中國技術(shù)再次實(shí)現(xiàn)突破！全球最先進(jìn)的3D NAND存儲芯片被發(fā)現(xiàn)

10月25日消息，知名半導(dǎo)體行業(yè)觀察機(jī)構(gòu)TechInsights稱，在一款消費(fèi)電子產(chǎn)品中發(fā)現(xiàn)了世界上最先進(jìn)的3D NAND存儲芯片，它來自中國頂級的3D NAND制造商長江存儲。

據(jù)悉，TechInsights在2023年7月推出的致態(tài)SSD中發(fā)現(xiàn)了由長江存儲制造的232層QLC 3D NAND芯片，這種新的QLC芯片具有19.8 Gb/mm2的商用NAND產(chǎn)品中最高的比特密度。

本次的發(fā)現(xiàn)，超越了同樣在開發(fā)232層QLC 3D NAND芯片的美光和英特爾(Solidigm)。

TechInsights表示，盡管受到制裁后困難重重——包括該公司受限于向蘋果供應(yīng)基于中國生產(chǎn)的iPhone零部件，以及被列入美國的實(shí)體名單， 但長江存儲仍在靜靜地開發(fā)最先進(jìn)的技術(shù)。

近期存儲市場的低迷，以及許多內(nèi)存制造商專注于節(jié)省成本的舉措，可能為長江存儲提供了機(jī)遇，使其具有領(lǐng)先的更高比特密度的3D Xtacking NAND。

值得注意的是，三星目前的戰(zhàn)略是專注于V9 3D NAND的TLC和QLC，因此沒有在236層(V8) 3D NAND上開發(fā)QLC。

但是，三星在上周舉行的“內(nèi)存技術(shù)日”上，首次公開了面向移動(dòng)市場的QLC產(chǎn)品——采用176層(V7)技術(shù)的512GB UFS 3.1產(chǎn)品。

SK海力士的主要業(yè)務(wù)是TLC，而不是QLC產(chǎn)品。

越來越多的證據(jù)表明，中國正在努力克服貿(mào)易限制、建立本土半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的勢頭比預(yù)期的要成功。

此前，TechInsights是首批拆解華為Mate 60 Pro的機(jī)構(gòu)，在拆解完之后，TechInsights副主席Dan Hutcheson給出了如下評價(jià)：

“這確實(shí)是一個(gè)令人驚嘆的質(zhì)量水平，是我們始料未及的，它肯定是世界一流的。因此，我們要祝賀中國，能夠制造出這樣的產(chǎn)品。這意味中國擁有非常強(qiáng)大的能力，而且還在繼續(xù)發(fā)展技術(shù)。”