jù)信號(hào)的差異，而且采用 EUV 來實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)最高的密度。去年年底 DRAM 已經(jīng)驗(yàn)證了與 AMD 的兼容性，三星表示目前正在與全球其他更多的客戶合作。

三星的 12nm DRAM量產(chǎn)成為了在 存儲(chǔ)芯片低迷時(shí)期最先進(jìn)的 DRAM，也從側(cè)面說明了三星在全球存儲(chǔ)半導(dǎo)體制造商中的領(lǐng)先地位。三星表示新芯片相比于上一代功耗降低了 23%，而晶圓產(chǎn)能提高了 20%，這說明晶圓的利用率上升使得單個(gè)晶圓多生產(chǎn) 20% 的芯片，而且新的芯片可能會(huì)在體積上更小。

因?yàn)闃I(yè)內(nèi)對(duì)于這樣的工藝命名體系并不統(tǒng)一，三星最新的 DRAM 在自家體系里是用第五代 10nm 級(jí)工藝節(jié)點(diǎn)制造的，但是不同公司制造的芯片之間的實(shí)際晶體管尺寸和密度，與其用于營(yíng)銷的工藝節(jié)點(diǎn)名稱無關(guān)，如果不進(jìn)行測(cè)試就很難知道，并且彼此之間可能會(huì)有很大差異。

據(jù)悉，因?yàn)榘雽?dǎo)體芯片部門虧損嚴(yán)重 三星的利潤(rùn)跌至 14 年新低，但三星預(yù)計(jì)下半年芯片需求將逐步回升。三星今年第一季度收入為 63.75 萬億韓元，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為 0.64 萬億韓元，分別比去年同期下降 18% 和 96%。

不僅三星，其他存儲(chǔ)半導(dǎo)體公司比如 SK 海力士和美光科技也表示內(nèi)存芯片的需求低迷和供應(yīng)過剩使其最近一個(gè)財(cái)季出現(xiàn)了嚴(yán)重虧損，隨后這三家公司都宣布削減其計(jì)劃產(chǎn)量。多年來服務(wù)器客戶一直對(duì) DRAM 需求旺盛，而 DRAM 的需求放緩一直是經(jīng)濟(jì)下滑的最重要原因之一。