據(jù)業(yè)內(nèi)消息，在荷蘭對光刻機實施了出口管制措施之后，業(yè)內(nèi)頻傳言 ASML 將規(guī)避該措施為中國市場推出特供 DUV 光刻機，近日 ASML 官方專門對此進行了回應。
消息人士表示，中國市場特供版 DUV 光刻機基于 Twinscan NXT: 1980Di 光刻系統(tǒng)改造，而該機器是 10 年前推出的舊型號，而不在本次官方禁令范圍內(nèi)。該機器可支持中芯國際、華虹等國內(nèi)半導體來生產(chǎn) 28nm 以上的成熟工藝。
據(jù)悉，該光刻機是 ASML 現(xiàn)有效率比較低的光刻機，支持 NA 1.35 光學器件、分辨率可以達到 <38 nm，理論上可以支持 7nm 工藝。大多數(shù)晶圓廠使用 1980Di 光刻機主要生產(chǎn) 14nm 及以上工藝芯片，很少使用其生產(chǎn) 7nm 芯片。
然而 ASML 官方近日表示一直以來都遵守所適用的法律條例，公司并沒有面向中國市場推出特別版的光刻機。
根據(jù)之前的報道，荷蘭出口新規(guī)于 9 月 1 日后生效，屆時 ASML 將不得不向政府申請出口許可證才能出口先進的浸潤式 DUV 系統(tǒng)(即TWINSCANNXT：2000i及后續(xù)推出的浸潤式光刻系統(tǒng))。
具體來說，出口管制名單新增了 TWINSCAN NXT:2000i、NXT:2050i 及 NXT:2100i 等浸入式 DUV，這些設備最高可支持 5nm 工藝，臺積電就使用 SAQP 和氬氟浸沒 (ArFi) 光刻實現(xiàn)了 7 nm 量產(chǎn)。
ASML 在售的浸沒式光刻機主要有三大型號：TWINSCAN NXT:2050i、TWINSCAN NXT:2000i 和TWINSCAN NXT:1980Di。TWINSCAN NXT:1980Di 的分辨率可以達到≤38nm，每小時可以生產(chǎn)275片晶圓。
盡管其分辨率在 38nm 左右，但是通過多重曝光理論上依然可以支持 7nm 左右，只是這樣步驟更為復雜、成本更高，良率也會隨之變差，據(jù)說臺積電的第一代7nm工藝也是基于 NXT:1980Di 實現(xiàn)的。
目前在業(yè)內(nèi) NXT:1980Di 更多還是被用于 ≤45nm以下成熟制程的生產(chǎn)，2018 年長江存儲和華力二期(華虹六廠)訂購的 NXT:1980Di 成功進廠安裝，支持了兩家晶圓廠的生產(chǎn)。
2018 年下半年 ASML 正式出貨的更為先進的浸潤式光刻機 NXT:2000i 通過多重曝光則可以支持到 7nm 及 5nm 制程工藝需求，同年 12 月 ASML NXT2000i 首次進入中國，正式搬入 SK海力士位于無錫的工廠。
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