三星電子完成其業(yè)內(nèi)首款GDDR7的研發(fā)

（全球TMT2023年7月19日訊）三星電子宣布已完成其業(yè)內(nèi)首款GDDR7的研發(fā)工作，年內(nèi)將首先搭載于主要客戶的下一代系統(tǒng)上驗證。繼2022年三星開發(fā)出速度為每秒24千兆比特(Gbps)的GDDR6 16Gb之后，GDDR7 16Gb產(chǎn)品將提供目前為止三星顯存的最高速度32Gbps。同時，集成電路（IC）設(shè)計和封裝技術(shù)的創(chuàng)新提升了高速運(yùn)行下的性能穩(wěn)定性。三星的GDDR7產(chǎn)品將有助于提升需要高性能顯存的用戶體驗，例如工作站、個人電腦和游戲機(jī)等，并有望擴(kuò)展到人工智能、高性能計算和汽車等領(lǐng)域。

三星GDDR7可達(dá)到出色的每秒1.5太字節(jié)（TBps）的帶寬，是GDDR6 1.1TBps的1.4倍，并且每個數(shù)據(jù)I/O（輸入/輸出）口速率可達(dá)32Gbps。該產(chǎn)品采用脈幅調(diào)制（PAM3）信號方式，取代前幾代產(chǎn)品的不歸零（NRZ）信號方式，從而實現(xiàn)性能大幅提升。在相同信號周期內(nèi)，PAM3信號方式可比NRZ信號方式多傳輸50%的數(shù)據(jù)。

另外，GDDR7的設(shè)計采用了適合高速運(yùn)行的節(jié)能技術(shù)，相比GDDR6能效提高了20%。針對筆記本電腦等注重功耗的設(shè)備，三星提供了一個低工作電壓的選項。為最大限度地減少顯存芯片發(fā)熱，除集成電路（IC）架構(gòu)優(yōu)化外，三星還在封裝材料中使用具有高導(dǎo)熱性的環(huán)氧成型化合物（EMC）材料。與GDDR6相比，這些改進(jìn)不僅顯著降低70%的熱阻，還幫助GDDR7在高速運(yùn)行的情況下，也能實現(xiàn)穩(wěn)定的性能表現(xiàn)。