在這篇文章中，小編將對LED芯片的相關內容和情況加以介紹以幫助大家增進對它的了解程度，和小編一起來閱讀以下內容吧。
LED芯片是一種固態(tài)的半導體器件，LED的心臟是一個半導體的晶片，晶片的一端附在一個支架上，一端是負極，另一端連接電源的正極，使整個晶片被環(huán)氧樹脂封裝起來。
也稱為led發(fā)光芯片，是led燈的核心組件，也就是指的P-N結。其主要功能是：把電能轉化為光能，芯片的主要材料為單晶硅。半導體晶片由兩部分組成，一部分是P型半導體，在它里面空穴占主導地位，另一端是N型半導體，在這邊主要是電子。但這兩種半導體連接起來的時候，它們之間就形成一個P-N結。當電流通過導線作用于這個晶片的時候，電子就會被推向P區(qū)，在P區(qū)里電子跟空穴復合，然后就會以光子的形式發(fā)出能量，這就是LED發(fā)光的原理。而光的波長也就是光的顏色，是由形成P-N結的材料決定的。
LED 照明市場發(fā)展空間廣闊。LED 照明燈具應用已經從過去室外景觀照明 LED 發(fā)展向室內照明應用。芯片技術提升和價格走低是促進 LED 照明應用成本下降的關鍵。隨著 LED芯片技術的提升，LED 發(fā)光效率提高后，單顆 LED 芯片所需的成本不斷下降。同時，上游投資帶動的大規(guī)模產能釋放，引發(fā)較強的市場競爭也將帶動芯片價格下降，這有效推動 LED 照明產品成本的下降。2011 年，芯片從之前的供不應求快速轉換為供過于求，芯片價格快速下降。例如，小功率的 7.5mil×7.5mil 藍光芯片和大功率的 45mil×45mil 藍光芯片 2011 年一年內價格分別下降了 55.9%和 55.0%。
無論是面向重點照明和整體照明的高功率 LED 芯片，還是用于裝飾照明和一些簡單的輔助照明的低功率 LED 芯片，技術升級的關鍵都關乎如何開發(fā)出更高效、更穩(wěn)定的 LED 芯片。在短短數(shù)年內，借助于包括新型芯片結構和多量子阱結構的新型外延機構設計在內的一系列技術改進，LED 的發(fā)光效率實現(xiàn)了巨大突破，這些技術突破都將為LED 半導體照明的普及鋪平道路。
LED芯片根據(jù)用途分為大功率LED芯片和小功率LED芯片，形狀主要分為了方片和圓片兩種。理論上來說，LED芯片越大，能承受的電流及功率也就越大。不過，芯片材質及制程也是影響LED芯片功率大小的主要因素。評價LED芯片的質量主要從裸晶亮度、衰減度兩個主要標準來衡量，在封裝過程中主要從LED芯片封裝的成品率來計算。
LED芯片有橫向和垂直兩種基本結構。所謂的橫向結構LED芯片是指芯片兩個電極在外延片的同側,由于電極在同一側,電流在n-和p-類型限制層中橫向流動不利于電流的擴散以及熱量的散發(fā)。相反,垂直結構LED芯片是指兩個電極分布在外延片的異側,以圖形化電極和全部的p型限制層作為第二電極,使得電流幾乎全部垂直流過LED外延層,極少橫向流動的電流。目前垂直結構LED可以按材料分為GaP基LED、GaN基LED和ZnO基LED。LED的分別用紅色和黑色表示)分別與熱沉或PCB或電路板上的正、負極(分別用紅色和黑色表示)電聯(lián)接。外界電源與電路板上的“十”和“一”極相聯(lián)接。
由SemiLedS研發(fā)的以藍寶石為襯底的垂直結構GaN基LED芯片從2005年11月開始進入市場。制造垂直結構LED芯片有兩種基本方法:剝離生長襯底和不剝離生長襯底。相比橫向結構的LED芯片,垂直結構的LED芯片具有以下明顯的優(yōu)勢：
(l)所有的制造工藝都是在晶片水平進行的。
(2)抗靜電能力高。
(3)無需打金線,一方面封裝厚度薄,可用于制造超薄型的器件,如背光源,大屏幕顯示等;另一方面,良品率和可靠性均得以提高。
(4)在封裝前進行老化,降低生產成本。
(5)可以采用較大直徑的通孔/金屬填充塞和多個的通孔/金屬填充塞進一步提高襯底的散熱效率。這一特點對大功率LED尤其重要。
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