超結(jié)MOS/低壓MOS在5G基站電源上的應(yīng)用-REASUNOS瑞森半導(dǎo)體

一、前言

5G基站是5G網(wǎng)絡(luò)的核心設(shè)備，實現(xiàn)有線通信網(wǎng)絡(luò)與無線終端之間的無線信號傳輸，5G基站主要分為宏基站和小基站。5G基站由于通信設(shè)備功耗大，采用由電源插座、交直流配電、防雷器、整流模塊和監(jiān)控模塊組成的電氣柜。所以顧名思義，5G電源就是指5G通訊設(shè)備專用電源。

5G基站電源，分兩大主流：目前，5G基站供電系統(tǒng)有兩大主流，一是UPS供電系統(tǒng)，二是HVDC 供電系統(tǒng)。5G基站電源的發(fā)展趨勢主要向著解決方案小型化、高頻化、高可靠性以及效率提升的目標(biāo)前進。

二、典型應(yīng)用拓撲

針對MOS管在5G電源上的應(yīng)用，推薦瑞森半導(dǎo)體兩款產(chǎn)品系列；

在PFC線路和Flyback線路，推薦瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOSFET系列：

由原深溝槽工藝革新成多層外延工藝，具有低導(dǎo)通電阻，優(yōu)異EMI特性，低損耗，高效率，低溫升等特性。能夠顯著降低高電壓下單位面積的導(dǎo)通電阻，進而降低導(dǎo)通損耗。同時，超結(jié)MOSFET擁有極低的FOM值，從而擁有極低的開關(guān)能量損耗和驅(qū)動能量損耗。

為適應(yīng)電源系統(tǒng)高效率小型化的需求，同步整流線路圖推薦使用瑞森半導(dǎo)體低壓SGT MOS系列：

采用SGT溝槽屏蔽柵設(shè)計及工藝制造技術(shù)，具有更高的工藝穩(wěn)定性和可靠性及更快的開關(guān)速度、更小的柵電荷和更高的應(yīng)用效率等優(yōu)點。

三、推薦產(chǎn)品選型

針對5G線路圖的PFC線路和Flyback線路，推薦瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOSFET系列。

為適應(yīng)電源系統(tǒng)高效率小型化的需求，同步整流線路推薦使用瑞森半導(dǎo)體低壓SGT MOS系列。