英特爾展示下一代先進(jìn)芯片封裝的玻璃基板

業(yè)內(nèi)最新消息，昨天英特爾官宣推出了業(yè)界首款用于下一代先進(jìn)封裝的玻璃基板，這一突破性成就將使封裝中晶體管的尺寸不斷縮小，并推進(jìn)摩爾定律以提供以數(shù)據(jù)為中心的應(yīng)用程序。

“這項(xiàng)創(chuàng)新歷經(jīng)十多年的研究才得以完善，”英特爾高級(jí)副總裁兼裝配與測(cè)試開(kāi)發(fā)總經(jīng)理 Babak·Sabi 表示：“經(jīng)過(guò)十年的研究，英特爾已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了行業(yè)領(lǐng)先的先進(jìn)封裝玻璃基板。我們期待提供這些尖端技術(shù)，使我們的主要參與者和代工客戶在未來(lái)幾十年受益?！?

與當(dāng)今的有機(jī)基板相比，該玻璃基板具有超低的平坦度、更好的熱穩(wěn)定性和機(jī)械穩(wěn)定性，從而使基板中的互連密度更高。而這些優(yōu)勢(shì)將使芯片架構(gòu)師能夠?yàn)槿斯ぶ悄艿葦?shù)據(jù)密集型工作負(fù)載創(chuàng)建高密度、高性能芯片封裝，以更大的靈活性和更低的總體成本和功耗實(shí)現(xiàn)性能和密度增益。

英特爾預(yù)計(jì)到 2030 年，半導(dǎo)體行業(yè)可能會(huì)達(dá)到使用有機(jī)材料在硅封裝上縮放晶體管的極限，目前的材料會(huì)消耗更多功率并受到收縮和翹曲等限制，尺寸縮小對(duì)于半導(dǎo)體行業(yè)的進(jìn)步和發(fā)展至關(guān)重要，而玻璃基板是下一代半導(dǎo)體可行且必不可少的。

隨著越來(lái)越強(qiáng)大的計(jì)算需求，半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入在封裝中使用多個(gè)小芯片的異構(gòu)時(shí)代，信號(hào)傳輸速度、功率傳輸、設(shè)計(jì)規(guī)則和封裝基板穩(wěn)定性的改進(jìn)將至關(guān)重要。與當(dāng)今使用的有機(jī)基板相比，玻璃基板具有卓越的機(jī)械、物理和光學(xué)特性，允許在封裝中連接更多晶體管，從而提供更好的擴(kuò)展性并能夠組裝更大的小芯片復(fù)合體(系統(tǒng)級(jí)封裝)。

該玻璃基板可以承受更高的溫度，圖案變形減少 50%，并具有超低平坦度以改善光刻的焦深，并且具有極其緊密的層間互連覆蓋所需的尺寸穩(wěn)定性，由于這些獨(dú)特的特性，玻璃基板上的互連密度可以提高 10 倍，而且玻璃的機(jī)械性能得到改善可以實(shí)現(xiàn)超大型封裝，并具有非常高的組裝良率。

此外，該玻璃基板對(duì)更高溫度的耐受性還為芯片架構(gòu)師提供了如何設(shè)置電力傳輸和信號(hào)路由設(shè)計(jì)規(guī)則的靈活性，因?yàn)檫@使他們能夠無(wú)縫集成光學(xué)互連，以及在更高溫度下將電感器和電容器嵌入到玻璃中加工。這樣可以提供更好的功率傳輸解決方案，同時(shí)以低得多的功率實(shí)現(xiàn)所需的高速信號(hào)傳輸。

英特爾表示，下一步將以最近 PowerVia 和 RibbonFET 突破的勢(shì)頭為基礎(chǔ)，這些行業(yè)領(lǐng)先的先進(jìn)封裝玻璃基板展示了對(duì)超越英特爾自家 18A 工藝節(jié)點(diǎn)的下一個(gè)計(jì)算時(shí)代的前瞻性關(guān)注和愿景。英特爾正致力于到 2030 年在封裝上提供 1 萬(wàn)億個(gè)晶體管，其在包括玻璃基板在內(nèi)的先進(jìn)封裝方面的持續(xù)創(chuàng)新將有助于實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)。

來(lái)源：Intel