中國(guó)第二大晶圓廠華虹將上市，擬募資超兩百億

據(jù)業(yè)內(nèi)消息，中國(guó)第二大晶圓廠華虹半導(dǎo)體計(jì)劃在上海以每股 52 元(7.23 美元)的價(jià)格出售最多 4.08 億股股票，擬募資超兩百億。該公司 2014 年 10 月在香港聯(lián)交所主板掛牌上市，本次相比于香港股票溢價(jià)約 120%。

據(jù)悉 ，此次融資總額約 212 億元人民幣(約合 29.5 億美金)，比最初計(jì)劃的 180 億元人民幣增加了 18%，可能成為今年最大的 A 股 IPO，其中國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金公司(即大基金)已撥出 30 億元人民幣用于發(fā)行股票。

華虹半導(dǎo)體發(fā)布公告稱，公司首次公開(kāi)發(fā)行人民幣普通股(A股)并在科創(chuàng)板上市的申請(qǐng)已經(jīng)上交所上市審核委員會(huì)審議通過(guò)，并已經(jīng)中國(guó)證券監(jiān)督管理委員會(huì)證監(jiān)許可〔2023〕1228號(hào)文同意注冊(cè)，昨天正式啟動(dòng)申購(gòu)。

本次的招股書(shū)內(nèi)容顯示，華虹半導(dǎo)體擬募資的 212 億元主要擬投入于華虹制造(無(wú)錫)項(xiàng)目、8 英寸廠優(yōu)化升級(jí)項(xiàng)目等，未來(lái)將對(duì)已投產(chǎn) 8 英寸生產(chǎn)線進(jìn)行優(yōu)化升級(jí)并進(jìn)一步大幅提升基于 12 英寸生產(chǎn)線的代工產(chǎn)能。

據(jù)悉，華虹制造(無(wú)錫)二期項(xiàng)目系本次募投的主力項(xiàng)目，總投資 67 億美元建設(shè)一條工藝等級(jí)覆蓋 65/55-40nm，月產(chǎn)能 8.3 萬(wàn)片的 12 英寸特色工藝生產(chǎn)線，2025 年投產(chǎn)。該項(xiàng)目聚焦車規(guī)級(jí)芯片，對(duì)非易失性存儲(chǔ)器、電源管理、功率器件等工藝領(lǐng)域進(jìn)行深入布局和研發(fā)，持續(xù)提升在新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng)、新能源、智能終端等領(lǐng)域的應(yīng)用。

目前，華虹半導(dǎo)體在上海金橋和張江建有三座 8 英寸晶圓廠(華虹一廠、二廠及三廠)，月產(chǎn)能約 18 萬(wàn)片。同時(shí)在無(wú)錫高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)內(nèi)有一座月產(chǎn)能 6.5 萬(wàn)片的 12 英寸晶圓廠(華虹七廠)，是國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的 12 英寸功率器件代工生產(chǎn)線，可提供多種1.0微米至65/55納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)的可定制工藝選擇。

過(guò)去近三年，華虹半導(dǎo)體產(chǎn)能利用率持續(xù)飽滿。招股書(shū)數(shù)據(jù)顯示，過(guò)去兩年，華虹公司的產(chǎn)能利用率均在107%以上。因此，通過(guò)本次IPO，華虹半導(dǎo)體將突破企業(yè)發(fā)展的制約瓶頸，進(jìn)一步擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，提高市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)地位。

官網(wǎng)資料顯示，華虹半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)，專注于 NAND、功率器件、模擬及電源管理和邏輯及射頻等“8英寸 + 12英寸”特色工藝技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新，其先進(jìn)“特色I(xiàn)C + Power Discrete”強(qiáng)大的工藝技術(shù)平臺(tái)有力支持物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域應(yīng)用。

受益于市場(chǎng)需求增長(zhǎng)和產(chǎn)能擴(kuò)張，最近三年華虹半導(dǎo)體營(yíng)收規(guī)模呈現(xiàn)逐年上升態(tài)勢(shì)。2020年至2022年，公司主營(yíng)業(yè)務(wù)收入分別為66.39億元、105.23億元、166.67億元，復(fù)合增長(zhǎng)率為58%。2023年1~3月，華虹公司實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入43.74億元，同比增長(zhǎng)近15%;扣非后凈利潤(rùn)10.01億元，同比增長(zhǎng)近69%，主要原因系收入規(guī)模和毛利率同比均有所增長(zhǎng)。

華虹成立于 1996 年，是與 NEC 成立的 DRAM 合資企業(yè)。2000 年與宏力半導(dǎo)體合并，于2003 年放棄 DRAM 轉(zhuǎn)晶圓代工。該公司擁有三座 200mm 晶圓廠和三座 300mm 晶圓廠，其最先進(jìn)的工藝是 22nm，正在無(wú)錫建設(shè)第四座 300mm 晶圓廠。IC Insights發(fā)布的2021年度全球晶圓代工企業(yè)排名中華虹半導(dǎo)體位居第六位、中國(guó)大陸第二位。