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[導(dǎo)讀]為增進(jìn)大家對(duì)晶振的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)晶振的兩大知識(shí)點(diǎn)以及晶振使用過(guò)程中常見(jiàn)的問(wèn)題予以解答。

晶振具有正逆壓電效應(yīng)這一物理特性,可以產(chǎn)生非常微弱的周期性振蕩信號(hào)。為增進(jìn)大家對(duì)晶振的認(rèn)識(shí),本文將對(duì)晶振的兩大知識(shí)點(diǎn)以及晶振使用過(guò)程中常見(jiàn)的問(wèn)題予以解答。如果你對(duì)晶振具有興趣,不妨一起繼續(xù)往下閱讀哦。

一、晶振兩大知識(shí)點(diǎn)

知識(shí)點(diǎn)一:5個(gè)要點(diǎn)搞定晶振電路PCB布線

位置要選對(duì):晶振內(nèi)部是石英晶體,如果不慎掉落或受不明撞擊,石英晶體易斷裂破損,所以晶振的放置遠(yuǎn)離板邊,靠近MCU的位置布局。

兩靠近:耦合電容應(yīng)盡量靠近晶振的電源管腳,如果多個(gè)耦合電容,按照電源流入方向,依次容值從大到小擺放;晶振則要盡量的靠近MCU

走線短:在電路系統(tǒng)中,高速時(shí)鐘信號(hào)線優(yōu)先級(jí)最高,一般在布線時(shí),需要優(yōu)先考慮系統(tǒng)的主時(shí)鐘信號(hào)線。時(shí)鐘線是敏感信號(hào),頻率越高,要求走線盡量的短,保證信號(hào)的失真度最小。

高獨(dú)立:盡可能保證晶振周圍的沒(méi)有其他元件。防止器件之間的互相干擾,影響時(shí)鐘和其他信號(hào)的質(zhì)量。網(wǎng)傳是300mil內(nèi)不要布線,實(shí)際在設(shè)計(jì)中并沒(méi)有如此嚴(yán)格。

外殼要接地:晶振的外殼必須要接地,除了防止晶振向外輻射,也可以屏蔽外來(lái)的干擾。

知識(shí)點(diǎn)二:查晶振問(wèn)題不可缺少的三要素

01,檢查晶振本身

在運(yùn)輸、焊接過(guò)程中,都可能會(huì)導(dǎo)致晶振內(nèi)部的水晶片的損壞。如果我們?cè)诤附泳д駮r(shí),焊錫溫度過(guò)高,或者是菜鳥級(jí)別的焊接時(shí)間長(zhǎng),都會(huì)影響到晶振本身。如果晶振損毀,直接更換一個(gè)晶振,是查找晶振不起振的問(wèn)題中最簡(jiǎn)單的。

02,物料參數(shù)值錯(cuò)誤

比如STM32使用外部晶振32.768Khz晶振,電容的容值建議在5pf-15pf之間,如果我們選擇不合適的容值,就會(huì)導(dǎo)致晶振不起振。

03,PCB布線問(wèn)題

檢查PCB布線是否存在錯(cuò)誤,如真是這個(gè)問(wèn)題,那影響就非常大了,這一版就會(huì)浪費(fèi)掉,還要投入更多成本,項(xiàng)目周期也會(huì)增加。

二、晶振常見(jiàn)問(wèn)題解答

1、晶振的原理,如何產(chǎn)生正弦信號(hào)的,詳細(xì)一點(diǎn),從電路方面分析?

答:晶體可以等效為一個(gè)電感,與里面的電容形成振蕩回路,能量從電感慢慢到電容,再?gòu)碾娙萋诫姼?,周而?fù)始形成振蕩。正半周是電容的充放電過(guò)程,負(fù)半周是電感的充放電過(guò)程。

2、11.0952的晶振和單片機(jī)哪些引腳連接能起作用?電源和18B20應(yīng)該和單片機(jī)的哪些引腳相連呢?RT,要把單片機(jī)從實(shí)驗(yàn)板上引出來(lái),應(yīng)該怎么連接?1602LCD的液晶該怎么和單片機(jī)相連呢?每次從仿真上連出來(lái)都是只有背光和黑點(diǎn),但是不顯示已經(jīng)燒錄的程序。

答:晶振接單片機(jī)x1(或者叫XTAL1)和x2(或者叫XTAL2)引腳。

電源接單片機(jī)的VCC和GND。

18b20電源腳接電源上,中間的數(shù)據(jù)線可以單片機(jī)的任意io口。具體控制是靠程序完成的。

1602的數(shù)據(jù)線接單片機(jī)io(比如51單片機(jī)的P1口),其它的控制線rw,reset,cs等可以接單片機(jī)的任意io口。

燒錄了程序不能運(yùn)行,而程序是正確的話,你得看程序怎么定義這些引腳,根據(jù)程序定義連接單片機(jī)的位置。

3、我現(xiàn)在要用52單片機(jī)做一個(gè)交通燈電路。要求是紅燈,綠燈30s,黃燈3s。循環(huán)變化。那么外界晶振怎樣選擇?單指令周期多少比較合適?圖中外接的兩個(gè)電容的作用是什么?大小多少合適?

答: 如果選擇晶振的話,那兩個(gè)電容值可以選擇:30加減10PF左右的(頻率在0~33MHZ之間);

如果選擇陶瓷晶振的話,電容值可以選擇:40加減10PF左右的(頻率在1.2~12MHZ)振蕩器應(yīng)盡量靠近電容。指令周期是可以算的,這個(gè)是有公式的!

4、若89c52單片機(jī)使用外接晶振,應(yīng)如何設(shè)置?

答:晶振的兩個(gè)管腳各接一個(gè)20~30pf的電容后分別接入單片機(jī)的XTAL1和XTAL2,兩個(gè)電容的另一端并接后接地即可,不再需要任何設(shè)置

5、89c52單片機(jī) 晶振頻率才12兆,太小了,怎樣能改大晶振頻率?

答:外接18.432或者24MHz的晶振啊?;蛘邠Q4T的W77E58單片機(jī),這樣相當(dāng)于把工作頻率提高3倍?;蛘邠Q1T的DS89C4XX單片機(jī),這相當(dāng)于把工作頻率提高8倍!足夠了吧?用1T的STC12C5A**單片機(jī)也有這樣的效果。

6、51單片機(jī)晶振上接的電容大小該如何選擇?是晶振越大,電容值也要大一些嗎,一般常用多大的。有人說(shuō)常用的從15-33pf,具體如何選擇效果最好?比如我分別用一個(gè)6M和12M的晶振,用多大電容更合適?

答:15-33pf都可以 我們一般用的是15P和30P 晶振大小影響不大 我們常用的4M 和12M 以及11.0592M和20M 24M 我們都用的 30P 單片機(jī)內(nèi)部有相應(yīng)的整形電路 我們不比擔(dān)心

7、我給51單片機(jī)12M晶振接2200pF電容會(huì)怎么樣?電路圖里貌似是22pF的,但是我沒(méi)有22pF的。。.接2200pF會(huì)不會(huì)不正常工作?

答:不可以,晶體會(huì)不工作的。15-33p是合理范圍。你可以試試看,對(duì)單片機(jī)不會(huì)有損壞。

以上便是此次帶來(lái)的晶振相關(guān)內(nèi)容,通過(guò)本文,希望大家對(duì)晶振已經(jīng)具備一定的了解。如果你喜歡本文,不妨持續(xù)關(guān)注我們網(wǎng)站哦,將于后期帶來(lái)更多精彩內(nèi)容。最后,十分感謝大家的閱讀,have a nice day!

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