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[導讀]海量數(shù)據(jù)的增長,來自各種創(chuàng)新應用的興起,都為世界帶來新的變化。從智能汽車、大語言模型、到AR/VR,數(shù)據(jù)從傳感器中被收集,然后經(jīng)過端側(cè)計算單元的處理,最終通過無線傳輸?shù)皆贫?,在世界各地的大型超算集群中進行深度價值挖掘。在整個數(shù)據(jù)流轉(zhuǎn)的過程中,離不開各種內(nèi)存和存儲系統(tǒng)的參與。數(shù)據(jù)的持續(xù)爆炸增長,導致數(shù)據(jù)存儲的需求也指數(shù)上升。“存力”必須要與“算力”同步升級,才能真正實現(xiàn)人類社會數(shù)字化可持續(xù)的未來。

據(jù)IDC預測,到2025年全球數(shù)據(jù)使用量將達到175ZB,年均復合增長率(CAGR) 達35%。其中,我國數(shù)據(jù)量將超越美國位居全球首位達到48.6ZB,占全球總量的27.8%。

海量數(shù)據(jù)的增長,來自各種創(chuàng)新應用的興起,都為世界帶來新的變化。從智能汽車、大語言模型、到AR/VR,數(shù)據(jù)從傳感器中被收集,然后經(jīng)過端側(cè)計算單元的處理,最終通過無線傳輸?shù)皆贫耍谑澜绺鞯氐拇笮统慵褐羞M行深度價值挖掘。在整個數(shù)據(jù)流轉(zhuǎn)的過程中,離不開各種內(nèi)存和存儲系統(tǒng)的參與。數(shù)據(jù)的持續(xù)爆炸增長,導致數(shù)據(jù)存儲的需求也指數(shù)上升。“存力”必須要與“算力”同步升級,才能真正實現(xiàn)人類社會數(shù)字化可持續(xù)的未來。

作為創(chuàng)新內(nèi)存和存儲解決方案的業(yè)界領導廠商,美光已獲得了54,000多項專利,在DRAMNAND技術方面持續(xù)領先。在DRAM上,美光率先量產(chǎn)了1α (1-alpha)節(jié)點的DRAM產(chǎn)品,并率先上市第一代1β (1-beta)節(jié)點DRAM;在NAND方面,率先上市了176層高密度NAND,并在領先的232層NAND上實現(xiàn)了量產(chǎn)。

近日,美光亮相第六屆進博會,展示了其先進的DRAM和NAND技術在汽車和智能邊緣、數(shù)據(jù)中心、客戶端和移動設備領域的最新產(chǎn)品和先進解決方案。


推動AI創(chuàng)新,加速數(shù)據(jù)中心演進

數(shù)據(jù)中心正在從傳統(tǒng)服務器向云數(shù)據(jù)中心加速轉(zhuǎn)變,GPT等大語言模型、多模態(tài)混合算法模型要求數(shù)據(jù)中心實現(xiàn)幾倍于傳統(tǒng)數(shù)據(jù)的處理能效,大量計算機上的計算、內(nèi)存和存儲資源正在逐步分散。與此同時,人們還要面對持續(xù)變化的氣候挑戰(zhàn)。

為應對這些挑戰(zhàn),加速數(shù)據(jù)中心的架構演進,最終推動實現(xiàn)各式AI應用創(chuàng)新,美光推出了一系列前沿服務器內(nèi)存和存儲產(chǎn)品。

在服務器內(nèi)存方面,美光此次展出了64GB和96GB兩款不同容量的服務器DDR5 RDIMM內(nèi)存條,其中96GB的DDR5內(nèi)存條主要面向數(shù)據(jù)密集型的AI推理應用,而64GB的DDR5內(nèi)存條提供海量內(nèi)存帶寬以迅捷高效地將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為洞察,為當今工作負載賦能,支持5600MT/s的傳輸速率。不久的將來,通過在存儲顆粒中增加DB(Data buffer)這一技術創(chuàng)新,DDR5產(chǎn)品的傳輸速率還將進一步提升至8800MT/s。

對于云服務廠商而言,CXL是一種更經(jīng)濟高效的行業(yè)標準,通過CXL可以實現(xiàn)計算、存儲和內(nèi)存資源的分離,更容易實現(xiàn)各類計算和存儲資源的自由收縮拓展,從而構建更高效的服務器架構。美光展出的CXL內(nèi)存擴展模組——CZ120,提供128GB和256GB兩個不同版本,能夠提供高達36GB/s的讀/寫帶寬,助力服務器廠商打造高達2TB內(nèi)存容量的服務器。

