[導讀]7月3日消息，近日的VLSI 2023技術(shù)與電路研討會上，西安紫光國芯公開發(fā)表技術(shù)論文《基于小間距混合鍵合和mini-TSV的135 GBps/Gbit 0.66 pJ/bit嵌入式多層陣列DRAM》，展示了西安紫光國芯在SeDRAM方向的最新突破。
7月3日消息，近日的VLSI 2023技術(shù)與電路研討會上，西安紫光國芯公開發(fā)表技術(shù)論文《基于小間距混合鍵合和mini-TSV的135 GBps/Gbit 0.66 pJ/bit嵌入式多層陣列DRAM》，展示了西安紫光國芯在SeDRAM方向的最新突破。
本年度的VLSI會議共收到全球投稿632篇，最終錄取212篇，只有2篇來自中國內(nèi)地企業(yè)，其中1篇就是西安紫光國芯的貢獻的。
西安紫光國芯的新一代多層陣列SeDRAM，相較于上一代單層陣列結(jié)構(gòu)，主要采用了低溫混合鍵合技術(shù)(Hybrid Bonding)、微型硅穿孔(mini-TSV)堆積技術(shù)。
這種內(nèi)存的每Gbit(十億比特)由2048個數(shù)據(jù)接口組成，每個接口的數(shù)據(jù)速度都達到541Mbps，最終實現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的135 GBps/Gbit帶寬、0.66 pJ/bit能效，基于此實現(xiàn)了邏輯單元和DRAM陣列三維集成。
2020年，西安紫光國芯發(fā)布了第一代SeDRAM技術(shù)，之后實現(xiàn)了多款產(chǎn)品的大規(guī)模量產(chǎn)，而這次發(fā)布的新一代多層陣列SeDRAM技術(shù)，實現(xiàn)了更小的電容電阻、更大的帶寬和容量，可廣泛應用于近存計算、大數(shù)據(jù)處理、高性能計算等領(lǐng)域。
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