日前韓國今日電子新聞報道稱三星計劃斥巨資進口大量的半導體設備，其中包括更多的 ASML 極紫外（EUV）光刻設備。盡管因為合同中的保密條款未能披露具體細節(jié)，但證券市場消息稱，該協(xié)議將使 ASML 在五年內(nèi)提供總共 50 套設備，而每臺單價約為 2000 億韓元（當前約合人民幣 11.16 億），總價值可達 10 萬億韓元（當前約合人民幣 558 億）。
目前尚不清楚其合同中的產(chǎn)品是現(xiàn)有 EUV 光刻設備還是下一代 “High NA EUV” 光刻設備。不過目前 EUV 光刻設備最大的問題是產(chǎn)量有限。官方稱其比衛(wèi)星部件還復雜，每年只能生產(chǎn)很有限的數(shù)量。
據(jù)說，去年只生產(chǎn)了 40 臺，而今年 ASML 估計是 60 臺。目前需要且能購買到 EUV 光刻設備的廠商有五家：三星電子、臺積電、英特爾、SK 海力士和美光。其中，臺積電約占供應量的 70%，剩下四家公司爭奪剩下的 30%。
去年 6 月三星電子推出了全球首個采用全柵極（GAA）技術的 3nm 代工技術，因此該公司一直在努力確保采購更多 EUV 光刻設備，目標是在明年上半年進入 3nm 世代的第二代工藝，在 2025 年進入 2nm 工藝，在 2027 年進入 1.4nm 工藝。
因此，去年 6 月三星電子董事長李在镕訪問了 ASML 總部，與 ASML 首席執(zhí)行官 Peter·Bennink 討論了 EUV 采購問題，并在同年 11 月訪問韓國期間與 Bennink 進行了進一步會談。鑒于 EUV 的交付周期（從下單到收貨）至少需要一年，這些會議看起來確實取得了實際成果。
實際上，半導體領域分析師也對三星電子增購 EUV 光刻設備的計劃持積極態(tài)度。祥明大學系統(tǒng)半導體工程教授 Lee Jong-hwan 表示：“三星已引進數(shù)十臺 EUV 光刻設備，據(jù)說每臺設備的成本約為 2000 億韓元，這表明該公司打算擴大 3nm 量產(chǎn)機會，并在未來實現(xiàn) 2nm 計劃?！?span>
此前，三星電子宣布計劃到 2025 年擁有 100 臺 EUV 光刻機。市場估計三星目前的 EUV 機群約為 40 臺。如果這 50 臺設備的能夠順利交付，那么三星到 2028 年將能夠擁有約 100 臺設備。
荷蘭應用科學研究所（TNO）韓國代表 Byung-hoon Park 解釋稱說：“通常情況下，半導體工藝可以將每臺機器的 10% 用于工藝研發(fā)和測試，擁有 100 臺機器則意味著它們可以全天候用于研發(fā)?！?span>
他還指出，“通過這樣做，我們將能夠確保有足夠的工藝能力來正確使用設備”，他補充說，“ 預計這將減少工藝過程中的時間和成本，并提高產(chǎn)量。”
“一旦我們擁有了大量的（EUV）設備，并且技術趨于穩(wěn)定，我們將能夠提高產(chǎn)量，并在代工方面取得進展” ，工業(yè)研究所的專家研究員金陽邦（Kim Yang-pang）說。
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