在存儲方面,美光展出了7450 NVMe固態(tài)硬盤、7500 NVMe固態(tài)硬盤、9400 NVMe固態(tài)硬盤和6500 ION NVMe固態(tài)硬盤四款不同定位的產(chǎn)品。其中7450 NVMe固態(tài)硬盤采用的是176層的NAND技術,支持主流性數(shù)據(jù)存儲應用。9400 NVMe固態(tài)硬盤是針對高性能應用推出的,容量支持高達16T。7500 NVMe固態(tài)硬盤基于美光232層NAND技術,主要亮點在于NAND技術節(jié)點的迭代、以及對于OCP、OME協(xié)議的支持。而6500 ION NVMe固態(tài)硬盤同樣是基于QLC 232層NAND閃存顆粒,能夠在QLC的成本上提供媲美TLC的性能表現(xiàn)。


高性能+低功耗,打造PC端更愉悅客戶體驗

在客戶端方面,DRAM和NAND產(chǎn)品表現(xiàn)將會直接影響到消費者的體驗,而美光也致力于提供高性能的產(chǎn)品來幫助PC終端客戶實現(xiàn)更加愉悅的客戶體驗。

此次美光為PC客戶端應用帶來了兩款NVMe固態(tài)硬盤產(chǎn)品,同時還有旗下面向消費市場的英睿達品牌的諸多新品,包括最近發(fā)布的支持PCIe 5.0的T700系列固態(tài)硬盤,6000MT/s、單條容量高達24G的DDR5 Pro內(nèi)存,以及X10 Pro移動固態(tài)硬盤等產(chǎn)品。

其中最值得關注的是美光2550 NVMeSSD這款產(chǎn)品(下文簡稱2550 SSD),該產(chǎn)品是全球首款采用232層NAND的客戶端SSD。

據(jù)了解,2550 SSD基于成熟且廣泛應用的PCIe 4.0架構,采用了美光232層NAND顆粒,同時在散熱架構和低功耗設計方面有所加強,能夠在實現(xiàn)更高存儲密度同時兼顧家用PC電池續(xù)航。

在性能方面,2550 SSD采用了創(chuàng)新的預測緩存優(yōu)化技術提升了用戶體驗。與競品相比,2550 SSD 文件傳輸速度快 112%,辦公應用運行速度快 67%,主流游戲加載速度快 57%,內(nèi)容創(chuàng)建應用運行速度快 78%。此外,該產(chǎn)品還具有高達每秒 5GB 的極速順序讀取性能和每秒 4GB 的順序?qū)懭胄阅?,相比上一?SSD 分別提升了 43% 和 33%。

在低功耗設計方面,美光通過多種技術來實現(xiàn)節(jié)能,包括優(yōu)化進入和退出自啟動節(jié)能狀態(tài),在控制器中使用先進的制程節(jié)點,以及利用主機內(nèi)存緩沖(HMB)技術取代 DRAM。這些創(chuàng)新技術使設備在睡眠模式下的功耗低于 2.5 毫瓦,在空閑模式下的功耗低于 150 毫瓦,在活動模式下的功耗低于 5.5 瓦。功耗降低可延長電池續(xù)航時間,以滿足日常計算需求。


推動5G+AI,賦能下一代智能手機體驗

受制于使用環(huán)境和外形尺寸,移動設備對于內(nèi)存密度和低功耗的要求更高,要在保證不影響整機續(xù)航的前提下,盡可能實現(xiàn)性能提升。而UFS4.0和LPDDR5X是目前移動設備上,最為先進的內(nèi)存和存儲解決方案,亦是旗艦手機的標配。美光也在此次展會現(xiàn)場帶來了支持這兩種領先技術的相關產(chǎn)品。

隨著端側(cè)AI在手機上的應用逐漸擴大,對于內(nèi)存帶寬的要求也逐步提高。很多AI應用的參數(shù)變的越來越大,當應用啟動時,要將整個參數(shù)從存儲加載到DRAM中。容量越大就意味著對快速讀取能力要求更高,才能保證具備足夠快速的應用啟動時間。因此對于從NAND中數(shù)據(jù)的高速讀取,已經(jīng)成為未來短期內(nèi)行業(yè)的一個明確需求。

美光展出的UFS 4.0解決方案,是其首款基于232層3D TLC NAND閃存技術的移動解決方案,也是全球首款采用六平面NAND架構的UFS 4.0存儲產(chǎn)品,它提供了最高4300 MB/s的順序讀取速度和最高4000 MB/s的順序?qū)懭胨俣?,最大容量支?TB,能夠為手機用戶帶來一流的存儲體驗。

