英飛凌推出先進的OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產(chǎn)品陣容

【2023年8月3日，德國慕尼黑訊】小型分立式功率MOSFET在節(jié)省空間、降低成本和簡化應用設計方面發(fā)揮著至關重要的作用。此外，更高的功率密度還能實現(xiàn)靈活的布線并縮小系統(tǒng)的整體尺寸。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日推出先進的全新OptiMOS?功率MOSFET，進一步擴大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導體行業(yè)標桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣泛適用于各種應用，如服務器、通信、便攜式充電器和無線充電器中開關電源（SMPS）里的同步整流等。此外，新產(chǎn)品在無人機中還可應用于小型無刷電機的電子速度控制器等。

全新的OptiMOS 6 40V功率MOSFET以及OptiMOS 5 25V和30V 功率MOSFET進一步優(yōu)化了用于高性能設計的成熟OptiMOS技術。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進的硅技術、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。這些新器件擁有業(yè)界極低的導通電阻和業(yè)界領先的性能指標（FOMs, QG和QOSS），能夠實現(xiàn)出色的動態(tài)開關性能。因此，這些具有超低開關損耗和低導通損耗的 MOSFET器件能夠保證極佳的能效和功率密度，同時簡化散熱管理。

OptiMOS功率開關采用緊湊的PQFN 2x2 mm2封裝，能夠縮小系統(tǒng)尺寸，讓終端用戶應用的幾何外形變得更加小巧、靈活。通過減少并聯(lián)需求，這些MOSFET器件提升了系統(tǒng)設計的可靠性，顯著降低了占板空間和系統(tǒng)成本。

供貨情況

全新OptiMOS 6 40V功率MOSFET（ISK057N04LM6）的導通電阻值為5.7 mΩ，OptiMOS 5 25V功率MOSFET（ISK024NE2LM5）和OptiMOS 5 30V功率MOSFET（ISK036N03LM5）的導通電阻值分別為2.4 mΩ和3.6 mΩ，這些MOSFET器件均采用改進的PQFN 2x2 mm2封裝，現(xiàn)已開放訂購。