6月8日消息，國外網(wǎng)友Revegnus (@Tech_Reve)在Twitter上曝光據(jù)稱是臺積電圓代工的報價單，其中一張圖片資料來源于已經(jīng)成立了37年的專業(yè)的研究機構The Information Network。
根據(jù)Revegnus 公布的第一張資料圖顯示，隨著臺積電制程工藝的持續(xù)推進，其晶圓代工報價也是在持續(xù)加速上漲。
比如以2020年的晶圓代工價格來看，臺積電于2004年四季度量產(chǎn)的9onm制程，2020年時的晶圓代工報價為每片晶圓1650美元，而2020年一季度量產(chǎn)的5nm的晶圓代工報價則已經(jīng)上漲到了每片晶圓16988美元，相比每片7nm晶圓的代工報價9346美元上漲了約81.8%。而7nm晶圓的代工報價則比10nm上漲了約57.5%。
當然，在這過程當中，隨著制程工藝的越來越先進，臺積電加工每片晶圓所消耗的成本也在持續(xù)上升。
比如在2020年，加工每片90nm制程晶圓所消耗的成本為411美元，而加工每片5nm制程晶圓所消耗的成本已經(jīng)上升到了4235美元，相比加工每片7nm制程晶圓所消耗的成本2330美元也增長了81.8%。顯然，臺積電晶圓代工報價的上漲幅度與加工成本的上漲幅度是基本接近的。
需要指出的是，這里所說的僅僅只是加工成本，其他還有像半導體硅片等材料、半導體設備(折舊)、人力、工廠基礎設施建設(折舊)、水電等諸多方面的成本(上面圖表中將其與臺積電的加價放在了一起，并未單列)。從圖表來看，臺積電的折舊是按照每年大約25%來進行折舊，大約4年完成折舊。
根據(jù)Revegnus 公布的源自The Information Network的資料圖顯示，2023年臺積電3nm的晶圓代工報價為19150美元每片晶圓，相比5nm的13400美元增長了42.9%。
這里可以看到，前一張圖表當中，2020年之時5nm晶圓的代工報價為16988美元每片晶圓，而The Information Network的圖表中，2020年之時5nm晶圓的代工報價為13486美元每片晶圓，二者之間存在著一定的差異。
在筆者看來，作為一家資深的研究機構The Information Network的數(shù)據(jù)可能更為靠譜一些(畢竟一份報告都是要賣5000美元左右甚至更高)。
我們可以看到，相對于2020年，臺積電7nm晶圓代工的價格在2021年增長了0.5%，2022年則是持平，穩(wěn)定在10775美元，2023年價格則是同比下滑了5.3%;5nm則是在2021年上漲了4.5%至14105美元，2023年則是同比下滑了5%至13400美元。
總體來看，2020-2022年間，7nm和5nm的代工價格并沒有出現(xiàn)隨時間推移而降低，相反還出現(xiàn)了一定的上漲。而這主要是由于疫情期間，晶圓代工產(chǎn)能供不應求(成熟制程更為緊缺)、各類原材料價格上漲，使得臺積電有上調部分制程節(jié)點的晶圓代工報價。
值得注意的是，今年年初，臺積電還上調了部分制裁節(jié)點的晶圓代工報價，那么為什么The Information Network給出的2023年5nm和7nm晶圓代工報價相比2022年都是同比下滑了5%左右呢?
由于臺積電每一個的制程工藝節(jié)點都會有多個不同的版本，且不同版本晶圓代工的費用也不盡相同。另外，即便是同一版本的制程工藝節(jié)點，對于不同訂單量級的客戶來說，也會存在不同的折讓。
因此，The Information Network給出的2023年的數(shù)據(jù)應該是整個全年的平均價格預測數(shù)據(jù)，畢竟自去年下半年以來，全球半導體市場持續(xù)下滑，使得自去年四季度以來，已經(jīng)有部分晶圓代工廠產(chǎn)能利用持續(xù)下滑，不得不開始降價應對。
臺積電此前曾在財報會議上表示，預計上半年以美元計營收將同比下降約10%;預計下半年業(yè)務將強于上半年。但是，對于2023年全年營收預計將以中低個位數(shù)百分比的幅度下滑。
另外，The Information Network的數(shù)據(jù)預計，自2023年開始至2025年，臺積電各個先進制裁節(jié)點的晶圓代工報價將會逐年下降。至于2025年量產(chǎn)的2nm制程，預計晶圓代工報價約為24570美元，相比屆時的3nm晶圓代工報價18445美元上漲了33.2%。
最新的消息顯示，臺積電近期已經(jīng)啟動了2nm試產(chǎn)的前置作業(yè)，預計導入最先進AI系統(tǒng)來加速試產(chǎn)效率。目標今年試產(chǎn)近千片，試產(chǎn)順利后，將導入后續(xù)建設完成的竹科寶山Fab 20廠，由該廠團隊接力沖刺2024年風險試產(chǎn)與2025年量產(chǎn)目標。
相對于3nm(N3E)制程來說，臺積電2nm制程將會首次采樣全新環(huán)繞閘極(GAA)晶體管架構，雖然晶體管密度僅提升了10%，但在相同功耗下，臺積電2nm工藝的性能將提升10~15%;而在相同性能下，臺積電2nm工藝的功耗將降低23~30%。
根據(jù)臺積電的計劃，其首款2nm制程(N2)將于2025年量產(chǎn)，并且會在2026年推出N2P和 N2X。
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