當前智能手機中內(nèi)置了多個異構處理引擎,這些先進的芯片平臺需要高數(shù)據(jù)速率來確??鐟玫臒o縫多任務處理,并實現(xiàn)人工智能推理、增強現(xiàn)實和虛擬現(xiàn)實、沉浸式圖像顯示和高分辨率影像等功能。LPDDR5X的內(nèi)存性能提升,對于向這些異構引擎?zhèn)鬏敶罅繑?shù)據(jù)越來越重要。

美光展出的LPDDR5X專為旗艦智能手機打造,在數(shù)據(jù)傳輸速率方面相比上一代的LPDDR5提升了33%,為需要高性能內(nèi)存的高帶寬、數(shù)據(jù)密集型移動體驗提供了強有力的支持。


加速智能汽車創(chuàng)新,助力輪上大腦實現(xiàn)

在汽車領域,隨著數(shù)字化和軟件定義架構的發(fā)展,汽車已經(jīng)成為了一個輪上智能大腦,承載著各種各樣的感知、計算和連接功能,這其中也離不開各種內(nèi)存和存儲產(chǎn)品的配合。與其它應用不同,汽車的正常行駛關乎駕乘人員的人身安全,因此對于內(nèi)存和存儲產(chǎn)品的要求也極高,針對不同應用需要滿足不同等級的車規(guī)要求。而美光作為車用內(nèi)存與存儲領域的領導廠商,在汽車領域已深耕三十余年,并大力投資于汽車功能安全技術和工藝,以提供符合最嚴苛安全要求的一流產(chǎn)品。

在此次展會現(xiàn)場,美光帶來的車規(guī)級產(chǎn)品包括DDR4、LPDDR4、LPDDR5、e.MMC5.1、UFS3.1和2100SSD。

值得一提的是,美光還推出了“SAFER車用內(nèi)存”的定義,涵蓋五個關鍵概念:(Safest)指當前業(yè)界卓越的安全解決方案;(Automotive mindset)指汽車思維;(Fault coverage)指故障覆蓋率;(Engineering leadership)指先進工程;(Risk management)指風險管理。

車規(guī)級的LPDDR5即符合SAFER車用內(nèi)存規(guī)范的產(chǎn)品之一,基于美光的片上安全機制,使其可以支持ADAS應用的關鍵安全要求,也因此通過了最嚴格的ISO 26262 ASIL D安全等級認證。與上一代LPDDR4相比,LPDDR5最高能降低60%的能耗,有助于支持新能源汽車實現(xiàn)更長充電續(xù)航里程。

此次展出的車規(guī)級UFS3.1,是汽車市場內(nèi)首款基于176層NAND/TLC技術的UFS3.1,適用于汽車、工業(yè)和消費市場中的車規(guī)級和無線產(chǎn)品。據(jù)悉,車規(guī)級UFS3.1存儲產(chǎn)品可以為車載信息娛樂系統(tǒng)(IVI)提供更快的性能優(yōu)勢,為駕乘人員提供更好的用戶體驗。


深耕存儲領域,賦能數(shù)字中國

回顧過去的20年,美光一直踐行扎根中國、服務中國的理念。2000年,美光在中國設立上海辦公室,于2003年啟動上海設計中心,并持續(xù)不斷投身于數(shù)字中國的發(fā)展。2006年美光設立西安工廠,2014年該廠的進出口總額占比達到了陜西省的42%,2017年進出口額首次超過150億美元大關,并于2020年被評為“國家級綠色工廠”。

展望未來,中國正在不斷加速推進數(shù)字化和低碳可持續(xù)化,為半導體產(chǎn)業(yè)持續(xù)釋放機遇。美光也將持續(xù)加碼中國,賦能數(shù)字中國。今年年中,美光已經(jīng)宣布將在西安工廠增加投資至43億人民幣,引入全新產(chǎn)線用于制造移動DRAM、NAND和SSD產(chǎn)品,進一步強化西安工廠的封測能力。新的投資項目還將在額外增加500個就業(yè)崗位,使美光在中國的員工總數(shù)增至4,500余人。

據(jù)悉,此次進博會匯集了來自154個國家、3400家企業(yè)參展,同期參展的國際半導體廠商也皆為各自領域的領軍企業(yè),包括高通、AMD、ADI、TI、ASML、Renesas和NI等。美光此番首次參加進博會,也引發(fā)了極大的關注。我們也期待未來,美光科技能夠緊握中國數(shù)字化發(fā)展機遇,為我們帶來更多領先的DRAMNAND產(chǎn)品。

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